Curriculum vitae di Filippo NAVA O. Sintesi del curriculum vitae
1. Curriculum biografico, accademico e scientifico 2. Descrizione dell'attività scientifica svolta
3. Progetti di ricerca scientifica nazionali e
internazionali seguiti in qualità di responsabile di Unità di Ricerca)
4. Attività didattica: accademica, scuole e
. .
semrnan
5. Relazioni su invito
6. Collaborazioni scientifiche 7. Partecipazione a congressi
- 1-
O. Sintesi del curriculum vitae di Filippo NAVA
1. · Nato a Modena il 25 Novembre 1941
2. Laureato in Fisica presso la Facoltà di Scienze dell'Università di Modena n211969 3. Ricercatore del Gruppo Nazionale di Struttura della Materia- CNR nel 1969
4. Professore incaricato di Fisica (fondamentale) presso la Facoltà di Farmacia dell'Università di Modena nell'a.a. 1971-72
5. Professore incaricato stabilizzato di Cibernetica e Teoria dell'Informazione
(complementare) presso la Facoltà di Scienze dell'Università di Modena dall'a.a. 1972 all'a.a. 1982
6. Professore associato di Esperimentazioni di Fisica (fondamentale) presso la facoltà di Scienze dell'Università di Modena dall'a.a. 1982 all'a.a. 1991
7. Professore associato di Fisica Generale (fondamentale) presso la facoltà di Ingegneria dell'Università di Modena dall'a.a. 1991 all'a.a. 2012 (anno del pensionamento).
8. Professore a contratto di Fisica presso il Dipartimento di Ingegneria dell'Università di Modena e Reggio Emilia dall'a.a. 2012 all'a.a. 2016
9. Professore a contratto di Fisica (2° parte) presso l'Accademia Militare di Modena per gli allievi ufficiali dei corsi di laurea in lngegneria·.meccanica, Civile, Elettronica ed Informatica dll'a .. a. 1999 a tutt'oggi.
10. Ricercatore dell'Istituto Nazionale di Fisica della Materia(I.N.F.M.) dal 1989 al 2012.
11. Ricercatore associato dell'Istituto Nazionale di Fisica Nucleare (1.N.F.N.) dal 1977 al 2012 ..
Attività didattica
1. Esercitazioni di Fisica Generale Il nel corso di laurea in Fisica e Matematica della facoltà di Scienze dell'Università di Modena negli anni accademici 1969/70, 1970/71 e 1971/72.
2. Docenza di Fisica, di Fisica Sperimentale e di Fisica Generale presso la Facoltà di Farmacia, di Scienze e di Ingegneria dell'Università di Modena prima e successivamente di Modena e Reggio Emilia, nell'anno accademico 1971/72, dall'anno accademico 1972/73 all'anno accademico 1989/90 e dall'anno accademico 1990/91 all'anno accademico 2011/12 (anno del pensionamento), rispettivamente.
3. Docenza di Fisica Generale presso il Dipartimento di Ingegneria Enzo Ferrari dell'Università di Modena e Reggio Emilia, corso di laurea in Ingegneria Informatica, dall'anno accademico 2012/13 all'anno accademico 2016/17 in qualità di professore a contratto.
4. Docenza di Fisica Il presso l'Accademia Militare di Modena per gli allievi ufficiali del corpo degli Ingegneri (IEI), corsi di laurea in Ingegneria Elettronica, negli anni accademici 2013/14 e 2014/15.
5. Docenza di Fisica (2° parte) presso l'Accademia Militare di Modena per gli allievi ufficiali del corpo di Ingegneria (IEI), corso di laurea in Ingegneria Meccanica, Civile, Elettronica ed Informatica, dall'anno accademico 1999/2000 a tutt'oggi.
6. Relatore di più di 30 tesi di laurea in Fisica a carattere sperimentale assegnate a studenti laureandi del corso di laurea in Fisica presso la Facoltà di Scienze dell'Università di Modena dall' anno accademico 1972/73 a quello del 1989/90.
7. In collaborazione con colleghi di Fisica dell'Università di Modena e Reggio Emilia, e dell'Università degli studi e del Politecnico di Bari, ha tradotto dall'inglese i due volumi di Fisica 1 ° e 2° seconda edizione - 2015 del Douglas Giancoli per conto
Responsabilità scientifiche
1. Progetto bilaterale con la Rijksuniversiteit di Utrecht (Olanda) 2. Progetto di ricerca MPI Capitolo 19/3
3. Progetti ricerca MPI 60%
4. Progetti di ricerca MPI 40%
5. Progetto strategico del C.N.R. " Formazione di contattei elettrici si dispositivi MESFET al GaAs"
6. Progetto strategico del C.N.R. "Proprietà di trasporto elettrico in film sottili di composti silicio-metallo (siliciuri)
7. Progetto finalizzato del C.N.R. "Materiali speciali"
8. Progetto Europeo bilaterale con il Laboratoire des Materiaux et du Genie Physique dell'Ecole Nationale Superieure de Physique di Grenoble (Francia)
9. Progetto Human Capitai and Mobility Nr ERBCHRXCT930318 "Physical properties of bulk single crystal and thin film of metal silicide" (responsabile nazionale del progetto) 10. Progetti Galileo Italia-Francia
11. Esperimenti POSEDT, POSDET 2, THIN RIV, EDIR,DIFETTI, GAASRAD,GAASRIS, ALCHIMIA, SICPOS e HiTSiC del gruppo V della sezione I.N.F.N di Bologna ( responsabile nazionale) 12. Convenzione tra l'Università di Modena e Reggio Emilia (Rettore G. Pellacani) e l'I.N.F.N
(presidente R. Petronzio) dal'a.a. 1991 ali.a.a. 2007
Attività scientifica
Studio e misura
1. Delle proprietà del trasporto elettrico in semiconduttori, metalli e superconduttori 2. Delle proprietà ottiche di composti silicio-metallo
3. Delle proprietà elettroniche dell'interfaccia silicio/metallo e silicio/semiconduttore 4. Dei processi di formazione di composti silicio-metallo
Studio e caratterizzazione
1. Dei difetti indotti da radiazione elettromagnetica e da particelle cariche di media ed alta energia nella materia condensata
2. Dei meccanismi di passivazione degli stati elettronici di interfaccia e delle impurezze in semiconduttori (tipicamente Si, GaAs, SiC e CdTe) mediante idrogeno molecolare 3. Dei processi di ossidazione e riduzione di film sottili di materiali polimerici in atmosfera
gassosa
3-
Studio e realizzazione
1. Di apparecchiature per il trattamento termico rapido e ultrarapido per la caratterizzazione elettrica di dispositivi elettronici
2. Di un laboratorio per la costruzione e la caratterizzazione di prototipi di rivelatori di posizione in diverse configurazioni geometriche su substrato semiconduttore e semi
isolante per esperimenti di Fisica delle alte energie, di Fisica Medica e per applicazioni industriali
3. Di un laboratorio dedicato alle misure di grandezze elettriche del trasporto in funzione della temperatura e del campo magnetico in materiali ad alta gap energetica .
Studio ed utilizzo
1. Di tecniche di analisi di tipo strutturale, elettrico, calorimetrico e nucleare.
Pubblicazioni
Più di 200 pubblicazioni su riviste e/o atti di congressi nazionali e internazionali. Tra queste 3 capitoli di libro e 3 lavori di rassegna su invito. Si allega l'elenco completo delle pubblicazioni.
E' stato più volte e tuttora opera come recensore per le seguenti riviste e congressi scientifici internazionali:
Journal of Physics, Thin Solid Films, Surface Science, Journal of Vacuum Science and Technology, Solid State Communications, Solid State Physics, Nuclearr lnstrument and Methods A e B, IEEE Transaction of Nuclear Science, Nuclear Science Symposium and Medicai lmaging Conference.
1. Curriculum Biografico, Accademico e Scientifico
1.1 Cenni biografici
Filippo Nava, nato a Modena il 25 Novembre 1941, si laurea in Fisica presso la Facoltà di Scienze dell'Università di Modena nel 1968 con una tesi sulle "Proprietà di trasporto elettrico e sui fenomeni di cattura dei portatori di carica elettrica nei semiconduttori organici".
Negli anni 1969, 1970, 1971 e 1973 usufruisce di borse di studio del C.N.R. per la partecipazione alle Scuole Nazionali di Struttura della Materia del G.N.S.M ..
Negli anni 1975 e 1976 usufruisce di borse di studio per la partecipazione a scuole indette dall'I.N.F.N. e dal C.N.R. rispettivamente su tecniche di immagine strutturale nel campo dei materiali per la microelettronica.
Nel 1976 ha ottenuto una borsa di studio NATO per la partecipazione alla scuola NATO
"Materiai characterization by using ion beams"
In qualità di:
(i)
Research Visitor ha studiato e sperimentato presso i seguenti centri di ricerca:
(.) (1976) Lebedev lnstitute di Mosca e Academy of Science di Vilnius (Lituania-URSS) (.) (1977) Centre d'Etudes d'Elettronique de Solides-CNRS dell'Università di Montpellier
Francia
(.) (1978) Laboratorium voor Experimentele Fysica dell'Università di Utrecht-Olanda (.) (1979) FOM lnstituut voor Atoom-en Molecuulfysica di Amsterdam- Olanda.
(Il)
Postdoctoral Associate in Materiai Science ha studiato il
trasporto elettrico in composti binari silicio-metallo realizzati in film sottile sia dal punto di vista teorico che sperimentale:
(.) (1983-84-85-1987) presso il Thomas J.Watson Research Center della IBM in Yorktown Heights-New York- USA.
(a) Nel 1982 ha usufruito di una borsa di studio della IBM-ltalia per partecipare alla scuola dell'Istituto Europeo della IBM "Scienza e Tecnologia dei dispositive VLSI".
(b) Nel 1990 ha prestato la propria opera in qualità di docente per il corso di Aggiornamento per insegnanti di scuola media secondaria superiore sul tema "L'insegnamenro ella Fisica nel biennio" organizzato dalla A.I.F.
(c) Nel 1990 ha prestato la propria opera in qualità di docente sui temi riguardanti la misura di grandezze fisiche di interesse biologico nel corso per tecnico Biomedico indetto dal Centro di Formazione Professionale del Comune di Modena con il patrocinio del Fondo Sociale Europeo
(d) Negli anno 1990-1991 ha realizzato, con il patrocinio dell'I.N.F.N. (presidente Nicola Cabibbo), presso la sezione I.N.F.N. di Bologna un laboratorio di ricerca e sviluppo per la realizzazione di prototipi di rivelatori a semiconduttori per la tracciatura della radiazione ionizzante in Fisica delle Alte Energie e per imaging digitale in Fisica Medica e in
applicazioni industriali.
1.2 Curriculum Accademico
1969 A far data dal 1969 è Tecnico Laureato presso l'Istituto di Fisica dell'Università di Modena.
1971 Per l'a.a. 1971-72 è Professore incaricato di FISICA (fondamentale) per il corso di laurea in Chimica e Tecnologie Farmaceutiche della Facoltà di Farmacia dell'Università di Modena.
1972 Dall'a.a. 1972 all'a.a. 1982 è Professore Incaricato stabilizzato di CIBRNETICA E TEORIA DELL'INFORMAZIONE (complementare) per il corso di laurea in Fisica e matematica della Facoltà di Scienze dell'Università di Modena.
1982 E' Professore Associato di ESPERIMENTAZIONI DI FISICA (fondamentale) per il corso di laurea in Fisica della facoltà di Scienze dell'Università di Modena dll'a.a. 1982 all'a.a. 1991.
1991 E' professore Associato di FISICA I (fondamentale) per il corso di laurea in Ingegneria Meccanica e dei Materiali della Facoltà di Ingegneria dell'Università di Modena dall'a.a.
1991 all'a.a. 1993.
1993 Dall' a.a. 1993 all'a.a. 2012 (anno del pensionamento) è Professore Associato di FISICA GENERALE Il (fondamentale) per il corso di laurea in Ingegneria Informatica della Facoltà di Ingegneria dell'Università di Modena e Reggio Emilia.
1.3 Curriculum Scientifico
Filippo NAVA ha svolto attività di ricerca nell'ambito:
a) Della caratterizzazione strutturale, elettrica, ottica e termica dei composti silicio/metallo e GaAs/metallo,
b) Della caratterizzazione funzionale dei micro dispositivi elettronici,
c) Dello studio dei meccanismi di formazione e rimozione dei difetti cristallografici generati nei processi di interazione particella/materia solida e radiazione
elettromagnetica/materia solida,
d) Nello studio della correlazione tra difetti originali e/o indotti e parametri di rivelazione di rivelatori nucleari realizzati su materiale semiconduttore e semi
isolante.
E' autore di più di 200 pubblicazioni su riviste e/o atti di congressi nazionali e internazionali, tra i quali 3 capitoli di libro di rassegna e e 3 lavori di rassegna su invito. La sua produzione scientifica comprende anche articoli di rassegna e di divulgazione scientifica della Società Italiana di Fisica (Il Sagittario, Il Nuovo Cimento ) su argomenti connessi con la sua attività di ricerca.
In particolare, l'attività scientifica di Filippo NAVA si è sviluppata secondo le seguenti linee:
1- Analisi ed interpretazione microscopica delle proprietà di trasporto elettrico in semiconduttori, in metalli ed in superconduttori ..
2 -Studio delle interazioni chimico-fisiche tra film metallici e semiconduttori ( con particolare riferimento ai semiconduttori Si e Ge e composti del gruppo ID-V).
3 -Studio dei processi di formazione di composti metastabili in film sottile ottenuti con trattamenti termici in regime statico (stato solido) e dinamico (stato liquido-solido).
4 -Studio dei meccanismi fisici attivi nei processi di interazione ione/materia e radiazione/materia.
5- Analisi ed interpretazione delle proprietà ottiche di composti metallici e semiconduttori realizzati in forma mono e poly-cristallina.
6-Rivelatori nucleari a semiconduttore e semi-isolante.
7 -Sensori di gas ossidanti e/o riducenti realizzati còn materiali polimerici.
8- Sviluppo di Laboratori per la realizzazione di strutture di test e di Tecniche diagnostiche.
2. Descrizione dell'attività scientifica
2.1 Analisi e interpretazione microscopica delle proprietà di trasporto elettrico in semiconduttori, in metalli ed in superconduttori
2.1.1
Semiconduttori molecolari.
# E' stata messa a punto una tecnica basata sulla corrente termicamente stimolata (TSC) per
ottenere informazioni su centri di cattura di cariche elettriche in cristalli molecolari. Questa è stata applicata all'antracene e ne ha permesso l'identificazione dei difetti e la misura delle relative energie di attivazione e sezioni efficaci di cattura.
2.1.2 Semiconduttori covalenti Si, Ge e C.
# Con la tecnica del "tempo di volo" e mediante un cannone elettronico pulsato, sono state misurate la velocità di deriva, la mobilità ed il coefficiente di diffusione longitudinale di elettroni e lacune in Si, Ge e C in funzione della direzione cristallografica , del campo elettrico e della temperatura.
La velocità di deriva ed il coefficiente di diffusione longitudinale sono stati interpretati teoricamente con la soluzione dell'equazione di Boltzmann mediante la tecnica numerica di MonteCarlo.E' stata condotta una accurata analisi del rumore elettronico legato alle fluttuazioni intorno al valore medio della velocità di deriva degli elettroni e lacune in silicio , ottenendo un buon accordo tra i dati del coefficiente di diffusione longitudinale ottenuti con misure di rumore e con la tecnica del tempo di volo.
2.1.3 Semiconduttori a struttura lamellare: GaSe, CdSe.
# Con la tecnica del tempo di volo è stata realizzata la prima determinazione della mobilità e velocità di deriva degli elettroni e delle lacune sia sul piano degli strati lamellari che
perpendicolare ad esso. E' stato ipotizzato che la forte anisotropia osservata sia dovuta ad un
nuovo meccanismo di scattering di tipo estrinseco associato ad una barriera di potenziale dovuta a difetti cristallografici.
2.1.4 Composti silicio-metallo.
# E' stata messa a punto una tecnica di preparazione di composti silicio-metallo sia in forma di film sottile (policristallino) che massivo (monocristallino) in configurazione di van der Pauw e di barretta rispetivamente, per misure della resistività, del coefficiente Hall e della
magnetoresistenza.E' stata inoltre definita una tecnica di misura automatizzata con elevata
risoluzione per le suddette grandezze sia in regime continuo che alternato ed è stata effettuata una accurata analisi del trasporto elettrico in composti ottenuti con metalli quasi nobili, di transizione e di terre rare. L'accurata analisi teorica di questa con diversi modelli ha permesso di identificare i principali meccanismi di scattering elettrone-fonone e di stimare i principali parametri intrinseci del trasporto elettrico. Questa interpretazione, unitamente a quella dei dati ottici e termici, ha permesso di calcolare per la prima volta, in ottimo accordo con quelli teorici, i valori delle
grandezze fisiche microscopiche legate al trasporto elettrico. Questa ampia ed accurata indagine è stata oggetto di un lavoro di rassegna sulla rivista Materiai Research Society.
2.1.5 Superconduttori ad elevata temperatura di transizione.
# Mediante misure di resistività in funzione del tempo, in ambiente gassoso inerte (Ar) o ossidante e a diverse temperature è stato studiato il mecca9ismo di diffusione dell'ossigeno in campioni policristallini di YBa2Cu307_x con diverso contenuto di O (O. IO<x<0.65). E' stata osservata una transizione dalla fase tetragonale semiconduttrice a quella ortorombica superconduttrice a T=91 °K e si è ipotizzato che questa, attivata dalla presenza dell'ossigeno, sia del tipo disordine - ordine con il numero di portatori di carica liberi influenzato dalla posizione degli atomi di ossigeno.
2.2 Studio dell'interazione chimico-fisica tra film metallici e semiconduttori
2.2.1 Studio di cinetica di crescita di siliciuri.
# E' stato studiato il meccanismo di formazione dei siliciuri e dei germaniuri di palladio e molibedno in strutture planari semiconduttore -metallo, con il metallo informa di film sottile, utilizzando tecniche di tipo elementale-strutturale quali la diffrattometria X e la spettrometria di ioni leggeri retrodiffusi alla Rutherford. I risultati hanno dimostrato che la velocità di crescita del composto è controllata dalla diffusione della specie atomica mobile e che si tratta di processi termicamente attivati.
# Sono stati identificati i meccanismi e le sequenze di formazione dei siliciuri in strutture planari Si-lega metallica binaria ( con lega metallica in forma di film sottile), utilizzando tecniche di misura di grandezze elettriche, oltre a quelle di tipo elementale, perché più sensibili alla presenza di metalli alla superficie del Si. A questo scopo, come strutture di test sono stati utilizzati diodi con il contatto rettificante costituito da una barriera Schottky e, come metodo di indagine, sono stati impiegati metalli caratterizzati da valori molto diversi di barriera Schottky.
# E' stato studiato l'effetto dell'ossigeno sulla cinetica di crescita di alcuni siliciuri e sulla loro sequenza di formazione. Sono stati considerati i sistemi planari Si-Mo e Si-Pt per il loro interesse tecnologico e l'ossigeno è stato introdotto in modo controllato mediante impiantazione ionica nel metallo e/o nel silicio. Le fasi formate sono state identificate mediante diffrattometria X e la distribuzione dell'ossigeno è stata misurata mediante microanalisi Auger. In entrambi i casi si è osservato un accumulo dell'ossigeno all'interfaccia Si/siliciuro che agisce come barriera al moto delle specie atomiche mobili con conseguente cambiamento della cinetica di crescita dei siliciuri.
2.2.2 Stabilità termica dell'interfaccia Si/siliciuro
# Il sistema Si/siliciuro è termodinamicamente non in equilibrio. Essendo il sistema Si/Pt di
particolare interesse tecnologico è stata allora condotta una accurata indagine sulla stabilità termica
dell'interfaccia Si/PtSi in collaborazione con la SGS-Thomson di Milano. A questo fine è stata messa a punto la tecnica di misura Deep Leve! Transient Spectroscopy per misurare il livello energetico profondo dovuto alla impurezza Pt diffusa nel silicio dal PtSi e quindi la temperatura massima al di sotto della quale si può ritenere stabile la interfaccia Si/PtSi. E' stato trovato che la temperatura suddetta è di 700°C che il Pt agisce come livello accettore con un livello energetico di 0.23eV .Infine il profilo di distribuzione del Pt bene si interpreta ipotizzando un meccanismo di diffusione per Si interstiziali.
2.2.3 Interazione silicio-metallo a livello monoatomico
# Il valore della barriera Schottky all'interfaccia silicio/siliciuro è notevolmente influenzato dalle caratteristiche cristallografiche della stessa interfaccia . Per il sistema Si-Pd, in collaborazione con l'Istituto FOM di Amsterdam, si è condotta una accurata indagine sulla formazione dell'interfaccia Si/Pd2Si, sulle sue caratteristiche cristallografiche e sulla sua stabilità termica utilizzando la tecnica RBS in particolare condizioni di allineamento del fascio degli ioni (channeling and blocking) ed in ultra alto vuoto. Si è dimostrato che monostrati di
Pd maggiori di cinque portano alla mescolanze!, di Si e Pd nel corretto rapporto stechiometrico di 1 a 2 già a temperatura ambiente e che il composto Pd2Si , così formato,è amorfo e che
cristallizza in modo epitassico sul Si a temperature >200°C.
2.2.4 Formazione di siliciuri da lega amorfa SixMy,
# Sono state studiate le cinetiche di cristallizzazione e di trasformazione di fase dei siliciuri nei sistemi Si-Pd, Si-Cr. Si-V, Si-Ti, Si-W, Si-Fe e Si-Ta. mediante misure elettriche e
calorimetriche e con la tecnica della diffrazione elettronica in trasmissione. Con quest'ultima, sviluppata presso il laboratorio di ricerca e sviluppo della IBM a Y orktown Heights (USA), è stato possibile seguire in tempo reale la formazione e la evoluzione dei grani cristallini del siliciuro dentro la matrice amorfa, misurandone dimensioni e densità e verificando in modo diretto che, per tutti i sistemi studiati, la cinetica di cristallizzazione è ben descritta dal modello di Johnson-Mehl-Avrami della nucleazione e crescita dei grani con velocità di nucleazione costante. Misure calorimetriche condotte sui sistemi Si-Ta e Si-W mediante la tecnica DSC (Differential Scanning Calorimetrie) hanno permesso di valutare le entalpie di formazione del TaSii e del Wsi2 esagonale.
2.2.5 Nuove metallizzazioni ohmiche sul GaAs di tipo n.
# E' stato definito un processo per la realizzazione di contatti ohmici su GaAs di tipo n semi
isolante non a lega, basato sulla ricrescita epitassica di un sottile film di GaAs(Si) fortemente drogato n su GaAs mediante reazioni allo stato solido nella struttura Si/Pd/n-GaAs.Sono state misurate la resistenza di contatto in strutture TLM e le caratteristiche I/V in diodi a barriera Schottky e si è dimostrato che i contatti Si/Pd e Si/Ni rappresentano una valida alternativa agli standard Au-Ge-Ni permettendo una maggiore riproducibilità del contatto ohmico.·
2.3 Studio dei processi di formazione di composti metastabili in film sottili ottenuti con trattamenti termici in regime statico e dinamico.
# Sono stati studiati i processi di formazione di siliciuri utilizzando trattamenti termici (non convenzionali) di potenza, ultrarapidi quali quelli forniti da impulsi laser e di elettroni. Per potere stabilire corrette correlazioni tra l'effetto dell'impulso e la densità di energia depositata sul sistema Si-metallo e per realizzare riscaldamenti solo nella regione di interesse del sistem, è stato realizzato, in collaborazione col Dipartimento di Fisica di Lecce, un generatore pulsato di
elettroni capace di produrre impulsi fino a 50KeV con correnti di 20KA e di una durata di50 ns.
Sono stati irraggiati diversi sistemi binari Si-metallo a diverse densità di energia e si è trovato che il modello che bene interpreta i dati sperimentali si basa sull'esistenza di uno strato liquido alla interfaccia Si/metallo quando la temperatura raggiunge in essa il valore corrispondente al punto eutettico più basso nel diagramma di fase del sistema considerato.
2.4 Studio dei meccanismi fisici attivi nei processi di interazione ione-materia
2.4.1 Impiantazione ionica
# Sono state studiate, in collaborazione con la SGS-Thomson, le proprietà cinetiche e
termodinamiche dello strato di silicio impiantato per elevate dosi e correnti di impianto sia in atmosfera inerte che ossidante. L'indio e l'arsenico sono le specie atomiche impiegate essendo droganti di tipo p ed n rispettivamente nel Si e quindi di grande interesse applicativo.Le analisi sono state condotte ad elevate temperature (>950°C) per la rimozione dei difetti da impianto nello strato impiantato e per assicurare quindi una indipendenza delle proprietà fisiche dello strato impiantato dalla temperatura di rinvenimento. E' stato proposto un modello semiempirico per interpretare i dati della diffusione dell'arsenico nel Si in atmosfera ossidante.
# E' stato avviato un approfondito studio sui processi di ricristallizzazione dello strato impiantato e della attivazione elettrica dello ione impiantato per droganti classici (P e B) e non (BF2,Si).
E' stato dimostrato che per ottenere la totale ricristallizzazione a bassissimo contenuto di difetti dello strato impiantato e la totale attivazione elettrica "del B e del P con trattamenti termici post impianto a basse temperature (500-600°C) è necessario:
(i) mantenere il substrato durante l'impianto a temperature criogeniche (80K),
(ii) utilizzare dosi di impianto tali da ottenere la totale amorfizzazione dello strato impiantato.
Diodi a giunzione p-n realizzati su Si ad elevata resistività con questo processo mostrano un andamento corrente-tensione quasi canonico con bassi valori della corrente inversa.
# Sono stati studiati nuovi processi basati sull'impiantazione ionica per realizzare contatti ohmici non iniettanti in diodi all'Arseniuro di Gallio semi-isolante.
La specie impiantata è il Si, che è un donore shallow nel GaAs, e sono stati ottimizzati i parametri di impianto (energia, dose, temperatura post-impianto, etc,.) al fine di non indurre difetti cristallografici nel volume del materiale.
A tale fine sono state messe a punto diverse tecniche di spettroscopia di giunzione quali il Photo
Deep Leve! Transient Spectroscopy e l'Optical ed Electron Beam Induced Current per una caratterizzazione elettrica dei difetti cristallografici elettricamente attivi presenti nel materiale.
Queste, unitamente a quella della corrente termicamente stimolata, hanno permesso una accurata indagine della qualità cristallografica del materiale prima e dopo impianto e di identificare nel processo di rinvenimento post-impianto ,quello più critico nel causare il peggioramneto delle caratteristiche I/V del diodo Schottky realizzato sul GaAs.
I diodi a barriera Schottky realizzati con questo contatto ohmico non iniettante possono sopportare tensioni inverse molto maggiori di quella necessaria per lo svuotamento senza andare in rottura.
Questa possibilità ne ha permesso l'impiego come rivelatori della radiazione ionizzante con il 100% di efficienza di raccolta della carica.
Il processo ,sviluppato in collaborazione con la divisione ricerche dell' ALENIA SYSTEM, è sotto Patent.
2.4.2. Danno da particelle adroniche
# Nell'ambito della collaborazione RD8 del CERN, è stato condotto un approfondito studio teorico-sperimentale degli effetti dell'interazione protoni-GaAs, sulle proprietà di rivelazione della radiazione ionizzante di rivelatori realizzati su GaAs semi-isolante. Si è dimostrato che il degrado osservato nelle proprietà di rivelazione dopo irraggiamento con protoni da 24GeV/c e
fluenze di 1014 p/cm2, è dovuto alla elevata sezione d'urto del GaAs per protoni di quella energia con formazione di difetti cristallografici del tipo antisite agenti come centri di cattura profondi.
2.5 Analisi e interpretazione delle proprietà ottiche di siliciuri realizzati in forma poli e monocristallina
# Sono stati studiati in collaborazione con il Dipartimento di Fisica dell'Università di Pavia le proprietà ottiche di siliciuri metallici e semiconduttori con misure di riflettività e
trasmissione.L'analisi è stata condotta a temperatura ambiente su siliciuri poli e monocristallini in un ampio intervallo di energia fotonica in modo da potere distinguere il contributo intrabanda (bassa energia) da quello interbanda (alta energia) nella risposta ottica. I risultati hanno mostrato
che, in tutti i siliciuri esaminari, la risposta da cariche libere si sovrappone anche a basse energie ad un fondo di transizioni interbanda e che questo comportamento può essere ben interpertato con la distribuzione degli stati elettronici in prossimità dell'energia di Fermi ottenuta sia teoricamente che sperimentalmente. Sono stati determinati i valori della frequenza di plasma e del tempo di rilassamento tramite l'analisi di Drude della funzione dielettrica. Da questi sono stati dedotti i valori di conducibilità ottica in ottimo accordo con quella dedotta da misure di resistività e sono stati stimati i valori della costante di accoppiamento elettrone-fonone. Misure di riflettività nel medio e vicino infrarosso hanno permesso di verificare il comportamento semiconduttore del CrSi2
e del FeSi2 e per il CrSi2 di correlare le strutture di riflettività con i modi propri di vibrazione del cristallo.
2.6 Rivelatori nucleari a semiconduttore e semi-isolante
# Questa linea di ricerca ha come obiettivo principale Io studio di soluzioni progettuali, della realizzazione e del test:
i) di rivelatori al CdTe, al SiC e al diamante per spettrometria alfa, beta, X e gamma,
ii) di rivelatori al Si, al GaAs e al SiC con geometria a microstrip a doppia faccia e a pixel per applicazioni di tracciatura di precisione in Fisica della alte energie (CERN) per imaging digitale in Fisica Medica ed in applicazioni industriali.
Con tecniche di conteggio, del tempo di volo e con misure di correnti termicamente stimolate m regime di carica spaziale sono stati determinati i parametri che caratterizzano il rivelatore della radiazione ionizzante, quali:
a) il cammino libero medio dei portatori di carica,
b) la densità e l'energia dei centri di cattura per elettroni e lacune, c) l'energia di formazione della coppia elettrone-lacuna,
d) l'efficienza di raccolta della carica ed il potere risolutivo in energia.
Per il Si e il GaAs sono stati determinati i parametri ottimali di processo per la realizzazione di giunzioni p-n e Schottky rispettivamente ,caratterizzate da bassa corrente inversa, da un buon coefficiente di idealità e da una bassa capacità elettrica.
Sono stati realizzati i primi prototipi di rivelatori a microstrip a singola faccia e le prove sotto fascio (muoni da 50GeV e pioni da 70 GeV) presso gli acceleratori di Serpukov (Russia) e del CERN hanno dato buoni risultati sulla risoluzione in energia (20KeV) e sul rapporto
segnale/rumore (9 per il Si e 7 per il GaAs). Per il Si è stato fatto anche uno studio di fattibilità per la realizzazione di rivelatori con geometria a pixel e a microstrip a doppia faccia.
Con il GaAs semi-isolante è stato quantificato il contributo al rumore elettronico, principale fattore limitante la risoluzione in energia, dovuto alla corrente inversa ed ai processi di cattura degli elettroni e delle lacune. Il primo può essere annullato operando a basse temperature (-30°C) o, all'ambiente, utilizzando microrivelatori , tipicamente (200x200)micron2; il secondo può essere contenuto mediante una appropriata scelta del materiale su cui realizzare il microrivelatore.
Sono state realizzate matrici (6x6) di microrivelatori e sono state acquisite le primi immagini di fantocci utilizzando raggi X da 20 e 60Ke V.
E' stato fatto anche uno studio di fattibilità sull'integrazione del microrivelatore e della elettronica
di front - end sullo stesso chip di GaAs semi-isolante.
Questa linea di ricerca è stata condotta in collaborazione con la SGS-Thomson di Agrate Brianza, la ALENIA-SYSTEM di Roma, il MASPEC di Parma, il CERN di Ginevra e diverse sezioni I.N.F.N. (Bo, Mi, Fi, Pi, To, Pd) ed unità I.N.F.M. (Bo, Pv).
Nel 2003 si è iniziato lo studio delle proprietà del carburo di silicio (4H-SiC) cresciuto epitassico sul substrato 4H-SiC di tipo n come rivelatore della radiazione ionizzante operante in ambienti ad elevata temperatura ( 300°() e in presenza di elevata radiazione di fondo ( tipicamente alla dose di 10 16 particella/cm2). Lo studio è stato condotto in ambito I.N.F.N. gruppo V in
collaborazione col Politecnico di Milano, con l'Università di Torino, Bologna, Padova e Firenze, con il centro di ricerca Selex-51 di Roma e con il centro IMM del CNR di Bologna e Catania. I rivelatori sono stati realizzati in diverse configurazioni geometriche a seconda della loro particolare applicazione:
a) Nella semplice configurazione planare per lo studio della efficienza di raccolta della carica elettrica generata da particelle adronich� (principalmente alfa, protoni e neutroni) di diversa energia (2 - 7 MeV), da radiazione X e y e da particelle beta al minimo di energia di ionizzazione e per lo studio del danno da radiazione indotto da neutroni lenti e protoni ad elevate dosi (tipicamente 1016 particella/cm2)
b) Nella configurazione di griglie coplanari per lo studio della risposta del rivelatore alla radiazione UV per lunghezze d'onda nell'intervallo 230-400 nm,
c) Nella configurazione di pixel, tipicamente di 200 µm x 200 µm, per applicazioni nel campo dell' imaging ad elevata risoluzione spettrale e spaziale.
Si allega uno schema esemplificativo del progetto di ricerca sulla resistenza al danno di radiazione con neutroni lenti da 1 MeV di energia e di elevata dose (1016 n/cm2) e sulla proprietà del
rivelatore utilizzato come fotodiodo con luce di lunghezze d'onda nell'UV.
Lo studio ha portato alla stesura di un lavoro di rassegna su invito di 25 pagine dal titolo "Silicon Carbide and its use as a radiation detector materiai" pubblicato nel 2008 sulla rivista
internazionale Measurement Science Technology Voi. 19. Lavoro che a tutt'oggi ha avuto 70 citazioni su riviste internazionali quali Electronic Materials Letters (2018), Thin Solid Films (2017), Journal of Applied Physics (2017), IEEE Trans. on Nuclear Science (2014).
Ionizing radiation semiconductor detectors
Partecipants: F.Nava, G.Verzellesi
The activity was oriented to the project and realization ofhigh energy and spatial resolution silicon carbide and silicon ionizing radiation detectors. The activity is coordinated within the INFN-Modena and Reggio Emilia University scientific collaboration and the SiCPOS experiment supported by section V ofNational
Institute of Physics (INFN). Results published in 2006 can be summarized as follows.
i) development and realization of semiconductor Schottky barrier nuclear detectors on epitaxial silicon carbide of 4H polytype in different suitable geometries, such as simple planar device, coplanar grid, microstrip and pixelled array detectors and drift detectors;
ii) electrical and optical characteri;z:ation by current-voltage, capacitance
voltage and nuclear spectroscopy measurements of Schottky barrier diodes realized on 4H-SiC epitaxial layers with thickness and dopant concentration of 50 µm and 5x10
14cm-
3,respectively;
iii) study of the radiati on resistance of epitaxial 4H-SiC and nuclear-radiation detectors based on 4H-SiC films by irradiatinf the detectors with lMeV neutron at fluences ranging from 10
13to 10
1n/cm2 .. The induced defects, acting as electron and hole trapping centers, have been electrically
characterized by means of junction spectroscopy techniques such as DL TS and PICTS. The trapping centers which play the main role in the
degradation has been identified in the defect comples involving carbon vacancy and carbon and silicon vacancy
iv) responsivity measurements of 4H-SiC epitaxial SiC Schottky barrier diodes used as UV photodiodes as a function of the wave length ranging from 200 to 400 µm.
Project running during 2004-2006
MIUR-PRIN 2004 n.2004027857 "Development of an integrated SiC/GaN system for the spectrometry of the ionizing radiati on at and above room temperature".
SiCPOS experiment- INFN section V" Development of epitaxial-SiC microstrip detectors for high spatial resolution applications ".
Conferences
MRS Spring meeting, S.Diego, USA, October 2006 (invited talk) ECSCRM 2006, Newcastle, UK, September 2006.
Main collaborations:
A.Cavallini (University of Bologna); M.Bruzzi, S.Sciortino, A.Vinattieri (University ofFirenze); F.Moscatelli,A.Scorzoni (University of Perugia); G.Bertuccio, A.Pullia (Politecnique of Milano); E.Vittone,C.Manfredotti (University of Torino );S.Pizzini (University of Milano-Bicocca); R.Nipoti (CNR-IMM of Bologna);G.Foti and L.Calcagno (University ofCatania); F,La Via (CNR-IMM of Catania);
A.Cetronio,C.Lanzieri (Selex-SI of Roma); A.A,Lebedev (loffe Institute, St.Petersburg, Russia); G.Wagner (IKZ, Berlin, Germany).
Main research products
- F.Nava et al.," Radiation detection properties of 4H-SiC Schottky diodes
irradiated up to 10
16n/cm
2by lMeV neutrons", IEEE Trans. on Nucl. Science
53 (2006),2977.
2. 7 Sensori di gas ossidanti e/o riducenti a film sottile con polimeri
# Questa linea di ricerca è stata avviata di recente in collaborazione con il Dipartimento di Chimica organica dell'Università di Modena ove i derivati tiofenici vengono realizzati ed è principalmente indirizzata alla realizzazione e caratterizzazione di film sottili attivi per monitoraggio ambientale.
I film sottili sono ottenuti o per elettrodeposizione su elettrodi di Pt o per centrifugazione di soluzioni liquide di polimeri su appositi supporti isolante vetrosi o ceramici.
I contatti elettrici di tipo interdigitale e non ,sono realizzati direttamente sul film sottile per semplice metallizzazione del polimero con appropriate maschere metalliche ed utilizzando diversi metalli (Au,Pd,Ni,Al) oppure per deposizione del film sottile di polimero sugli elettrodi suddetti realizzati su supporti ceramici.
I test elettrici vengono condotti in atmosfera controllata di 02 in argon e di Ii gassoso in azoto mediante misure di resistenza nel tempo e a diverse polarizzazioni del sensore.
2.8 Sviluppo di laboratori per la realizzazione di strutture di test e di tecniche diagnostiche
Questa attività ha avuto come obiettivo principale l'allestimento di laboratori ed apparecchiature per la realizzazione di strutture e dispositivi per test vari nonché di prototipi di rivelatori della radiazione ionizzante e di sensori di gas ossidanti con materiali polimerici e per lo sviluppo di nuove tecniche diagnostiche finalizzate allo studio delle proprietà fisiche della materia.Essa è stata condotta in collaborazione con lo INFN e lo INFM. In;particolare sono stati realizzati:
(.) un laboratorio in camera pulita (5000) dedicato ai processi fotolitografici per la realizzazione di microstrutture con risoluzione di 1.5 micron, dotato di un sistema di produzione di H20
deionizzata a l 8Mohm,
(.) un laboratorio per la deposizione di:
(i) film sottili metallici mediante cannone elettronico in alto vuoto pulito, (ii) film sottili isolanti per sputtering reattivo con magnetron a radio frequenza.
Il laboratorio è anche dotato di un sistema a scansione micrometrica per la misura delle
dimensioni delle strutture con risoluzione di I OA,: di un sistema di taglio di precisione con punta diamantata e di una saldatrice ad ultrasuoni per la contattatura elettrica dei dispositivi,
(.) un laboratorio per i trattamenti termici convenzionali in vuoto o in ambiente gassosos inerte e per trattamenti termici ultrarapidi (I00°C/s) in gas riducente o ossidante,.
(.) un laboratorio per misure I/V e C/V e DLTS in regime continuo o pulsato nell'intervallo di temperatura 80-550 K, in atmosfera inerte o in vuoto,
(.) un laboratorio per misure di resistività, del coefficiente Hall e di magnetoresistenza a basse (>IOK) e alte (<IOOOK) temperature. I sistemi di misura sono automatizzati sia nell'acquisizione dei dati che nella regolazione della temperatura,
(.) un apparato strumentale per misure automatizzate di grandezze elettriche del �rasporto in materiali ad alta energy gap,
(.) un laboràtorio per l' impiantazi6nè :ionica.
3. Progetti di ricerca nazionali e internazionali seguiti in qualità di
responsabile di unità di ricerca.
3.1 Progetto bilaterale Italia/USA
Titolo della ricerca: Proprietà di trasporto elettrico in composti Si-metallo e Ge-metallo a film Sottile.
Controparte: K.N.Tu, T.J.Watson Research Center, IBM, Yorktown Heights,N.Y.
3.2 Progetto bilaterale Italia/Francia, Comitato Nazionale CNR Scienze Fisiche
Titolo della ricerca: Proprietà termiche e di trasporto elettrico in composti Si-metallo massivi monocristallini
Controparte: R.Madar, LMPG-ENSPG, Grenoble, Francia.
3.3 Progetto bilaterale Italia/Giappone, Ministero Affari Esteri
Titolo della ricerca: Ridistribuzione di impurezze in Si-poly e monocristallino nella formazione di composti Si-metallo a film sottile
Controparte: I. Ohdomari, Waseda University, Tokio, Giappone.
3.4 Progetto bilaterale Italia/Francia, Ministero Affari Esteri
Titolo della ricerca: Misura del rumore elettronico e del coefficiente di diffusione longitudianle in Si di tipo p
Controparte: J.P.Nougier, CEES-CNRS, Montpellier, Francia.
3.5 Progetto bilaterale Italia/Olanda, Comitato Nazionale CNR Scienze Fisiche
Titolo della ricerca: Misura del rumore elettronico e del coefficiente di diffusione longitudianle in Si di tipo n
Controparte: R.J.J.Zijlstra, Laboratorio di Fisica, Rijksuniversiteit di Utrecht,Olanda.
3.6 Progetto bilaterale Italia/Olanda, Comitato Nazionale CNR di Scienze Fisiche Titola della ricerca: Studio della interfaccia Silsiliciuro mediante spettrometria RBS in
condizioni di channeling e blocking Controparte: F.Saris, FOM Institute, Amsterdam,Olanda.
3. 7 Progetto bilaterale Italia/URSS, Ministero Affari Esteri
Titolo della ricerca: Caratterizzazione elettrica di rivelatori nucleari su diamante e carburo di silicio iperpuri
Controparte: V. S. Vavilov,A.E.Konorova, S .F .Kozlov,Lebedev Institute, Mosca, URSS.
3.8 Progetto bilaterale Italia/USA, Comitato Ricerche Tecnologiche e Innovazione
Titolo della ricerca: Caratterizzazione elettrica e realizzazione di rivelatori di raggi gamma al CdTe
Controparte: F. Wald,R.Beld, Tyco laboratories, Wattham (Massachusetts), USA.
3.9 INFN, Roma
Titolo della ricerca: Development of hybrid and monolithic silicon micropattern detectors (RDJ9)
Controparte: E.H.M.Heijne, CERN, Ginevra, Svizzera.
4.0 INFN, Roma
Titolo della ricerca: Gallium Arsenide far vertex detectors (RD8)
Controparte: KM. Smith, Dipart. Di Fisica ed Astronomia, Univ. Di Glasgow, U.K.
and CERN, Ginevra, Svizzera.
4. Attività didattica
4.1 Attività svolta in qualità di Tecnico Laureato
- Esercitazionidi Fisica Generale II nei corsi di laurea in Fisica e Matematica della Facoltà di Scienze dell'Università di Modena negli a.a. 1969-71.
4.2 Attività svolta in qualità di Professore Incaricato
- Fisica (fondamentale) nel corso di laurea in Farmacia e Tecnologie Farmaceutiche della Facoltà diFarmacia dell'Università di Modena nell'a.a. 1970-71.
- Cibernetica e Teoria dell'Informazione (complementare) nel corso di laurea in Fisica e Matematica della Facoltà di Scienze dell'Università di Modena negli a.a. 1971-81.
Esperimentazioni di Fisica I (fondamentale) nel corso di laurea in Fisica della Facoltà di Scienze dell'Università di Modena nell'a.a. 1981-82.
4.3 Attività svolta in qualità di Professore Associato
Esperimantazione di Fisica I (fondamentale) nel corso di laurea in Fisica presso la Facoltà di Scienze dell'Università di Modena negli a.a. 1982-91,
Fisica I (fondamentale) per il corso di laurea in Ingegneria Meccanica e dei Materiali presso la Facoltà di Ingegneria dell'Università di Modena negli a.a. 1991-93,
Fisica Generale II (fondamentale) per il corso di laurea di Ingegneria Informatica presso la Facoltà di Ingegneria dell'Università di Modena-Reggio Emilia dall'a.a. 1993 all'a.a. 2016.
Fisica 2° per gli IEI dell'Accademia Militare di Modena negli anni 2013 e 2014.
Fisica Il° modulo per gli IEI della Accademia MiliJare di Modena dall'a.a. (2000 a tutt'oggi.
4.4 Scuole e Seminari
(a) Seminari a scuole e convegni scientifici
1985. VIII Corso del seminario scientifico Tecnico di Lecce,"Rutherford backscattering ad alta risoluzione ".
1988. Workshop sui Nuovi Superconduttori ad alta temperatura critica (SATT 1) organizzato dal settore Metalli e Basse Temperature del GNSM-CISM,( Vietri-Sa).
1988. Convegno scientifico annuale del settore Metalli e Basse Temperature, Sezione superconduttività del GNSM-CISM , (Capo d'Orlando-Me)," Dipendenza delle proprietà strutturali dalla stechiometria del! 'ossigeno nel YBa2Cu30x ".
1989. Workshop sui Nuovi Superconduttori ad alta temperatura critica (SATT 2) organizzato dal settore Metalli e Basse Temperature del GNSM-CISM, (Roma), "Kinetic analysis o/ oxygen diffusion in superconducting YBa2Cu301-x oxides" e "Evidence of a resistivity gap in tetragona!
YBa2Cu306+x ".
1996. "GaAs Detectors Operated in Quantum Pulse Mode" presented at the Intem.Advanced School L.da Vinci New Detectors for Radiation Measurements and Realated Applications, 1ESRE-CNR, Bologna-Italy, 5 June.
(b) Seminari presso centri di ricerca nazionali
1989. Dipartimento di Fisica di Genova, " Studio del trasporto elettrico in composti SiJvfy (M=metallo) ".
1990. IESS-CNR, Roma, ··'Trasformazioni di fase indotte in leghe amorfe SiJvfy da processi termici ultrarapidi".
1990. Dipartimento di Fisica di Modena nell'ambito di una European School on
Silicides:Contacts and Gates for VLSI (Euroform Wall Free University) ," Metallurgy of the Contacts ".
1991. Seminari di Ateneo presso il Dipartimento di Fisica dell'Università di Modena,
"Trasporto elettrico in film sottili di composti silicio-metallo" e "Proprietà elettriche del! 'interfaccia silicio/siliciuro ".
(c) Seminari presso centri _di ricerca internazionali
1985. IBM T.J.Watson Research Center, Yorktown Heights,N.Y.," Electrical transport properties oj semiconducting CrSi2 and FeSi2 ".
1985. Department ofMaterial Science and Engineering, Comell University, Ithaca, N.Y.,"
Electrical transport properties oj metal silicides ".
1987. AT&T Bell Laboratories, Murray Hill,N.J., ''Metastable phase jormation in tungsten
silicon and titanium-silicon thin .films ".
1980. FOM Institute for Atomic and Molecular Physics, Amsterdam ,Olanda," Electrical
properties of the metal-semiconductor interface with particular emphasis on barrier formati on".
5. Relazioni ad invito
1986. Convegno Scientifico annuale del Settore Semiconduttori, Sezione superficie ed interfacci e -INFM,Roma," Stati elettronici al! 'interfaccia Silsiliciuro".
1988. Convegno Scientifico annuale del Settore Semiconduttore, Sezione Dispositivi e Problemi connessi- INFM, Parma," Processi termici ultra rapidi".
1989. Intemational Workshop on Metastable Metallic phases: principles and applications - INFM, Torino," Cristallization and microstructure of metallic silicide thinfilms".
1989. Congresso della Società italiana di Fisica, Cagliari," Elettronica e Fisica Applicata".
6. Collaborazioni scientifiche
IBM T.J.Watson Research Center, Yorktown Heights, N.Y. (USA).
Hughes Research Laboratories, California (USA).
California Institue of Technology,Pasadena,California (USA).
Tyco Laboratories, Massachusetts (USA).
Comell University, Ithaca, N. Y. (USA).
Sandia National Laboratorie, Livermore, CA (USA).
P.N.Lebedev Physical Institute, Mosca (USSR).
Academy of Science, Vilnius (USSR).
CEES-CNRS, Montpellier (Francia).
LMPG-ENSPG, Grenoble (Francia).
LEP Rijksuniversiteit, Utrecht (Olanda).
FOM Institut, Amsterdam (Olanda).
Max-Planck Institute, Stuttgard (Germania).
Technical University, Lyngby (Danimarca).
LPA-EPF, Lausanne (Svizzera).
CERN, Geneve (Svizzera).
Dept. of Physics, University of Sheffield,Sheffield (U.K.).
Dept. of Physics and Astronomy, University of Glasgow, Glasgow (U.K.).
Center ofElectronic Materials,UMIST,Dept. of Physics,Manchester (U.K.).
Physikalisches Institut,R WTH Aachen,Aachen (Germania).
Albert-Ludwigs-University, Faculty of Physics,Freiburg (Germania).
CNR-LAMEL, Bologna.
CNR-MASPEC, Parma.
CNR-IEES, Roma.
CNR-IME, Lecce.
IRST, Trento.
ITM, Milano.
ALENIA-System, Roma.
SGS-Thomson, Agrate Brianza.
CISE, Milano.
INFN, Laboratori Nazionali di Legnare.
Politecnico di Milano.
Università di Bologna, Dipart. di Fisica-INFM.
Università di Bari-INFN.
Università di Modena,Dipart. di Mineralogia.
Università di Modena, Dipart. di Chimica Organica.
Università di Modena, Dipart. di Scienze dell'Ingegneria.
Università di Lecce, Dipart. di Fisica-INFM.
Università di Pavia, Dipart. di Fisica-INFM.
Università di Pavia, Dipart. di Elettronica-Ingegneria.
Centro di Radiochimica, Pavia.
Università di Torino,Ist. di Fisica Sperimentale-INFM.
Università di Pisa, Dipart. di Fisica-INFN.
Università di Udine, Dipart. di Fisica-INFN.
Università di Torino,Ist. di Chimica Generale.
Università di Genova, Dipart. diFisica-INFM.
Università di Firenze, Dipart. di Energetica-INFN.
7. Partecipazione a Congressi Internazionali con presentazione di Lavori scientifici.
1) 12th Interrt. Conf. on the Physics of Semiconductor, Stoccarda (Germania), 1974.
2) 13thlntem. Conf. on the Physics of Semiconductoi, Roma, 1976.
3) 14th Intem. Conf on the Physics of Semiconductor, Edimburg (U.K.), 1978.
4) 9th ESSDERC, Monaco (Germania), 1979.
5) Intem. Thin Film Sympos. Ofthe Electrch. Society, Los Angeles (USA), 1979.
6) 8th Intem. Vacuum Congress, Cannes (Francia), 1980.
7) Intem. Thin Film Sympos. of the Electroch. Soc., Minneapolis (USA), 1981.
8) 5th Intem. Conf. on Thin Film, Herzlia (Israele), 1981.
9) 4th European Conf. on the Surface Science, Munster (Germania), 1981.
1 O) Intem. IBM Europe Conf. on VLSI-Science, Courchevel (Francia), 1982.
11) Intem. Symposia ofthe Materiai Research Soc., Boston (USA), 1985.
12) 1th European Confer. On the metal refractory silicides, Firenze, 1986.
13) 2th European Conf. on metal refractory silicides, Aussoi (Francia), 1987.
14) Meeting of American Metallurgica! Soc. ,Phoenix (USA), 1988.
15) Spring meeting ofthe Material Research Soc., San Diego (USA), 1989.
16) 20th Intem. Conf. on the Physics of Semiconductor, Thessaloniki (Grecia), 1990.
17) 2th Intem. Workshop on silicon pixel detectors for particle and X-rays, Leuven (Belgio);l990.
18) 4th European Confer. on the metal refractory silicides, Saltsiobaden (Svezia), 199 l.
19) EUROSENSOR V, Roma 1991.
20) 7th Intem. Workshop on room temperature semiconductor X and gamma rays detectors and Assoc. Electronics, Ravello, 1991.
2l) Intem. Sympos. on Semiconductor detectors, Milano, 1992.
22) 3rd Intem. Conf. on Advanced technology and particle Physiscs, Como, (1992).
23) 10th Intem. Congress on Codensed Matter, Delfi (Grecia), (1994).
24) Intem. Confer. on Sensors and Microsystems, Roma, (1996).
25)IEEE SIMC-9, Confer. on Semiconducting and Insulating Materials, Toulouse (Francia),1996.
26) III Intem. Work. on Semiconductor pixel detectors for particle and X-rays, Bari, (1996).
27) GAAS 96,4th European Gallium Arsenide and related III-V compounds applications Sympos., Parigi (Francia),(1996).
28) 4th lnt. Workshop on Gallium Arsenide and Related Compounds, Glasgow, Scotland (1996).
29) GAAS 97, 5th European Gallium Arsenide and related III-V compounds applications Sympos., Bologna, (1997).
30) 6th Int. Conf on Nuclear microprobe Technology and Applications (ICNMTA'98),Stellenbosch,South Africa (1998).
3l)M.R.S. Fall Meeting,Boston, USA (1998).
32) GaAs Reliability Workshop (JEDECJC-14.7), Atlanta-Georgia,USA (1998).
33) 2nd Int. Conf. on Radiation Effects on Semiconductor,Materials,Detectors and Devices,Firenze (1998).
34) VI Inter. Conf on Advanced Technology and Particle Physics, Como (1998).
