La tecnologia planare del silicio, introdotta nel 1959 e rapidamente affermatasi negli anni sessanta, dapprima per la fabbricazione dei singoli componenti attivi ed in seguito per quella di interi circuiti integrati, richiede un certo numero di passi di processo, tra i quali particolare importanza è rivestita dalla realizzazione di strati di ossido e dal drogaggio. In questo lavoro di tesi è stata fatta una trattazione teorica dei vari metodi di deposizione di film sottili di ossido di silicio, esaminando in dettaglio la tecnica di sputtering a radiofrequenza, mediante la quale sono state effettuate prove pratiche di laboratorio. E’ stato successivamente messo a punto il processo di diffusione su substrato SOI mediante spin-on-glass, descrivendo anche i passi di processo intermedi, quali attacchi chimici e litografia.
SVILUPPO E MESSA A PUNTO DI PROCESSI PER LE NANOTECNOLOGIE
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