Elettronica - Riassunto
Andrea Minetti - andrea.minetti@gmail.com
May 3, 2011
Liberamente ispirato dal riassunto di Guarnerio Buono studio
Andrea
1 MOSFET
1.1 nMOS
interdetto
VGS< VT ohmico
VGS> VT e VGD > VT
saturo
VGS> VT e VGD < VT
1.2 pMOS
interdetto
VSG< |VT| ohmico
VSG> |VT| e VDG > |VT| saturo
VSG> |VT| e VDG < |VT|
1.3 k MOSFET
k = 1 2µCox
W L
mA
V2
Con
µ: capacit`a di portare corrente a dipendenza del drogaggio, Cox: capacit`a ossido,
W : larghezza (width), L: lunghezza (length)
1.4 overdrive
nMOS
VOV = VGS− VT
pMOS
VOV = VSG− |VT|
1.5 I
Dsaturo
kVOV2 ohmico
2kVOVVGD nMOS 2kVOVVDG pMOS
1.6 R
chRch= 1 2kVOV
1
2 Amplificatori
2.1 Transconduttanza
gm =Iout
Vin
A V
= 1 Ω
nei MOS
gm = 2ID VOV
approssimazione per piccolo segnale
iD= gm ∗ vGS con pMOS invertire GS con SG Condizione di piccolo segnale
vGS<< 2VOV con pMOS invertire GS con SG
3 Logica Digitale
3.1 Tempo di pull-up/down
Da calcolare con il transitorio
Vout= (V0− V∞)etpuτ + V∞
quindi
tpu= −τ ln Vout− V∞
V0− V∞
3.2 Frequenza massima di funzionamento
fM AX = 1 2tpu+ 2tpd
4 Potenza
4.1 Statica
Con segnali costanti
P = VDDIT OT
4.2 Dinamica
P = CLVDD2 f
5 Diodi
Sono accesi quando la loro tensione in continua `e maggiore di 0,7V (generalmente). Quando accessi si comportano come generatore di tensione da 0,7V nel senso inverso alla corrente.
5.1 Transitori
Considerare sempre il transitorio completo (anche quando esce dalle condizioni di diodo acceso) e calcolare poi il punto di intersezione con la retta d’accenzione
Si ricorda
(V0− V∞)e−tτ + V∞
5.2 Potenza
P = 0.7 ∗ ID
2
