Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
1
Diodo
Sia dato il circuito in figura e le forme d’onda v
1( t ) e v
2( t ) indicate .
Fig. 1
O
180
R
=
Diodo D :
O
20
R
V
0.6
V
f ?=
=
Fig. 2v
2v
1Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
2
Tracciare v
0( t ) per
0
t
4
ms
.
♦
SVOLGIMENTO
♦
Si suppone :
∞
→
=
r SR
0
I
z
All’istante t=0 si possono dedurre dai grafici della pagina precedente i valori di v
1e
v
2:
( )
0
5
V
v
( )
0
0
V
v
1=
2=
Fig. 3
1Supporre la commutazione del diodo istantanea
γ
f
v
1Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
3
si nota che il diodo lavora in polarizzazione diretta , quindi lo si può sostituire con il
modello ai grandi segnali caratterizzato da un generatore di tensione V
γcon in serie
un resistore.
Si può scrivere la LKT :
( )
(
)
( )
( )
( )
( )
0
R
I
( )
0
180
0.022
3.96
V
v
:
e
A
0.022
200
4.4
R
R
v
0
v
0
I
:
ottiene
si
cui
da
0
0
I
R
R
v
0
v
0 f ? 1 f ? 1=
⋅
=
⋅
=
⇒
=
=
+
−
=
⇒
=
⋅
+
−
−
fino all’istante t=1 in quanto v
1( t ) e v
2( t ) restano costanti.
z
All’istante t=1 i valori di v
1e v
2saranno:
( )
1
5
V
v
( )
1
5
V
v
1=
2=
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
4
Si calcola il valore di
v
1( )
t
−
v
2( )
t
per il quale il diodo passa in polarizzazione inversa
osservando che in tale caso il diodo diventa un aperto e quindi sulla resistenza R non vi
è alcuna caduta di tensione:
LKT :
v
1( )
t
−
0.6
−
v
2( )
t
=
0
⇒
v
1( )
t
−
v
2( )
t
=
0.6
V
il diodo lavora in polarizzazione inversa per :
( )
t
v
( )
t
0.6
V
v
1−
2≤
Quando
v
1( )
1
=
5
V
e
v
2( )
1
=
5
V
si ha :
v
1( )
1
−
v
2( )
1
=
0
<
0.6
V
quindi il diodo
lavora in polarizzazione inversa e si comporta come un circuito aperto .
Sul resistore non vi è alcuna caduta di tensione per cui si avrà :
( )
1
5
V
v
v
0=
2=
fino all’istante t = 2.
z
All’istante t=2 v
1e v
2assumeranno i seguenti valori:
( )
2
0
V
e
v
( )
2
5
V
v
1=
2=
e la differenza tra v
1e v
2risulta essere :
( )
2
v
( )
2
5
V
0.6
V
v
1−
2=
−
<
si può quindi dedurre, per quanto detto in precedenza che il diodo continua a lavorare
in inversa con :
( )
2
v
( )
2
5
V
v
0=
2=
z
All’istante t = 3 v
1e v
2saranno :
( )
3
0
V
e
v
( )
3
0
V
v
1=
2=
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
5
la differenza tra v
1e v
2risulta essere :
( )
3
v
( )
3
0
V
0.6
V
v
1−
2=
<
il diodo è ancora in polarizzazione inversa ma il valore di
v
0( )
3
=
v
2( )
3
=
0
V
.
L’uscita rimane costante a 0 Volt anche per istanti superiori a t = 3 :
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
6
Sia dato il seguente circuito :
Fig..1
Diodo D :
Ω
=
=
=
10
R
O
50
R
V
0.7
V
5 L f ?Con:
Fig. 2 LEsercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
7
Si chiede di :
a) Calcolare l’istante t
1al quale il diodo inizia a condurre
b) Calcolare e disegnare andamento di V
OUT(t) nei tre casi :
s
10
t
3)
s
10
t
t
2)
t
t
1)
3 -3 1 1<
<
>
<
−♦
SVOLGIMENTO
♦
Anche in questo esercizio :
∞
→
=
r SR
0
I
ovvero si suppone istantanea la commutazione
del diodo .
a)
All’istante t = 0 si deduce dal grafico della pagina precedente che
v
IN( )
0
=
0
V
quindi si può affermare che il diodo lavora in polarizzazione inversa e si comporta
come un aperto.
Il diodo inizierà a condurre quando raggiungerà una differenza di potenziale ai suoi
capi pari a
V
γ=
0
.
7
V
= v
d.
Applicando la LKT al circuito si ottiene:
Fig.3
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
8
( )
t
0
.
7
0
V
( )
t
0
.
7
V
V
IN 1−
=
⇒
IN 1=
e utilizzando nuovamente il grafico ( t, V
IN(t)) si ottiene :
Fig. 4
⇒
t
1=
0
.
7
ms
è l’istante in cui il diodo inizia a condurre .
b)
Si analizzano i singoli casi :
1) All’istante t<t
1non sono presenti cadute di tensione su R
Le la differenza di
potenziale ai suoi capi è nulla quindi si può dedurre che :
( )
t
0
V
V
OUT=
32) All’istante t
1<t<1 la situazione è ben diversa :
z
quando t=t
1il diodo comincia a lavorare in polarizzazione diretta ed è quindi
possibile sostituirlo con il modello ai grandi segnali.
Scrivendo la LKT per il circuito:
2La caduta sul resistore R
L è nulla in quanto il diodo è un aperto ed in quanto tale la sua caduta di tensione è nulla
3Da sottolineare che l’aumento di V
IN(t) fa aumentare solo la differenza di potenziale ai capi del diodo, infatti si ha che vd(t) = VIN(t).
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
9
Fig. 5
LKT :
V
IN( )
t
−
V
γ−
(
R
f+
R
L)
⋅
i
( )
t
=
0
Quindi :
( )
( )
(
( )
)
L f IN L L OUTR
R
V
t
V
R
t
i
R
t
V
+
−
⋅
=
⋅
=
γDato che V
IN(t) è una retta , V
OUT(t) che dipende direttamente da essa avrà un
andamento lineare.
( )
(
)
(
0
.
7
0
.
7
)
0
V
10
50
10
t
V
t
t
per
3 3 1 OUT 1=
+
⋅
−
=
=
⇒
( )
(
)
(
1
0
.
7
)
0
.
286
V
10
50
10
t
V
1
t
per
3 3 OUT=
+
⋅
−
=
=
⇒
z
Quando t>1 si avrà il valore di V
IN(t) costante e pari a quello ottenuto per t=1, il
diodo continua a lavorare in polarizzazione diretta ed il valore di V
OUT(t) è 0.286 V.
( )
(
( )
)
L f INR
R
V
t
V
t
i
+
−
=
⇒
γ γEsercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
10
Fig.6
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
11
Fig.1mA
100
I
10
R
ZK S−
=
Ω
=
V
10
V
V
6
V
S Z=
−
=
Si chiede di
a)
determinare la retta di carico ed il punto di lavoro graficamente.
b)
determinare la minima resistenza di carico R
Ltale che i>I
ZKquando v = V
Z.
v
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
12
♦
SVOLGIMENTO
♦
a)
Si calcola il circuito equivalente di Thevenin visto ai capi del diodo :
Fig.2
Da cui si ottiene il valore di E
TH:
L L S L S L TH
R
R
R
V
10
10
R
R
E
+
⋅
=
⋅
+
=
e R
TH:
L L S L S L THR
R
R
R
10
10
R
R
R
+
⋅
=
+
⋅
=
il circuito diventa :
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
13
Fig.3
Applicando la LKT al nuovo circuito si può determinare il valore di V :
TH TH TH TH
E
i
R
V
0
V
i
R
E
−
⋅
−
=
⇒
=
+
⋅
+
quindi :
L L L LR
10
R
10
i
R
10
R
10
V
+
⋅
−
⋅
+
⋅
−
=
(
♣
)
è l’equazione della retta di carico
4:
4Si può disegnare determinando le sue intersezioni con gli assi :
asse X : si pone i = 0 e si ottiene
L L
R
10
R
10
V
+
⋅
−
=
asse Y : si pone v = 0 e si ha :i
=
1
A
anche se il valore di RL non è noto.
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
14
Fig.4
Il punto di lavoro è il punto A.
b)
Dall’equazione (
♣
) si può determinare il valore di i:
L L L L L L L L L
R
10
4
R
60
R
10
R
10
R
6
60
R
10
R
10
R
10
10
R
V
i
⋅
⋅
−
=
⋅
⋅
−
⋅
+
=
⋅
+
⋅
+
−
−
=
si impone : i<I
ZKe si ottiene :
Ω
>
⇒
−
<
⋅
−
⇒
⋅
−
<
⋅
⋅
−
−20
R
R
R
4
60
10
100
R
10
R
4
60
L L L 3 L Lsi può quindi affermare che la minima resistenza di carico sarà :
( )
R
LMIN=
20
Ω
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
15
Fig.1R = 1 K
Ω
R
1= R
3= 2 K
Ω
Diodi D
1,D
2,D
3identici:
∞
→
=
=
r fR
0
R
V
7
.
0
V
γSi chiede di calcolare
5:
a)
Le correnti nei diodi D
1,D
2,D
3b)
La tensione del nodo a
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
16
♦
SVOLGIMENTO
♦
a)
Si indicano nel circuito i versi delle correnti:
Fig.2
Si ipotizza che i tre diodi identici lavorino in polarizzazione diretta così da poterli
approssimare con un generatore di tensione pari a V
γ.
Si inseriscono in un unico sistema di equazi oni la LKC applicata al nodo
a e le LKT
ricavabili dal circuito così da ottenere:
( )
( )
( )
( )
4
8
I
R
V
I
R
10
3
6
V
I
R
10
2
1
I
R
V
I
R
10
1
I
I
I
I
3 3 ? ? 1 1 ? 3 2 1−
⋅
+
+
⋅
=
−
+
⋅
=
+
⋅
+
+
⋅
=
+
+
=
con V
γ=0.7 V, R=1 K
Ω
e R
2=R
3= 2 K
Ω
.
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
17
Dall’equazione (3) è possibile determinare il valore assunto dalla corrente I:
mA
3
.
15
10
1
7
.
0
16
I
3=
⋅
−
=
sostituendo questo valore di I nell’equazione (2) si ottiene I
1:
(
)
mA
5
.
3
10
2
)
1
7
.
0
3
.
15
(
10
I
1
I
10
2
7
.
0
10
3
.
15
10
1
10
3 1 1 3 3 3−
=
⋅
+
+
−
=
⇒
+
⋅
⋅
+
+
⋅
⋅
⋅
=
−dall’equazione (4) è possibile ora determinare il valore di I
3:
(
)
mA
1
10
2
)
8
7
.
0
3
.
15
10
(
I
8
I
10
2
7
.
0
10
3
.
15
10
1
10
3 3 3 3 3 3=
⋅
−
+
−
=
⇒
−
⋅
⋅
+
+
⋅
⋅
⋅
=
−infine dall’equazione (1) si ricava I
2:
mA
8
.
10
10
)
1
5
.
3
3
.
15
(
I
I
10
1
10
5
.
3
10
3
.
15
3 2 2 3 3 3=
⋅
−
−
=
⇒
+
⋅
+
⋅
=
⋅
− − − −da notare che le correnti I
2ed I
3trovate sono positive , questo significa che il verso
assegnato loro nella figura 2 era corretto quindi i diodi D
2e D
3soddisfano l’ipotesi di
partenza e lavorano effettivamente in polarizzazione diretta. Mentre la corrente I
1risulta negativa per cui si può affermare che il diodo D
1lavora in polarizzazione
inversa .
I diodi in esame devono, per quanto appena rilevato, essere approssimati nel modo
seguente:
Diodo D
1→
circuito aperto
Diodo D
2→
generatore di tensione V
γ
Diodo D
3→
generatore di tensione V
γ
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
18
Fig.3
Il circuito diventa quello rappresentato in fig.3 ed i valori delle correnti :
I : da equazione (3) sarà ancora I= 15.3 mA
I
3: da equazione (4) sarà ancora I
3= 1 mA
I
1: dato che al posto del diodo si inserisce un circuito aperto diverrà I
1=0
I
2: da equazione (1) diverrà I
1= 14.3 mA
b)
La tensione al nodo
a si può determinare, note tutte le correnti del circuito
applicando nuovamente la LKT:
LKT:
V
10
R
I
10
(
1
10
315
.
3
10
3)
5
.
3
V
A=
−
⋅
=
−
⋅
⋅
⋅
−=
−
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
28
Transistori
Sia dato il seguente circuito:
Fig.1
Ove:
V
9
V
CC=
V
EE=
−
9
V
R
E=
8
.
2
K
Ω
50
F=
β
β
R=
1
V
BE=
0
.
7
V
in
ZAD
E ?Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
29
Si chiede:
a)
Di dimostrare che il transistore è polarizzato in ZAD
1b)
Di calcolare valori di
α
Fα
e
R
c)
di dettagliare il circuito equivalente di “Ebers – Moll ” in queste condizioni di
polarizzazione e di semplificarlo opportunamente
2♦
SVOLGIMENTO
♦
Facendo riferimento alla figura seguente:
Fig.2
1 Si calcolino i valori di I E, IB, VCE, IC, VBC. 2 Si considerino ICS ed IES dell’ordine di 10- 9 A E E
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
30
a)
Si supponga che il transistore lavori in ZAD :
quindi si avrà
V
BE=
0
.
7
V
3e
β
=
50
4applicando la LKT al circuito in esame si ottiene :
LKT :
V
EE+
R
E⋅
I
E+
V
BE=
0
sostituendo i corrispondenti valori numerici è possibile determinare la corrente
nell’emettitore indicata con I
E:
A
10
0122
.
1
10
2
.
8
7
.
0
9
I
0
7
.
0
I
10
2
.
8
9
3 3 E E 3 −⋅
=
⋅
−
=
⇒
=
+
⋅
⋅
+
−
ricordando ora il legame che permette di determinare il guadagno diretto di corrente
di cortocircuito
α
5noto il valore di
β
si può scrivere:
98
.
0
51
50
1
1
=
=
+
=
⇒
−
=
β
β
α
α
α
β
ricavato il valore di
α
è possibile determinare la corrente nel collettore, indicata con
I
C:
mA
992
.
0
10
0122
.
1
98
.
0
I
I
3 E C=
α
⋅
=
⋅
⋅
−=
ma noto il valore di
β
è anche possibile determinare la corrente di base, indicata con
I
B:
3 Con questa ipotesi affermiamo che la giunzione BE lavora in diretta; se lavorasse in inversa si potrebbe scrivere VBE≅0.
4α e β indicano entrambi dei guadagni in corrente ma a seconda del pedice che li accompagna fanno riferimento a situazioni diverse:
βF indica il guada gno diretto di corrente di cortocircuito tra collettore e base, di solito βF≥ 100
βR indica il guadagno inverso di corrente di cortocircuito tra emettitore e base, di solito βR≅ 1
αF indica il guadagno diretto di corrente in cortocircuito tra l’emettito re ed il collettore, di solito si ha
1
99
.
0
≤
α
F≤
αR indica il guadagno inverso di corrente di cortocircuito tra emettitore e collettore, di solito
8
.
0
4
.
0
≤
α
R≤
⇒ in questo caso si userà il valore di βF e si determinerà il valore di αF 5 Che ovviamente è uguale ad αF
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
31
mA
01984
.
0
50
10
992
.
0
I
I
C 3 B=
=
⋅
=
−β
per determinare il valore delle tensioni
V
cEe
V
BCsi può utilizzare ancora una volta la
LKT applicata alla parte di destra del circuito:
LKT :
V
EE+
R
E⋅
I
E+
V
CE−
V
CC=
0
che in termini numerici diventa:
0
9
V
10
0122
.
1
10
2
.
8
9
+
⋅
3⋅
⋅
3+
CE−
=
−
−il valore di V
CEsarà :
V
7
.
9
3
.
8
18
V
CE=
−
=
mentre si può determinare il valore della tensione V
BCscrivendo:
V
9
7
.
0
7
.
9
V
V
V
BC=
−
CE+
BE=
−
+
=
−
a questo punto occorre ricordare che :
la giunzione BC lavora in diretta se V
BC< 0 V
la giunzione CE lavora in diretta se V
CE≥
0.3 V
6⇒
quindi si è accertato che il transistore lavora effettivamente in ZAD.
b)
Per calcolare il valore dei due guadagni
α
Fed
α
Rsi può ricordare la già citata
relazione che li lega ai guadagni
β
Fe
β
R:
6 In realtà si dovrebbe considerare anche la giunzione BE che lavora in diretta quando V
BE≅ 0.6 ÷ 0.7 ma è stata posta come ipotesi di partenza VBE = 0.7 V
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
32
⇒
0
.
5
2
1
1
98
.
0
51
50
1
R R R F F F=
+
β
β
=
=
α
=
+
β
β
=
=
α
c)
E’ possibile ora dettagliare il circuito equivalente ai grandi segnali conosciuto anche
come circuito equivalente di “ E bers – Moll” che comprende due generatori pilotati
CCCS
7( in cui il verso della corrente è contrario a quello della corrispondente
giunzione):
Fig.38
In particolare si può scegliere di lavorare “a base comune “ ovvero di esprimere le
variabili presenti nel modello in funzione delle tensioni V
BEe V
BCrispetto alla base:
BC
giunzione
nella
1
e
I
I
BE
giunzione
nella
1
e
I
I
T BC T BE V V CS R V V ES F
−
⋅
=
−
⋅
=
ricordando i valori ottenuti per V
BCe V
BE:
V
BC= - 9 V
⇒
V
BC<< 0
7 I generatori pilotati sono anche detti generatori dipendenti o generatori controllati e sono componenti a quattro terminali utilizzati per modellizzare il comportamento dei transistori. Sono spesso indicati con diverse sigle in questo caso CCCS significa “ Current Controlled Current
Source” e la loro equazione caratteristica mostra una diretta proporzionalità tra la corrente generata
e la corrente che scorre in un altro ramo del circuito. 8 La figura comprende già le considerazioni fatte in seguito
I
Fα
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
33
V
BE= 0.7 V
La corrente nella giunzione BC sarà:
CS
R
I
I
≅
−
quindi dato che si è dimostrato che il transistore lavora in ZAD e che la V
BC<<0 il
diodo di destra diventa un circuito aperto ed il generatore pilotato di sinistra
sparisce.
Osservazione: è possibile sostituire all’unico diodo rimasto il suo modello
equivalente ai grandi segnali considerando però R
F≅
0 cosicché il
modello sia rappresentato soltanto da un generatore di tensione V
γ=
V
BE= 0.7 V
C
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
34
Sia dato il circuito:
Fig.1
V
10
V
CC=
I
01
mA
C=
V
BE0=
0.7
V
V
C0=
5
V
ß
=
100
Si chiede di determinare :
a)
I valori di R
Bed R
Ctali che il transistore sia polarizzato in ZAD
b)
I parametri del circuito ai piccoli segnali del transistore
c)
Il guadagno ai piccoli segnali ed in bassa frequenza
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
35
♦
SVOLGIMENTO
♦
a)
Si rappresenta il “circuito di polarizzazione “ ricordando che alle basse frequenze
è possibile approssimare le capacità con circuiti aperti:
Fig.2
Se il transistore è polarizzato in ZAD si può affermare che la corrente nella base è
legata alla corrente nel collettore mediante il guadagno diretto di corrente di
cortocircuito tra collettore e base
9:
µA
10
100
10
1
ß
I
I
I
ß
I
3 C B B C=
⋅
=
=
⇒
⋅
=
−dalla LKT applicata al circuito in esame si ricava :
LKT:
−
−
⋅
=
⇒
=
−
−=
930
K
Ω
10
0.7
10
R
0
I
R
V
10
BE B B B 5Inoltre si avrà che:
9 Qui lo si indica solo con β in quanto si considera che il diodo lavori in ZAD in realtà può essere inserito anche come βF
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
36
Ω
=
⋅
=
=
⇒
⋅
=
−5
K
10
1
5
I
V
R
I
R
V
0 3 C 0 C C 0 C C 0 Cb)
Si determinano ora i parametri caratteristici del circuito equivalente ai piccoli
segnali del transistore:
Y
La “ transconduttanza “ , indicata solitamente come g
m, dipende dal punto di lavoro
e può essere calcolata come:
T 0 C m
V
I
g
=
assumendo V
Tpari a 25 mV a temperatura ambiente, il valore di g
msarà :
-1 3 3 m
0.04
O
10
25
10
g
=
⋅
=
− −Y
La “ resistenza base – emettitore” , indicata con
r
π,rappresenta la resistenza
differenziale della giunzione base – emettitore e si può calcolare come:
( )
( )
t
i
t
v
r
B BE p=
ricordando che
( )
T 0 C Bt
ß
I
V
i
⋅
=
si avrà:
KO
2.5
0.04
100
g
ß
I
V
ß
r
m 0 C T p=
⋅
=
=
=
Il circuito equivalente ai piccoli segnali risulta il seguente:
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
37
Fig.3
Dal nuovo modello , in cui si è inserito al posto di un generatore di corrente pilotato in
tensione VCCS
10un generatore di corrente pilotato in corrente CCCS risulta:
ie
h
r
π=
11= 2.5 K
Ω
e
ß
=
h
fe 12=100
dove h
ferappresenta nel modello ad emettitore comune il “guadagno di corrente ai
piccoli segnali “.
mA
0.28
10
2.5
0.7
h
V
i
3 ie S B=
=
⋅
=
V
140
h
V
h
R
V
ie s fe C OUT=
−
⋅
⋅
=
c)
Infine si può calcolare il valore del guadagno di tensione ai piccoli segnali, indicato
con A
V:
considerando che :
ie S Bh
V
i
=
h
V
h
R
V
ie s fe C OUT=
−
⋅
⋅
quindi
10 “Voltage Controlled Current Source” per cui l’espressione caratteristica è i(t)=G⋅v(t) ovvero la corrente generata è proporzionale alla tensione in qualunque altro punto del circuito
11 In realtà si dovrebbe sommare ad
π
r
anche una componente indicata conr
b,cioè la “resistenza dellazona di base “ ma dato che rb è di un ordine di grandezza più basso rispetto ad rπla si può anche
trascurare
12 Le due quantità, β ed h
fe, sono concettualmente differenti ma si può dimostrare che sono quantitativamente uguali
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
38
200
1000
2.5
100
10
5
h
h
R
V
V
A
3 ie fe C S OUT V=
=
−
⋅
=
−
⋅
⋅
⋅
=
−
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
19
Funzioni di trasferimento
Sia dato il seguente circuito:
Fig.1
C = 10
-9F
R
=
99
⋅
10
3Ω
1
R
2=
10
3Ω
Si calcoli la funzione di trasferimento :
( )
S
V
V
( )
( )
S
S
T
IN OUT
=
e si disegni il diagramma di Bode del modulo e della fase di T(S).
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
20
♦
SVOLGIMENTO
♦
Risulta utile passare al circuito con le impedenze dove
Z
(
S
)
=
R
=
99
⋅
10
3Ω
1 R
e
( )
SC
1
R
S
Z
=
2+
:
Fig.2Utilizzando la formula del partitore di tensione si può determinare il valore di V
OUT(S)
in funzione di V
IN(S):
( )
( )
( )
( )
V
( )
S
SC
1
R
R
SC
1
R
S
V
S
Z
S
Z
S
Z
)
S
(
V
IN 2 1 2 IN R OUT⋅
+
+
+
=
⋅
+
=
sostituendo ora questo valore di V
OUTall’interno della funzione di trasferimento si
ottiene:
( )
( )
( )
(
R
R
)
SC
1
1
SC
R
SC
1
R
R
SC
1
R
S
V
S
V
S
T
1 2 2 2 1 2 IN OUT+
⋅
+
+
⋅
=
+
+
+
=
=
ponendo ora S = jw è possibile determinare l’espressione della risposta in frequenza
T(jw):
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
21
( )
jwC
1
R
R
jwC
1
R
jw
T
2 1 2+
+
+
=
si determinano i valori di zeri e poli, riscrivendo la T(jw) nella forma:
( )
10
10
jw
jw
1
1
10
jw
1
10
100
10
jw
1
10
jw
T
46 9 3 9 3+
⋅
+
⋅
=
⋅
+
⋅
⋅
+
=
− − − −lo zero risulta essere:
rad/sec
10
z
rad/sec
10
z
=
−
6⇒
=
6ed il polo :
rad/sec
10
p
rad/sec
10
p
=
−
4⇒
=
44
Il diagramma di Bode per il modulo sarà dato dalla somma di tre contributi:
Fig.3
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
22
Il segnale globale sarà
1:
Fig.4
4
Il diagramma di Bode relativo alla fase, analogamente a quanto già detto per il
modulo sarà:
Fig.5
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
23
La somma fornisce un segnale globale del tipo:
Fig.6
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
24
Data la seguente funzione di trasferimento :
( )
S
10
s
s
1000
10
T
3+
+
⋅
=
si determini il corrispondente diagramma di Bode in modulo e fase e si indichi il
tipo di filtro.
♦
SVOLGIMENTO
♦
E’ possibile riscrivere la funzione di trasferimento nella forma:
( )
+
+
⋅
=
+
⋅
+
⋅
⋅
=
1000
s
1
10
s
1
10
100
s
1
10
10
s
1
10
10
S
T
3 3lo zero sarà :
rad/sec
10
z
rad/sec
10
z
=
−
⇒
=
il polo sarà:
rad/sec
1000
p
rad/sec
1000
p
=
−
⇒
=
il guadagno è K = 10.
4
Il diagramma del modulo è dato da tre contributi, la retta orizzontale rappresenta
la componente costante a
20
⋅
log
1010
=
20
dB
:
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
25
Fig.1
Il segnale globale sarà:
Fig.2
4
Il diagramma della fase è dato anch’esso da tre contributi
2:
2 All’interno di questi tre contributi uno è identicamente nullo: la fase di K
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
26
Fig.3
La somma sarà:
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
27
Si tratta di un filtro attivo
3di tipo “ Passa Alto” :
Fig.5
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
39
Esercizi di digitale
E’ data la tabella di verità di un FF di tipo AB:
A
B Q(n+1)
0
1
0
1
0
0
1
1
)
n
(
Q
Q(n)
1
0
Costruire questo FF facendo uso di un FF di tipo JK e della logica addizionale
necessaria.
♦
SVOLGIMENTO
♦
Il primo passo da eseguire è quello di effettuare la sintesi del flip-flop AB
mediante l’utilizzo della seguente mappa di Karnaugh ricavata dalla tabella di verità
fornita:
A B
Q(n)
00 01
11
10
0
1
1
0
0
1
0
1
0
1
… da cui si ricava:
B
A
B
A
)
n
(
Q
A
)
n
(
Q
)
1
n
(
Q
+
=
+
+
(1)
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
40
=>
Q
(
n
+
1
)
=
Q
(
n
)
j
+
Q
(
n
)
k
(2)
Effettuando ora il confronto tra la (1) e la (2) si può affermare che:
j
A
=
B
A
B
A
k
B
A
k
=
=>
=
=
+
(per il teorema di De Morgan)
Si ottiene quindi
B
A
)
1
n
'(
Q
B
A
)
n
(
Q
B
A
)
n
(
Q
A
)
1
n
(
Q
+
=
+
+
=
+
+
… a cui corrisponde il seguente circuito logico:
j
k
Q(j+1)
0
0
1
1
0
1
0
1
Q(j)
0
1
)
j
(
Q
j k
Q(n)
00
01 11
10
0
0
0
1
1
1
1
0
0
1
uscita FF JK J K A B Q’(n+1) Q'(n+1) AB Q(n+1)Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
41
)
c
d
ab
)(
d
b
a
(
c
b
a
F
=
+
+
+
+
Si desidera che:
a)
Si sviluppino i prodotti semplificando il più possibile.
b)
Si ricavi la mappa di Karnaugh dalla funzione così semplificata.
c)
Dalla mappa ottenuta si ricavi dalla funzione
F
e la si sintetizzi.
♦
SVOLGIMENTO
♦
a)
F
=
a
b
c
+
(
a
+
b
+
d
)(
ab
d
+
c
)
=
a
b
c
+
a
ab
d
+
ab
d
+
abd
d
+
a
c
+
b
c
+
d
c
=
c
d
c
b
c
a
d
ab
c
b
a
=
+
+
+
+
b)
Le componenti logiche di F sono così interpretate …
-01
-c
d
-10
-c
b
-0
-0
c
a
0
-11
d
ab
-101
c
b
a
→
→
→
→
→
… da cui si ottiene la seguente Mappa di Karnaugh
a b
c d
00
01
11
10
00
1
1
1
0
01
1
1
1
1
11
0
0
0
1
10
0
0
1
1
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
42
d
ac
d
b
a
c
b
c
a
F
=
+
+
+
c)
La mappa di
F si ricava banalmente dalla mappa precedente …
a b
c d
00 01
11
10
00
0
0
0
1
01
0
0
0
0
11
1
1
1
0
10
1
1
0
0
… da cui si ricava
d
c
b
a
bcd
c
a
F
=
+
+
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
43
di un CK a due fasi
φ
1e
φ
2come quello mostrato in figura.
Le due fasi,
φ
!e
φ
2, sono segnali periodici il cui periodo è pari a quattro volte il CK
di sistema (segnale Clock in figura).
La macchina dispone di un ingresso EN che, quando è a 1, abilita il funzionamento
sopra descritto e, quando è a 0, mantiene costante l’ultimo valore assunto dalle
due fasi.
Si richiede:
a) Il diagramma ASM.
b) La sintesi della macchina a stati finiti.
♦
SVOLGIMENTO
♦
a)
La FSM desiderata è mostrata in fig. .2
Clock
φ
1φ
2 Fig. .1FSM
CK ENφ
1φ
2 Fig. .2Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
44
b)
Utilizzando il diagramma della ASM appena ricavato, si può ottenere la seguente
tabella della FSM:
EN
SP
S
1S
0φ
1φ
2SF
S
1’
S
0’
0
(a)
0
0
1
1
(a)
0
0
1
(a)
0
0
1
1
(b)
0
1
0
(b)
0
1
0
1
(b)
0
1
1
(b)
0
1
0
1
(c)
1
1
0
(c)
1
1
1
1
(c)
1
1
1
(c)
1
1
1
1
(d)
1
0
0
(d)
1
0
1
0
(d)
1
0
1
(d)
1
0
1
0
(a)
0
0
φ
1= 1
φ
2= 1
EN(a)
1
0
φ
1= 0
φ
2= 1
EN(b)
1
0
φ
1= 1
φ
2= 1
EN(c)
0
φ
1= 1
φ
2= 0
1
(d)
EN0
Fig. .3Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
45
La struttura della FSM è la seguente:
•
Sintesi di un’uscita ( ad esempio
φ
!)
S
1S
0EN
00 01
11
10
0
1
0
1
1
1
1
0
1
1
da cui si ricava:
0 1 1=
S
+
S
Φ
•
Sintesi di uno stato (ad esempio S
1’). Supponendo di voler utilizzare un FF di
tipo JK, usando la tabella di eccitazione già più volte vista, si ottiene:
Per j
1:
S
1S
0EN
00 01
11
10
0
0
0
-
-
1
0
1
-
-
⇒
j
1=
S
0+
EN
.
EN 1 CKRC
1 2 4S
1S
0 CKRC
2 4 4φ
1φ
2 2 Fig. .4 DEsercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
46
Per k
1:
S
1S
0EN
00 01
11
10
0
-
-
0
0
1
-
-
0
1
⇒
k
1=
S
0+
EN
.
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
47
Sono dati i seguenti tre segnali:
Progettare la FSM che, dato il segnale di polarizzazione di sistema CK e l’ingresso
asincrono IN; genera il segnale OUT.
Si noti che:
•
Il segnale OUT va ad 1 per un periodo di CK quando IN ha una transizione
0 à 1 oppure 1 à 0;
•
La frequenza di In è molto minore di quella di CK.
♦
SVOLGIMENTO
♦
La FSM desiderata e il diagramma ASM che esplica il suo comportamento sono
mostrati, rispettivamente, in fig. .2 e .3:
CK
IN
OUT
Fig. .1FSM
IN
OUT
CK
Fig. .2Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
48
Dal diagramma ASM si ricava la seguente tabella:
IN
SP
S
1S
0OUT
SF
S
1’ S
0’
0
(a)
0
0
0
(a)
0
0
1
(a)
0
0
0
(b)
0
1
-
(b)
0
1
1
(c)
1
0
0
(c)
1
0
0
(d)
1
1
1
(c)
1
0
0
(c)
1
0
-
(d)
1
1
1
(a)
0
0
Utilizzando Flip Flop JK, la struttura della FSM è:
IN
0
1
OUT = 0
OUT = 1
OUT = 1
IN
OUT = 0
0
1
(a)
(b)
(c)
(d)
Fig. .3IN
CK D1
2
RC
14
S
!S
0 CKRC
24
4
1 OUT
Fig. .4Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
49
•
Sintesi dell’uscita
S
1S
0IN
00 01
11
10
0
0
1
1
0
1
0
1
1
0
•
Sintesi delle variabili di stato.
Per lo stato S
1’ occorre sintetizzare j
1e k
1. Facendo riferimento alla tabella di
eccitazione già più volte vista, si ottiene:
S
1S
0IN
00
01
11
10
0
0
1
-
-
1
0
1
-
-
S
1S
0IN
00
01
11
10
0
-
-
1
0
1
-
-
1
0
⇒
OUT = S
0j
1⇒
j
1= S
0k
1⇒
k
1= S
0Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
50
In modo analogo per S
2’ occorre sintetizzare j
2e k
2.
S
1S
0IN
00
01
11
10
0
0
-
-
1
1
1
-
-
0
S
1S
0IN
00
01
11
10
0
-
1
1
-
1
-
1
1
-
j
0⇒
j
0=
S
1⋅
IN
+
S
1⋅
IN
k
0⇒
k
0= S
0Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
51
Si descriva, mediante il diagramma ASM, il funzionamento di un FF “edge –
triggered” di tipo JK. Una volta disegnato il diagramma, si sintetizzi la
corrispondente FSM utilizzando un FF di tipo RS. Si richiede quindi:
1) Diagramma ASM del FF di tipo JK;
2) Tabella della FSM corrispondente;
3) Tabella di eccitazione del FF RS;
4) Disegno della struttura della FSM;
5) Sintesi dello stato.
♦
SVOLGIMENTO
♦
1) Ricordando che un FF di tipo JK si comporta nella maniera descritta dalla seguente
tabella di verità:
j
k
Q(j+1)
0
0
1
1
0
1
0
1
Q(j)
0
1
)
j
(
Q
Fig. .1… il diagramma ASM è il seguente:
FSM
j
k
Q
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
52
Fig .2
2) Utilizzando il diagramma della ASM appena ricavato, si può ottenere la seguente
tabella della FSM:
j
k
SP
S
Q
SF
S’
0
1
0
0
1
1
-
-
0
1
0
1
(a)
(a)
(b)
(b)
(b)
(b)
0
0
1
1
1
1
0
0
1
1
1
1
(a)
(b)
(b)
(a)
(b)
(b)
0
1
1
0
1
0
Q = 0
Q = 1
j
(a)
0
1
(b)
j
k
0
0
1
1
k
0
1
Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001
53
Osservazione: per come è stata scelta la codifica, la sintesi dell’uscita è
Q = S.
3) Dalla conoscenza della tabella di verità dei flip–flop SR, si può ricavare la seguente
tabella di eccitazione.
S
R
Q(k+1)
Q(k) Q(k+1) S
R
0
0
1
1
0
1
0
1
Q(k)
0
1
-
Tabella di eccitazione0
0
1
1
0
1
0
1
0
1
-
-
-
-
1
0
4) La struttura della FSM è la seguente:
Fig .3
1
Q
2
2
2
2
j
CKk
CKRC
1SP
SF
ST CK
RC
2Esercizi svolti del Corso di Elettronica Industriale 1 Anno Accademico 2000 / 2001