CAPITOLO 4
4.1 Analisi statistica del campo elettrico riflesso all’interfaccia al variare della permittività dielettrica
In questo paragrafo si concentra l’attenzione sull’andamento del campo elettrico alla superficie di incidenza al variare della permittività relativa
r. Si considera uno degli ambiente di più comune interesse cioè quello caratterizzante scenari urbani, in cui abbiamo assunto come valore di conducibilità elettrica caratteristico =0.0001 S/m. Note le d.d.p. delle componenti di | | nelle due polarizzazioni, attraverso il passaggio intermedio di approssimazione di queste con opportune funzioni analitiche di tipo esponenziale, si ricavavano le corrispondenti d.d.p. associate ai campi elettrici. Tali quantità, valutate sulle superfici di riflessione sono ricavate applicando il teorema della trasformazione di variabili casuali [5]. Questa trasformazione è lecita in quanto entrambe le d.d.p. in esame sono continue e monotone. Queste considerazioni sono svolte trascurando il contributo di fase dei campi, poiché dalle simulazioni, si riscontra che la variazione delle fasi in relazione a
rè trascurabile. Infatti, dallo studio delle rispettive d.d.p. , si nota come la distribuzione sia concentrata intorno al valore 180° nel caso di polarizzazione perpendicolare e nell’intorno di 0°
nel caso di polarizzazione parallela, con angoli di incidenza minori di quello di Brewster e nell’intorno di 180° per angoli maggiori.
L’espressione che permette la trasformazione di variabile dal modulo del coefficiente di riflessione in polarizzazione parallela al modulo del campo elettrico all’interfaccia nella stessa polarizzazione è riportata di seguito :
1 ( )
( )
( )
' ( )
par par
par par
par E par
par
g E
f
f E
g
− Γ
Γ =
= Γ
Γ (4.1)
L’approssimazione della d.d.p. del modulo di
parè data dalla funzione esponenziale (4.2) con
coefficienti e opportuni, successivamente riportata:
( ) exp( * )
par par par
f Γ Γ = α Γ ζ (4.2)
La relazione che lega il modulo del campo elettrico e il modulo del coefficiente di riflessione nella stessa polarizzazione è la seguente:
E R
par= E z i Γ par 2 + Γ E x par i 2 (4.3)
dove il campo riflesso all’interfaccia è stato valutato approssimando l’onda incidente con un’onda piana (ipotesi sempre valida localmente).
Da questa formula si ricava l’espressione inversa di |
par| in funzione di |E
par|:
2
2 2 2 2
par par
R R
par z i x i i z x i
E E
E E E E
Γ = =
+ + (4.4)
Da notare come la relazione che lega |
par| a |E
par| sia di proporzionalità, motivata dalla scelta di considerare un unico raggio riflesso dalla superficie incidente e di trascurare i contributi di fase, in questo contesto statisticamente poco significativi.
Infatti, come abbiamo osservato, nell’intervallo di osservazione e per le ipotesi iniziali assunte, la fase non varia sensibilmente al variare dei valori di permittività, ma è concentrata, per ogni situazione considerata, intorno ad un solo valore. Questa caratteristica ci ha motivato a considerare sufficientemente valida l’approssimazione
par=|
par|. Stesse considerazioni ci hanno a spinto a trattare analogamente le grandezze in polarizzazione perpendicolare.
La derivata g’(|
par|) rispetto a |
par| è definita dall’espressione:
( )
(
22 22)
2(
2 2)
' ( )
i i
z x par
i i
par z x
i i
z x par
E E
g E E
E E
+ Γ
Γ = = +
+ Γ (4.5)
Sostituendo le Eq. (4.5) – (4.2) in (4.1) otteniamo:
2 2
2 2
*exp *
( )
i i
z x
E E
par
par par par
i i
z x
E par
E E E
f E α ζ
+
Γ =
Γ +
= (4.6)
Analoga trattazione si può fare per la d.d.p. del modulo del campo elettrico riflesso in
polarizzazione perpendicolare in funzione della d.d.p. di |
perp|, ottenuta dalla trasformazione di variabili aleatorie riportata di seguitio:
1 ( )
( )
( )
' ( )
perp perp
perp perp
perp E perp
perp
g E
f E f
g −
Γ
Γ =
= Γ
Γ
(4.7)
Anche per l’analisi dell’andamento della d.d.p. di |
perp|, si considera la corrispondente funzione approssimante in forma chiusa definita da opportuni valori dei coefficienti e . Questi ultimi sono ricavati dalla minimizzazione del Chi-quadro nel test statistico corrispondente:
( ) exp( * )
perp
perp perp
f Γ Γ = γ Γ δ (4.8)
La relazione che lega |E
perp| a |
perp| è indicata di seguito:
E R perp = E i y perp Γ 2 = E i y Γ perp (4.9)
Da questa espressione si ricava |
perp| in funzione di |E
perp|:
perp R perp
i y
E
Γ = E (4.10)
La relazione che lega |
perp| a |E
perp| è ancora di proporzionalità, come nel caso già considerato di componenti in polarizzazione parallela.
La derivata g’(|
perp|) dell’espressione |E
perp|=g(|
perp|) rispetto a (|
perp|) è definita dall’equazione:
g ' ( Γ perp ) = E i y (4.11)
Sostituendo le Eq. (4.8) – (4.11) in (4.1) otteniamo:
( ) *exp (
perp* )
perp perp
perp iy
E perp i
y E
E
f E
E γ δ
Γ =
= Γ (4.12)
Con E
xi, E
yie E
zisi sono indicate le componenti del campo elettrico incidente secondo il sistema di riferimento cartesiano (O,x,y,z). Le loro espressioni sono riportate di seguito:
0
( ( ( ) ( ) ) )
0
exp cos
i
y i i i
E E j xsen z
r β ϑ ϑ
= − + (4.13)
0
( ) ( ( ( ) ( ) ) )
0
cos exp cos
x
i
i i i i
E E j xsen z
r ϑ β ϑ ϑ
= − + (4.14)
( )
0( ( ( ) ( ) ) )
0
exp cos
i
z i i i i
E sen E j xsen z
ϑ r β ϑ ϑ
= − − + (4.15)
Da tali espressioni si ricavano i rispettivi moduli:
0
i 0
y r
E = E (4.16)
( )
0
0 cos
x i r i
E = E ϑ (4.17)
( )
0
i 0
z i
r
E = E sen ϑ (4.18)
Con r
0abbiamo indicato la distanza del trasmettitore dal punto di incidenza.
Le Equazioni (4.4) – (4.9) evidenziano come il legame tra i moduli dei coefficienti di riflessione e i moduli dei campi all’interfaccia di incidenza, nelle rispettive polarizzazioni, sia di tipo proporzionale. Tale proprietà permette di concludere che, statisticamente, entrambe queste grandezze, con le ipotesi di validità assunte, hanno lo stesso comportamento esponenziale. Le quantità che varieranno sono solo le intensità dei rispettivi moduli e l’ampiezza del loro intervallo di definizione, facilmente calcolabili una volta nota la costante di proporzionalità che le lega.
4.2 Studio statistico del campo elettrico riflesso all’interfaccia al variare della conducibilità elettrica
In questo paragrafo si riportano le valutazioni in merito all’andamento del campo elettrico alla superficie di incidenza considerando variazioni della conducibilità elettrica. Anche in questo caso, come nella precedentemente sezione, si concentra l’attenzione su uno specifico ambiente, quello caratterizzante scenari urbani, in cui abbiamo fissato come valore di permittività dielettrica
r=3.
Note le d.d.p. delle componenti di | | nelle due polarizzazioni, attraverso il passaggio intermedio di approssimazione di queste con opportune funzioni analitiche definite come somme di delta e di esponenziali (Eq. 3.1), si ricavavano le corrispondenti d.d.p. associate ai campi elettrici. Tali quantità, valutate sulle superfici di riflessione sono ricavate applicando il teorema della trasformazione di variabili casuali [5]. Tale trasformazione è lecita anche in questo contesto in quanto entrambe le d.d.p. in esame sono continue e monotone a tratti, nei sottointervalli esaminati.
L’analisi attuata trascura i contributi di fase relativi ai campi, poiché dalle simulazioni, si riscontra
che la variazione delle fasi in relazione a è trascurabile. Le funzioni delta sono scalate
opportunamente nella loro ampiezza e traslate sul dominio di definizione in relazione alla
trasformazione di variabili da moduli dei coefficienti di riflessione a moduli di campi elettrici. Le
equazioni valide per le funzioni esponenziali che consentono la trasformazione di variabile dal
modulo del coefficiente di riflessione in polarizzazione parallela al modulo del campo elettrico
all’interfaccia nella stessa polarizzazione e quelle relative alla polarizzazione perpendicolare sono
ancora le Eq. 4.1 – Eq. 4.18 considerate con i relativi parametri opportunamente calcolati. Il
legame intercorrente tra i moduli dei coefficienti di riflessione e i moduli dei campi all’interfaccia
di incidenza, nelle rispettive polarizzazioni, è, quindi, di tipo proporzionale. Statisticamente, quindi,
gli andamenti dei moduli dei campi elettrici conservano lo stesso andamento esponenziale rispetto
alle d.d.p. dei , presentando variazioni rispetto a questi ultimi solo sulle intensità dei rispettivi
moduli e sull’ampiezza del loro intervallo di definizione. I parametri e relativi alle approssimazioni di E
pare di E
perpsono facilmente calcolabili noti quelli relativi a
pare
perpe nota la costante di proporzionalità che li lega.
4.3 Studio del campo elettrico sullo scenario
Il campo elettrico associato al raggio riflesso secondo la polarizzazione parallela in un punto Q dell’interfaccia, posto a distanza r
2dal punto di riflessione P, è espresso dalla formula (4.19):
1
(
2)
1 2
( ) ( ) exp
par par
R R
E Q = E P r r + r − j r β (4.19)
Il campo elettrico associato al raggio riflesso secondo la polarizzazione perpendicolare in un punto Q dell’interfaccia, posto a distanza r
2dal punto di riflessione P è espresso dalla formula (4.20):
1
(
2)
1 2
( ) ( ) exp
perp perp
R R