• Non ci sono risultati.

A.1 – Microscopio ottico APPENDICE

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Condividi "A.1 – Microscopio ottico APPENDICE"

Copied!
26
0
0

Testo completo

(1)

APPENDICE

Riportiamo di seguito una breve descrizione sul funzionamento dei tre strumenti

maggiormente adoperati in laboratorio e per quanto riguarda il pattern generator mostriamo

per completezza i file sorgente in linguaggio C con i quali vengono generati le maschere in

formato .wrt per definire le geometrie delle litografie a fascio elettronico.

A.1 – Microscopio ottico

Il microscopio ottico (OM) costituisce un tool molto importante per lo studio di

strutture micrometriche e resta tuttora di estrema utilità nonostante l’avvento di altre

tecniche di imaging più avanzate come SEM, TEM o AFM.

In dipartimento disponiamo di un microscopio DM 2500 M della Leica Microsystems situato

in camera gialla (chiamata così perché è un ambiente in cui si evitano componenti di luce

intorno al blu, in quanto foto/electron resist risultano sensibili a tali lunghezze d’onda).

Figura A.1: microscopio ottico Leica DM 2500 M nella camera gialla del laboratorio di tecnologie microelettroniche.

In un microscopio ottico l’oggetto sotto visione viene illuminato dalla luce (con lunghezze

d’onda appartenenti a tutto lo spettro visibile) focalizzata tramite una lente condensatrice

posizionata perpendicolarmente rispetto all’asse della lente obiettivo. Parte della luce viene

(2)

trasmessa attraverso il campione mentre la restante parte viene riflessa sulla lente obiettivo

che crea un’immagine ingrandita. Questa luce proveniente dall’obiettivo viene deviata, in

genere tramite un sistema di prismi, sia verso il piano focale dell’oculare (tipicamente

l’immagine risulta invertita) che verso una lente di proiezione dove viene formata

un’immagine su un array di fotodiodi CCD. Solitamente l’ingrandimento di un microscopio

ottico nel range del visibile può arrivare fino a X1500 con un limite teorico di risoluzione

all’incirca pari a 200 nm.

In laboratorio, considerato l’utilizzo principalmente per altri scopi, purtroppo si raggiungono

al massimo ingrandimenti X100 con un’apertura numerica di 0.90.

Per apertura numerica (NA) di un sistema ottico si intende il valore che caratterizza il

massimo angolo utile alla lente per ricevere ed emettere luce. La formula è la seguente:

NA = n∙sen(

ϑ

)

dove n rappresenta l’indice di rifrazione del mezzo in cui lavora la lente (1 per l’aria) e

ϑ

è la

metà dell’angolo del cono di luce che può attraversare la lente.

In tutto disponiamo di sei lenti d’ingrandimento: X2.5/5/10/20/50/100. La sorgente di luce è

una comune lampada alogena da 12 V/100 W.

A.2 – Microscopio a forza atomica (AFM)

L’AFM rappresenta la microscopia di terza generazione in quanto consente di ottenere

immagini tridimensionali di strutture superficiali su scala nanometrica. Il principio di

funzionamento è quello di misurare la forza presente tra una punta (probe) posizionata su un

cantilever e la superficie del campione situata molto in prossimità, solitamente tra gli 0.2 nm e

i 10 nm.

Il supporto, o cantilever, viene realizzato in silicio o nitruro di silicio (Si

3

N

4

) tramite tecniche

di micro-machining ed ha dimensioni del centinaio di micron in lunghezza, dieci μm in

larghezza e uno spessore di circa 1 μm. Al termine del cantilever si trova una punta molto fine,

sempre dello stesso materiale, di forma piramidale o conica che può raggiungere un raggio di

curvatura inferiore a 10 nm.

Figura A.2: a sinistra immagine SEM di un cantilever di silicio; a destra grafico dell’andamento della forza in funzione della distanza tra gli atomi della punta e quelli del campione [65].

(3)

La figura qui sopra a sinistra ne riporta un immagine al SEM mentre sulla destra è

rappresentata la configurazione di base per la gran parte degli AFM: come la distanza tra gli

atomi del materiale della punta e quelli della superficie in esame diventa piccola questi

possono iniziare ad interagire tra di loro e la forza d’interazione può risultare attrattiva (forze

di van der Waals) per distanze relativamente lunghe o repulsiva (dovuta alla repulsione

elettrostatica o da forze capillari) quando la distanza punta

L’ammontare di questa forza interatomica

costante elastica del cantilever e

quest’ultimo durante la scansione della punta

utilizzato è quello di misurare la variazione dell’angolo di riflessione

sulla superficie posteriore del cantilever

(PSPD, position sensitive photo

del movimento del campione lungo gli altri due assi X e Y (generato da attuatori piezoelettrici)

si genera un’immagine tridimensionale della superficie in questione. Inoltre il segnale

presente al PSPD viene utilizzato per stabilire una retroazione che controlla il movimento

verticale dello scanner durante la scansione linea per linea della punta sul campione.

Una semplice rappresentazione di quanto appena scritto è presente in figura A.3

notare anche la presenza dello scanner piezoelettrico triassiale convenzionale.

Figura A.3: schema generale di funzionamento di un microscopio AFM durante una scansione

In questa configurazione il movimento in una determinata direzione non risulta indipendente

da quello lungo un’altra direzione e ciò

L’AFM modello XE-100E della PSIA Corporation

nostro laboratorio elimina questo tipo di

scanner in X-Y da quello lungo l’asse Z

modo si rende anche migliore la velocità di risp

Rimangono da descrivere le tre possibili

Contact mode: lo studio della topografia del campione è condotto utilizzando la forza

repulsiva tra punta e superficie che risulta dell’ordine di

mantenuta costante tramite

costante la deflessione del cantilever

soprattutto per superfici rugose e permette velocità di scansione maggiori; di contro

a sinistra ne riporta un immagine al SEM mentre sulla destra è

rappresentata la configurazione di base per la gran parte degli AFM: come la distanza tra gli

atomi del materiale della punta e quelli della superficie in esame diventa piccola questi

iniziare ad interagire tra di loro e la forza d’interazione può risultare attrattiva (forze

di van der Waals) per distanze relativamente lunghe o repulsiva (dovuta alla repulsione

elettrostatica o da forze capillari) quando la distanza punta-campione è mol

uesta forza interatomica dipende, oltre che dalla distanza, anche dalla

costante elastica del cantilever e può essere rilevata monitorando la deflessione di

durante la scansione della punta sul campione. Il metodo p

misurare la variazione dell’angolo di riflessione di un fascio laser

del cantilever e riflesso verso un fotodiodo a quattro quadranti

(PSPD, position sensitive photo detector). Registrando la deflessione lungo l’asse Z in funzione

del movimento del campione lungo gli altri due assi X e Y (generato da attuatori piezoelettrici)

si genera un’immagine tridimensionale della superficie in questione. Inoltre il segnale

utilizzato per stabilire una retroazione che controlla il movimento

verticale dello scanner durante la scansione linea per linea della punta sul campione.

rappresentazione di quanto appena scritto è presente in figura A.3

scanner piezoelettrico triassiale convenzionale.

schema generale di funzionamento di un microscopio AFM durante una scansione

In questa configurazione il movimento in una determinata direzione non risulta indipendente

da quello lungo un’altra direzione e ciò crea problemi intrinseci di non linearità e cross

della PSIA Corporation, ora Park Systems (figura A.

a questo tipo di interferenza rendendo fisicamente separati lo

Y da quello lungo l’asse Z verticale comprendente anche il cantilever.

modo si rende anche migliore la velocità di risposta del sistema [65].

da descrivere le tre possibili tipologie di scansione di imaging AFM:

lo studio della topografia del campione è condotto utilizzando la forza

repulsiva tra punta e superficie che risulta dell’ordine di qualche nN.

ramite l’applicazione dell’anello di reazione

costante la deflessione del cantilever ossia la distanza tra probe

soprattutto per superfici rugose e permette velocità di scansione maggiori; di contro

a sinistra ne riporta un immagine al SEM mentre sulla destra è

rappresentata la configurazione di base per la gran parte degli AFM: come la distanza tra gli

atomi del materiale della punta e quelli della superficie in esame diventa piccola questi

iniziare ad interagire tra di loro e la forza d’interazione può risultare attrattiva (forze

di van der Waals) per distanze relativamente lunghe o repulsiva (dovuta alla repulsione

campione è molto piccola.

dipende, oltre che dalla distanza, anche dalla

do la deflessione di

. Il metodo più semplice ed

di un fascio laser puntato

e riflesso verso un fotodiodo a quattro quadranti

trando la deflessione lungo l’asse Z in funzione

del movimento del campione lungo gli altri due assi X e Y (generato da attuatori piezoelettrici)

si genera un’immagine tridimensionale della superficie in questione. Inoltre il segnale

utilizzato per stabilire una retroazione che controlla il movimento

verticale dello scanner durante la scansione linea per linea della punta sul campione.

rappresentazione di quanto appena scritto è presente in figura A.3, in cui si può

scanner piezoelettrico triassiale convenzionale.

schema generale di funzionamento di un microscopio AFM durante una scansione [65].

In questa configurazione il movimento in una determinata direzione non risulta indipendente

non linearità e cross-talk.

(figura A.5) presente nel

fisicamente separati lo

comprendente anche il cantilever. In questo

imaging AFM:

lo studio della topografia del campione è condotto utilizzando la forza

qualche nN. Questa viene

reazione in Z con cui si tiene

probe e campione. E’ utile

soprattutto per superfici rugose e permette velocità di scansione maggiori; di contro

(4)

può danneggiare la superficie d’interesse e la punta è maggiormente soggetta a usura o

possibile rottura.

Non contact mode: in questo caso, come suggerisce il nome, la punta non viene mai a

contatto con la superficie di scansione. Dato che si lavora a una distanza

punta-campione compresa tra 1 e 10 nm le forze in gioco dominanti sono quelle attrattive di

van der Waals che risultano però molto deboli e quindi difficili da misurare

direttamente attraverso la deflessione del cantilever. Per questo motivo il cantilever

viene fatto oscillare a una frequenza prossima a quella di risonanza intrinseca

(compresa tra 100-400 kHz) con un’ampiezza di vibrazione di qualche nanometro.

Quello che si va a rilevare è la variazione di fase o di ampiezza di questa oscillazione

indotta dalle forze di attrazione tra la punta e la superficie. Questa modalità non soffre

degli effetti di degradazione della punta riscontrati in contact mode.

Figura A.4: disegno concettuale delle due modalità contact – non contact [60].

Tapping mode: è un ibrido delle due modalità precedenti, il processing dell’immagine

è simile a quello con tecnica contact ma il cantilever viene fatto oscillare alla sua

frequenza di risonanza. Per realizzare l’immagine l’ampiezza dell’oscillazione viene

mantenuta costante e di conseguenza anche il tipo di interazione punta-superficie.

La distanza tra la punta e il campione varia tra 0.5 e 2 nm. Questo utilizzo è molto utile

per scansioni ad alta risoluzione su superfici facilmente danneggiabili.

(5)

A.3 – Sistema pattern generator (PG) / microscopio a

scansione elettronica (SEM) [58]

Affiancando ad un microscopio elettronico a scansione l’hardware di un pattern

generator capace di pilotare il sistema di deflessione X-Y del fascio proprio del microscopio si

ottiene uno strumento di litografia e-beam ad alta risoluzione. Le tensioni di controllo della

deflessione devono essere il più possibile precise, senza intromissione di disturbi e rumore.

Figura A.6: SEM JEOL JSF 6500F e pattern generator dell’Università di Pisa.

Dal punto di vista elettronico quindi il PG non è altro che un generatore di tensioni analogiche

ad alta precisione, che nel nostro caso utilizza convertitori digitali-analogici (DAC) a 18 bit a

basso rumore. Queste tensioni di pilotaggio devono essere proporzionali alle coordinate X ed

Y delle geometrie del layer da realizzare. Per layer si definisce un insieme di geometrie da

scrivere con un singolo passo di litografia, ossia con un solo file.

Per definire quest’ultimo può essere usato un qualsiasi strumento CAD di microelettronica

con file di uscita in formato GDSII da convertire poi in formato .wrt proprio del pattern

generator oppure, bypassando l’utilizzo del CAD, tramite semplice editor di testo inserendo le

direttive opportune che descriveremo tra poco.

Il software del PG deve trasformare le dimensioni delle geometrie in numeri adatti

all’hardware del sistema; il movimento del fascio, e quindi l’area di scansione, viene

scomposto in una griglia di punti discreti. Indichiamo con ∆X e ∆Y la distanza rispettivamente

sui due assi tra due punti adiacenti della griglia.

(6)

Queste distanze corrispondono all’incremento di una unità (LSB, least significant bit) del

numero in ingresso al convertitore digitale/analogico quindi in definitiva il numero di passi

disponibili in X ed in Y equivale al numero totale di LSB ossia 2

n

dove n è il numero di bit dei

convertitori. Occorre prestare attenzione al fatto che i valori di ∆X e ∆Y dipendono oltre che

dal numero di bit anche dal tempo di esposizione del resist e dalla dimensione dell’area di

scrittura (area di scansione del fascio) che viene impostata attraverso l’ingrandimento del

microscopio:

∆ 





2



∆ 



!

2



con S

X

e S

Y

ampiezze di scansione lungo l’asse X e Y.

Figura A.7: esempio di area di scrittura con geometria da realizzare decomposta nella griglia di punti in cui il fascio andrà a posizionarsi durante l’esposizione.

Le dimensioni dei passi sono state determinate sperimentalmente in passato facendo prove

con scritture di quadrati o linee ad un determinato ingrandimento con diversi tempi di

esposizione e misurando le dimensioni delle geometrie realizzate dopo lo sviluppo del resist.

Ad esempio, per le nostre scritture con ingrandimento a X100 avevamo che ∆X=5.2 nm e

∆Y=4.2 nm risultante quindi in un’area di scrittura di 1.36 mm (S

X

) per 1.1 mm (S

Y

).

Il software del PG dell’Università di Pisa (ebeam) con la relativa interfaccia grafica è stato

interamente sviluppato in linguaggio C ed è costituito da una serie di programmi che

consentono di svolgere le seguenti funzionalità:

convertire un file da formato binario GDS a .wrt;

caricare direttamente un file .wrt già convertito;

lanciare un processo di scrittura a 18 bit;

effettuare una calibrazione del sistema in X e Y;

lanciare un processo di scrittura veloce con architettura 16/18 bit;

acquisire immagini per l’allineamento di scritture successive.

Come accennato poco sopra si può evitare di caricare il file utile al PG per la litografia

passando attraverso la conversione dal file con estensione GDS producendo direttamente il

S

X

S

Y

X

(7)

formato .wrt con un qualsiasi editor di testo (WordPad, Emacs ecc.). Specifichiamo adesso nel

dettaglio come deve essere scritto un file del genere descrivendo inoltre il significato delle

direttive più importanti: la prima riga deve contenere obbligatoriamente la stringa

#WRITE18

mentre subito sotto vanno definiti in successione i parametri necessari per la scrittura

DELTA <∆X> <∆Y>

per inserire i valori di ∆X e ∆Y di cui parlavamo prima (in metri) conosciuti a priori;

DOSE <numero>

per indicare la dose di esposizione dell’electron resist, espressa in C/m

2

;

STEP <stepX> <step

Y

>

dove <stepX> e <stepY> devono essere due numeri interi compresi tra 1 e 255. Con questa

direttiva scegliamo ogni quanti punti della griglia posizionare il fascio di elettroni cioè anziché

muoverlo con passo di un singolo LSB (posizionandolo su ogni punto della griglia) possiamo

spostarlo di <stepX> LSB lungo X e di <stepY> passi in Y. Questo significa posizionarsi su una

griglia più grande diminuendo quindi la risoluzione. Ad esempio se si scrive STEP 6 4

indichiamo che la scrittura avverrà muovendo il fascio di 6 passi per volta in X e di 4 in Y;

TIME <T

dwell

>

con <T

dwell

> definito in secondi indica espressamente il tempo di esposizione. Questa direttiva

è facoltativa poiché una volta inseriti i valori sopra e misurata la corrente del fascio

(procedura da svolgere in maniera accurata immediatamente prima di ogni esposizione con

l’ausilio di una gabbia di Faraday sul portacampioni e di un picoamperometro) il programma

si calcola direttamente il T

dwell

attraverso la nota formula:

T

dwell

=Dose7∆XstepX · ∆YstepY9/I

;<=>

Se però viene indicata, questa direttiva prevale sugli altri parametri che risultano quindi

inessenziali per il calcolo del tempo di esposizione. In definitiva se ad esempio inseriamo

TIME 1.2e-05 il T

dwell

equivale a 12 µs qualunque sia la corrente del fascio e la

dose/stepX/stepY impostati.

Terminato il set di parametri utili per la configurazione della scrittura possiamo procedere

inserendo le direttive di descrizione delle geometrie che si dividono in:

LINEX <Xstart> <Xstop> <Y>

ascissa iniziale, ascissa finale, ordinata; linea orizzontale

con passaggio singolo del fascio;

LINEY <Ystart> <Ystop> <X>

ordinata iniziale, ordinata finale, ascissa; linea verticale con

passaggio singolo del fascio;

LINE <Xstart> <Ystart> <Xstop> <Ystop>

coordinate di partenza, coordinate di arrive;

linea qualsiasi con passaggio singolo del fascio;

BOX <Xdown-sx> <Ydown-sx> <Xup-dx> <Yup-dx>

coordinate dei vertici in basso a

sinistra e in alto a destra; geometria rettangolo;

BOUNDARY <n> <X1> <Y1> <X2> <Y2>… <Xn> <Yn>

numero

n

di

vertici

del

poligono e coordinate di ciascun vertice; geometria poligono generico;

PATH <n> <X1> <Y1> <X2> <Y2>… <Xn> <Yn> <t

h

>

numero n di punti della

spezzata, coordinate di ciascun punto e spessore t

h

della linea; linea spezzata qualsiasi con un

certo spessore;

(8)

geometrie si fa riferimento a un sistema di assi cartesiani (X,Y) rappresentante l’intera area di

scrittura con origine in basso a sinistra (vertice (0,0)) e limite massimo in alto a destra

(vertice (2

18

-1, 2

18

-1)).

Figura A.8: file trackfinali.wrt; notare la presenza della direttiva TIME per specificare espressamente il tempo di esposizione e della direttiva END per indicare la fine del file.

Nel caso specifico dei nostri file è stato sempre inserito un T

dwell

di 12 µs e sono state

utilizzate le seguenti geometrie:

croce.wrt: LINEX, LINEY sia per le braccia della croce che per i marker quadrati;

grafene01.wrt: LINEX, LINEY per le croci e i numeri; BOX per i marker di allineamento;

contatti-grafene.wrt: BOUNDARY sia per i pad che per le track;

trackfinali.wrt: LINEX, LINEY, LINE per tutte le track finali;

mascheraisolante.wrt: BOUNDARY, è un quadrato 90x90 µm.

Una volta disponibile il file per la litografia da mandare in scrittura è necessario predisporre il

SEM in modo da ottenere immagini che siano le migliori possibili. Avere delle buone

immagini, con un contrasto ben definito e senza problemi di astigmatismo significa definire

un fascio di elettroni ben focalizzato e quindi un’ottima risoluzione. Solitamente prima di

avviare la scrittura questa procedura di settaggio viene fatta posizionandosi sopra un

campione a perdere situato sul porta campioni appositamente per questa funzione.

Procedendo con la scrittura il software apre una finestra di visualizzazione grafica

(coincidente con l’area di scrittura) in cui vengono mostrate le geometrie definite dal file .wrt

caricato ed un’altra finestra in cui è possibile modificare per l’ultima volta i parametri di

esposizione (ricordiamo ancora che se nel file .wrt è presente espressamente la direttiva

TIME, impostare gli altri parametri non comporta alcun effetto sulla scrittura).

Se invece il pattern deve essere scritto sopra una struttura già esistente, prima di lanciare

l’esposizione è necessario eseguire l’operazione di allineamento andando a ritrovare tramite

imaging SEM i marker sacrificali che il sistema utilizza per riconoscere la posizione esatta del

campione (correzione di tutte le coordinate delle geometrie presenti nel file del processo di

(9)

scrittura attuale). Per una guida dettagliata sulla successione dei passi da svolgere e i relativi

tasti da selezionare durante

questa procedura si faccia riferimento al manuale apposito del pattern

generator ([58] capitolo 3, paragrafo 5).

In ogni caso, seguendo le indicazioni di conferma che compaiono sulle schermate del software

si arriva ad avviare la scrittura e iniziare il processo di esposizione: la geometria attualmente

in scrittura viene colorata di rosso mentre quelle già scritte risultano di colore verde; questo

consente di controllare lo stato di avanzamento della litografia.

A.4 – Codici C

A.4.1 – grafene01.c

# include <stdio.h> # include <stdlib.h> # define TEMPO 12e-6

5

# define NUMERO_CROCI_X 20 # define NUMERO_CROCI_Y 20

# define PASSOX 5800 //30 micron

# define PASSOY 7100 //30 micron

# define BRACCIOX 385 //2 micron

10

# define BRACCIOY 476 //2 micron

# define MEZZOQUADRATO 3000 //poco piu' di 15 micron int disegna_croce(long int centrox, long int centroy, FILE *fp)

{

15

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",centrox-BRACCIOX, centrox+BRACCIOX, centroy); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",centroy-BRACCIOY, centroy+BRACCIOY, centrox); }

int disegna_rettangolo_marker(long int centrox1, long int centroy1,long int centrox2,long int centroy2,FILE *fp)

20

{

fprintf(fp,"\nBOX %ld %ld %ld %ld",centrox1-(MEZZOQUADRATO/2), centroy1-(MEZZOQUADRATO/2), centrox1+(MEZZOQUADRATO/2), centroy1+(MEZZOQUADRATO/2));

fprintf(fp,"\nBOX %ld %ld %ld %ld",centrox2-(MEZZOQUADRATO/2), centroy2-(MEZZOQUADRATO/2), centrox2+(MEZZOQUADRATO/2), centroy2+(MEZZOQUADRATO/2));

25

}

# define SEGMENTOY 357 //1.5 micron

# define SEGMENTOX 288 //1.5 micron

30

int disegna_numero(long int startx, long int starty, int numero, FILE *fp) {

switch(numero){ case 1:

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX);

35

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty+SEGMENTOY, starty+SEGMENTOY*2, startx+SEGMENTOX); break; case 2: fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY);

40

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY*2); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx);

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty+SEGMENTOY ,starty+SEGMENTOY*2, startx+SEGMENTOX); break;

case 3:

45

(10)

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY*2); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX);

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld", starty+SEGMENTOY, starty+SEGMENTOY*2, startx+SEGMENTOX);

50

break; case 4:

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX);

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld", starty+SEGMENTOY, starty+SEGMENTOY*2, startx+SEGMENTOX); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty+SEGMENTOY,starty+SEGMENTOY*2,startx);

55

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY); break; case 5: fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY);

60

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY*2); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty+SEGMENTOY,starty+SEGMENTOY*2,startx); break; case 6:

65

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY*2); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX);

70

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty+SEGMENTOY,starty+SEGMENTOY*2,startx); break; case 7: fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX);

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld", starty+SEGMENTOY ,starty+SEGMENTOY*2, startx+SEGMENTOX);

75

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY*2); break; case 8: fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY);

80

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY*2); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty+SEGMENTOY,starty+SEGMENTOY*2,startx);

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld", starty+SEGMENTOY, starty+SEGMENTOY*2,startx+SEGMENTOX);

85

break; case 9:

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX);

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld", starty+SEGMENTOY, starty+SEGMENTOY*2, startx+SEGMENTOX); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty+SEGMENTOY,starty+SEGMENTOY*2,startx);

90

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY*2); break; case 0:

95

fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty); fprintf(fp,"\nLINEX %ld %ld %ld",startx,startx+SEGMENTOX,starty+SEGMENTOY*2); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty,starty+SEGMENTOY,startx+SEGMENTOX); fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld",starty+SEGMENTOY,starty+SEGMENTOY*2,startx);

100

fprintf(fp,"\nLINEY %ld %ld %ld", starty+SEGMENTOY, starty+SEGMENTOY*2, startx+SEGMENTOX); break;

}

(11)

}

105

void main(void) { FILE *fp; int i,j;

110

long int xstart,ystart; //coordinate di partenza per la scrittura delle croci

fp=fopen("grafene-croce.wrt","w"); if (fp == NULL) {

printf("\a\nErrore nell'apertura del file\n\n");

115

exit(1); } fprintf(fp,"#WRITE18");

fprintf(fp,"\nDELTA 5.2e-9 4.2e-9"); fprintf(fp,"\nDOSE 1.9");

120

fprintf(fp,"\n\n"); fprintf(fp,"\nSTEP 5 5"); fprintf(fp,"\nTIME %g",TEMPO);

125

fprintf(fp,"\n\n"); xstart=77000; ystart=62500; for(i=0;i<NUMERO_CROCI_X;i++) for(j=0;j<NUMERO_CROCI_Y;j++)

130

{ disegna_croce(xstart+i*PASSOX,ystart+j*PASSOY,fp); if(i<10) disegna_numero(xstart+i*PASSOX-SEGMENTOX-200, ystart+j*PASSOY+200,i,fp); if(i>=10)

135

disegna_numero(xstart+i*PASSOX+200, ystart+j*PASSOY+200,i-10,fp); if(j<10) disegna_numero(xstart+i*PASSOX-SEGMENTOX-200, ystart+j*PASSOY-SEGMENTOY*2-200,j,fp); if(j>=10)

140

disegna_numero(xstart+i*PASSOX+200, ystart+j*PASSOY-SEGMENTOY*2-200,j-10,fp); } fprintf(fp,"\nSTEP 12 12");

145

disegna_rettangolo_marker(38500,30000,41500,27000,fp); //coordinate X e Y: marker sx-basso disegna_rettangolo_marker(38500,232144,41500,229144,fp); //marker sx-alto

disegna_rettangolo_marker(223644,232144,226644,229144,fp); //marker dx-alto disegna_rettangolo_marker(223644,30000,226644,27000,fp); //marker dx-basso

150

fprintf(fp,"\n\nEND"); fclose(fp); }

155

(12)

A.4.2 – contatti-grafene.c

# include <stdio.h> # include <stdlib.h>

# define TEMPO 12e-6 //Tdwell

5

/*I QUADRANTI SONO NUMERATI IN SENSO ANTIORARIO PARTENDO DA QUELLO IN BASSO A SINISTRA I PAD SONO NUMERATI IN SENSO ANTIORARIO PARTENDO DA QUELLO CENTRALE IN BASSO (DA 1 A 6) LE TRACK SONO NUMERATE IN SENSO ANTIORARIO PARTENDO DA QUELLA IN BASSO (DA 1 A 4)*/

# define X1_4 132072 //coordinata x di partenza pad 1 e 4

10

# define Y1 50300 //coordinata y di partenza pad 1

# define Y4 209844 //coordinata y di partenza pad 4

# define X2_3 209344 //coordinata x di partenza pad 2 e 3

# define Y2_6 94450 //coordinata y di partenza pad 2 e 6

# define Y3_5 165450 //coordinata y di partenza pad 3 e 5

15

# define X5_6 54800 //coordinata x di partenza pad 5 e 6

# define PASSOX 5800 //30 micron, distanza tra le croci lungo x # define PASSOY 7100 //30 micron, distanza tra le croci lungo y # define MEZZOQUADRATO 3000 //poco piu' di 15 micron

20

# define MEZZOQUADRATOY 17300 //90 micron # define MEZZOQUADRATOX 23000 //120 micron

# define SPESSORE 800 //poco piu' di 4 micron, spessore track

int disegna_track_pad_updown(long int centrox, long int centroy, FILE *fp)

25

{

fprintf(fp,"\nBOUNDARY 4 %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld", centrox-MEZZOQUADRATO, centroy-MEZZOQUADRATO, centrox-centroy-MEZZOQUADRATO, centroy+2*centroy-MEZZOQUADRATO, centrox+centroy-MEZZOQUADRATO, centroy+2*MEZZOQUADRATO, centrox+MEZZOQUADRATO, centroy-MEZZOQUADRATO);

}

30

int disegna_track_pad_laterali(long int centrox, long int centroy, FILE *fp) {

fprintf(fp,"\nBOUNDARY 4 %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld", centrox-MEZZOQUADRATO, centroy-MEZZOQUADRATO, centrox-centroy-MEZZOQUADRATO, centroy+centroy-MEZZOQUADRATO, centrox+2*centroy-MEZZOQUADRATO,

35

centroy+MEZZOQUADRATO,centrox+2*MEZZOQUADRATO, centroy-MEZZOQUADRATO); }

int disegna_pad_contatti_laterali(long int centrox, long int centroy, FILE *fp) {

40

fprintf(fp,"\nBOUNDARY 4 %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld", centrox-MEZZOQUADRATOY, centroy-MEZZOQUADRATOX, centrox-MEZZOQUADRATOY, centroy+centroy-MEZZOQUADRATOX, centrox+MEZZOQUADRATOY, centroy+MEZZOQUADRATOX,centrox+MEZZOQUADRATOY, centroy-MEZZOQUADRATOX); { if(centrox==28500) //pad n°5 e n°6

45

disegna_track_pad_laterali(centrox+MEZZOQUADRATOY+MEZZOQUADRATO,centroy,fp); if(centrox==235644) //pad n°2 e n°3 disegna_track_pad_laterali(centrox-MEZZOQUADRATOY-2*MEZZOQUADRATO,centroy,fp); }

50

}

int disegna_pad_contatti_updown(long int centrox, long int centroy, FILE *fp) {

fprintf(fp,"\nBOUNDARY 4 %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld",

centrox-MEZZOQUADRATOX-55

MEZZOQUADRATO, centroy-MEZZOQUADRATOY, centrox-MEZZOQUADRATOX-MEZZOQUADRATO,

centroy+MEZZOQUADRATOY, centrox+MEZZOQUADRATOX+MEZZOQUADRATO, centroy+MEZZOQUADRATOY, centrox+MEZZOQUADRATOX+MEZZOQUADRATO, centroy-MEZZOQUADRATOY); { if(centroy==233144) //pad n°4

60

disegna_track_pad_updown(centrox,centroy-MEZZOQUADRATOY-MEZZOQUADRATO,fp); if(centroy==27000) //pad n°1 disegna_track_pad_updown(centrox,centroy+MEZZOQUADRATOY,fp); }

65

(13)

}

int disegna_track_orizzontale(long int x1, long int x2, long int y1, FILE *fp) {

fprintf(fp,"\nBOUNDARY 4 %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld", x1-SPESSORE/2, y1-SPESSORE/2,

70

x1-SPESSORE/2, y1+SPESSORE/2, x2+SPESSORE/2, y1+SPESSORE/2, x2+SPESSORE/2,y1-SPESSORE/2); }

int disegna_track_verticale(long int x1, long int y1, long int y2, FILE *fp) {

75

fprintf(fp,"\nBOUNDARY 4 %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld %ld", x1-SPESSORE/2, y1+SPESSORE/2, x1+SPESSORE/2, y1+SPESSORE/2, x1+SPESSORE/2, y2-SPESSORE/2, x1-SPESSORE/2, y2-SPESSORE/2); }

int main(void)

80

{

unsigned int x,y; //y=riga, x=colonna

long int xstart=77000; //coordinata x di inizio scrittura croci long int ystart=62500; //coordinata y di inizio scrittura croci

85

long int xp=0,yp=0;

FILE *fp;

fp=fopen("contatti-grafene.wrt","w");

90

if (fp == NULL) {

printf("\a\nErrore nell'apertura del file\n\n"); exit(1);

}

fprintf(fp,"#WRITE18");

95

fprintf(fp,"\nDELTA 5.2e-9 4.2e-9"); fprintf(fp,"\nDOSE 1.9"); fprintf(fp,"\n\n"); fprintf(fp,"\nSTEP 15 15");

100

fprintf(fp,"\nTIME %g",TEMPO); fprintf(fp,"\n\n");

printf("\n\n**SELEZIONARE LA CROCE DI RIFERIMENTO PER I CONTATTI**\n\n");

105

printf("Inserire il numero della riga: "); scanf("%u", &y);

getchar();

while(y<0 || y>19) {

printf("\a\nERRORE: numero non esistente!\n");

110

printf("\nInserire un numero tra 0 e 19: "); scanf("%u", &y);

}

printf("Inserire il numero della colonna: "); scanf("%u", &x);

115

getchar();

while(x<0 || x>19) {

printf("\a\nERRORE: numero non esistente!\n"); printf("\nInserire un numero tra 0 e 19: "); scanf("%u", &x);

120

}

xp=xstart+x*PASSOX; //coordinata x della croce selezionata

yp=ystart+y*PASSOY; //coordinata y della croce selezionata

125

fprintf(fp,"\n\n#PAD NUMERO 1");

disegna_pad_contatti_updown(132072,27000,fp); //pad in basso (n°1) fprintf(fp,"\n\n#PAD NUMERO 2");

disegna_pad_contatti_laterali(235644,94450,fp); //primo pad a destra (n°2) fprintf(fp,"\n\n#PAD NUMERO 3");

130

disegna_pad_contatti_laterali(235644,165450,fp); //secondo pad a destra (n°3) fprintf(fp,"\n\n#PAD NUMERO 4");

(14)

disegna_pad_contatti_updown(132072,233144,fp); //pad in alto (n°4) fprintf(fp,"\n\n#PAD NUMERO 5");

disegna_pad_contatti_laterali(28500,165450,fp); //secondo pad a sinistra (n°5)

135

fprintf(fp,"\n\n#PAD NUMERO 6");

disegna_pad_contatti_laterali(28500,94450,fp); //primo pad a sinistra (n°6)

if(y<=10 && x<=10) //primo quadrante

{

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 1");

140

if(y>=3) {

disegna_track_verticale(X1_4, yp-7*PASSOY/2, Y1,fp); //pad n°1, track orizzontale piu' distante disegna_track_orizzontale(X1_4, xp+PASSOX/2, yp-7*PASSOY/2,fp);

disegna_track_verticale(xp+PASSOX/2, yp-PASSOY, yp-7*PASSOY/2,fp);

145

} else {

disegna_track_verticale(X1_4, yp-3*PASSOY/2, Y1,fp); //pad n°1, track orizzontale piu' vicina alla croce

150

disegna_track_orizzontale(X1_4, xp+PASSOX/2, yp-3*PASSOY/2,fp); disegna_track_verticale(xp+PASSOX/2, yp-PASSOY, yp-3*PASSOY/2,fp);

}

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 2");

155

disegna_track_orizzontale(xp+21*PASSOX/2, X2_3, Y2_6,fp); //pad n°2

disegna_track_verticale(xp+21*PASSOX/2, Y2_6, yp+PASSOY/2,fp);

disegna_track_orizzontale(xp+PASSOX, xp+21*PASSOX/2, yp+PASSOY/2,fp); fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 3");

160

disegna_track_orizzontale(X5_6, xp-PASSOX/2, Y3_5,fp); //pad n°5

disegna_track_verticale(xp-PASSOX/2, Y3_5, yp+PASSOY,fp); fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 4");

disegna_track_orizzontale(X5_6, xp-7*PASSOX/2, Y2_6,fp); //pad n°6

165

disegna_track_verticale(xp-7*PASSOX/2, Y2_6, yp-PASSOY/2,fp);

disegna_track_orizzontale(xp-7*PASSOX/2, xp-PASSOX, yp-PASSOY/2,fp); }

else if(y<=10 && x>10) //secondo quadrante

{

170

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 1"); if(y>=3)

{

disegna_track_verticale(X1_4, yp-7*PASSOY/2, Y1,fp); //pad n°1, track orizzontale piu' distante disegna_track_orizzontale(X1_4, xp+PASSOX/2, yp-7*PASSOY/2,fp);

175

disegna_track_verticale(xp+PASSOX/2, yp-PASSOY, yp-7*PASSOY/2,fp);

} else {

disegna_track_verticale(X1_4, yp-3*PASSOY/2, Y1,fp); //pad n°1, track orizzontale piu' vicina

180

alla croce

disegna_track_orizzontale(X1_4, xp+PASSOX/2, yp-3*PASSOY/2,fp); disegna_track_verticale(xp+PASSOX/2, yp-PASSOY, yp-3*PASSOY/2,fp);

}

185

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 2");

disegna_track_orizzontale(xp+7*PASSOX/2, X2_3, Y2_6,fp); //pad n°2

disegna_track_verticale(xp+7*PASSOX/2, Y2_6, yp+PASSOY/2,fp);

disegna_track_orizzontale(xp+PASSOX, xp+7*PASSOX/2, yp+PASSOY/2,fp);

190

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 3");

disegna_track_orizzontale(xp-PASSOX/2, X2_3, Y3_5,fp); //pad n°3

disegna_track_verticale(xp-PASSOX/2, Y3_5, yp+PASSOY,fp);

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 4");

195

disegna_track_orizzontale(X5_6, xp-21*PASSOX/2, Y2_6,fp); //pad n°6

disegna_track_verticale(xp-21*PASSOX/2, Y2_6, yp-PASSOY/2,fp); disegna_track_orizzontale(xp-21*PASSOX/2, xp-PASSOX, yp-PASSOY/2,fp); }

(15)

else if(y>10 && x>10) //terzo quadrante

200

{

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 1");

disegna_track_orizzontale(xp+PASSOX/2, X2_3, Y2_6,fp); //pad n°2

disegna_track_verticale(xp+PASSOX/2, yp-PASSOY, Y2_6,fp);

205

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 2");

disegna_track_orizzontale(xp+7*PASSOX/2, X2_3, Y3_5,fp); //pad n°3

disegna_track_verticale(xp+7*PASSOX/2, Y3_5, yp+PASSOY/2,fp);

disegna_track_orizzontale(xp+PASSOX, xp+7*PASSOX/2, yp+PASSOY/2,fp);

210

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 3"); if(y<=16)

{

disegna_track_verticale(X1_4, Y4, yp+7*PASSOY/2,fp); //pad n°4, track orizzontale piu' distante disegna_track_orizzontale(X1_4, xp-PASSOX/2, yp+7*PASSOY/2,fp);

215

disegna_track_verticale(xp-PASSOX/2, yp+7*PASSOY/2, yp+PASSOY,fp); }

else {

disegna_track_verticale(X1_4, Y4, yp+3*PASSOY/2,fp); //pad n°4, track orizzontale piu' vicina

220

alla croce

disegna_track_orizzontale(X1_4, xp-PASSOX/2, yp+3*PASSOY/2,fp); disegna_track_verticale(xp-PASSOX/2, yp+3*PASSOY/2, yp+PASSOY,fp); }

225

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 4");

disegna_track_orizzontale(X5_6, xp-21*PASSOX/2, Y3_5,fp); //pad n°5

disegna_track_verticale(xp-21*PASSOX/2, Y3_5, yp-PASSOY/2,fp);

disegna_track_orizzontale(xp-21*PASSOX/2, xp-PASSOX, yp-PASSOY/2,fp); }

230

else if(y>10 && x<=10) //quarto quadrante

{

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 1");

disegna_track_orizzontale(X5_6, xp+PASSOX/2, Y2_6,fp); //pad n°6

disegna_track_verticale(xp+PASSOX/2, yp-PASSOY, Y2_6,fp);

235

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 2");

disegna_track_orizzontale(xp+21*PASSOX/2, X2_3, Y3_5,fp); //pad n°3

disegna_track_verticale(xp+21*PASSOX/2, Y3_5, yp+PASSOY/2,fp);

disegna_track_orizzontale(xp+PASSOX, xp+21*PASSOX/2, yp+PASSOY/2,fp);

240

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 3"); if(y<=16)

{

disegna_track_verticale(X1_4, Y4, yp+7*PASSOY/2,fp); //pad n°4, track orizzontale piu' distante

245

disegna_track_orizzontale(X1_4, xp-PASSOX/2, yp+7*PASSOY/2,fp); disegna_track_verticale(xp-PASSOX/2, yp+7*PASSOY/2, yp+PASSOY,fp); }

else {

250

disegna_track_verticale(X1_4, Y4, yp+3*PASSOY/2,fp); //pad n°4, track orizzontale piu' vicina alla croce

disegna_track_orizzontale(X1_4, xp-PASSOX/2, yp+3*PASSOY/2,fp); disegna_track_verticale(xp-PASSOX/2, yp+3*PASSOY/2, yp+PASSOY,fp); }

255

fprintf(fp,"\n\n#TRACK NUMERO 4");

disegna_track_orizzontale(X5_6, xp-7*PASSOX/2, Y3_5,fp); //pad n°5

disegna_track_verticale(xp-7*PASSOX/2, Y3_5, yp-PASSOY/2,fp);

disegna_track_orizzontale(xp-7*PASSOX/2, xp-PASSOX, yp-PASSOY/2,fp);

260

}

printf("\n**IL FILE contatti-grafene.wrt E' STATO CREATO**\n\n"); fprintf(fp,"\n\nEND");

fclose(fp);

265

(16)

A.4.3 – trackfinali.c

# include <stdio.h> # include <stdlib.h> # include <string.h> # include <math.h>

5

# define TEMPO 12e-6 //Tdwell

# define N 30000 //dimensione buffer

# define PASSOX 5800 //30 micron, distanza tra le croci lungo x

10

# define PASSOY 7100 //30 micron, distanza tra le croci lungo y # define LSBX 0.005589

# define LSBY 0.004592

# define INTERO_MAX 262143 //massimo numero intero dell'area di scrittura: (2^18)-1 (angolo in alto a destra)

15

int disegna_track(long int startx, long int starty, long int endx, long int endy, FILE *fpw) {

fprintf(fpw,"\nLINE %ld %ld %ld %ld", startx, starty, endx, endy); }

20

int disegna_track_orizzontale(long int startx, long int endx, long int y, FILE *fpw) {

fprintf(fpw,"\nLINEX %ld %ld %ld", startx, endx, y); }

25

int disegna_track_verticale(long int starty, long int endy, long int x, FILE *fpw) {

fprintf(fpw,"\nLINEY %ld %ld %ld", starty, endy, x); }

30

int main(void) { char buf[N]; char *str;

35

char nomefile[60];

const char *layer= "layer-track-finali"; //mettere il nome del layer sul quale sono state disegnate le track finali (vedere qcad)

const char *iniziox= "10"; //identifica il punto iniziale lungo X della linea disegnata const char *inizioy= "20"; //identifica il punto iniziale lungo Y della linea disegnata

40

const char *finex= "11"; //identifica il punto finale lungo X della linea disegnata const char *finey= "21"; //identifica il punto finale lungo Y della linea disegnata

const char *numero_vertici= "93"; //identifica il numero di vertici del poligono disegnato con il cad float strx,stry,termx,termy;

long int int_strx, int_stry;

45

long int int_termx, int_termy; char nomelayer[40]="";

unsigned int x,y,n_vertici; //y=riga, x=colonna

long int xstart=77000; //coordinata x di inizio scrittura croci long int ystart=62500; //coordinata y di inizio scrittura croci

50

long int xp=0,yp=0,n=1;

printf("\n\n**INSERIRE IL NOME DEL FILE DI QCAD (RICORDARSI .dxf): "); scanf("%s", nomefile);

55

printf("\n\n**SELEZIONARE LA CROCE DI RIFERIMENTO PER I CONTATTI**\n\n"); printf("Inserire il numero della riga: ");

scanf("%u", &y);

while(y<0 || y>19) {

60

printf("\a\nERRORE: numero non esistente!\n"); printf("\nInserire un numero tra 0 e 19: "); scanf("%u", &y);

}

printf("Inserire il numero della colonna: ");

65

(17)

while(x<0 || x>19) {

printf("\a\nERRORE: numero non esistente!\n"); printf("\nInserire un numero tra 0 e 19: "); scanf("%u", &x);

70

}

xp=xstart+x*PASSOX; //coordinata x della croce selezionata

yp=ystart+y*PASSOY; //coordinata y della croce selezionata

75

FILE *fpw,*fpr; fpw = fopen("track-finali.wrt", "w"); if (fpw == NULL) {

printf("\a\nErrore nell'apertura del file\n\n");

80

exit(1); } fprintf(fpw,"#WRITE18");

fprintf(fpw,"\nDELTA 5.2e-9 4.2e-9"); fprintf(fpw,"\nDOSE 1.9");

85

fprintf(fpw,"\n\n"); fprintf(fpw,"\nSTEP 15 15"); fprintf(fpw,"\nTIME %g",TEMPO);

90

fprintf(fpw,"\n\n"); fpr = fopen(nomefile, "r"); if (fpr == NULL) {

printf("\a\nErrore nell'apertura del file\n\n");

95

exit(1); } str=fgets(buf, N, fpr);

100

while(str!="EOF") { do { str=fgets(buf, N, fpr);

105

sscanf(str,"%s",buf); }

while((strcmp(buf,"HATCH")!=0) && (strcmp(buf,"LINE")!=0) && (strcmp(str,"EOF")!=0)); //prima selezione nel file .dxf tramite l'identificatore "LINE" e "HATCH"(riguarda la SECTION)

if(strcmp(str,"EOF")==0)

110

break; else if (strcmp(buf,"HATCH")==0) { do {

115

str=fgets(buf, N, fpr); sscanf(str,"%s",buf); }

while((strcmp(buf,"8")!=0) && (str!="EOF")); //seconda selezione nel file .dxf tramite l'identificatore "8" (nome del layer)

120

if(str=="EOF") break; if(strcmp(buf,"8")==0) fscanf(fpr,"%s",nomelayer);

125

if(strcmp(nomelayer,layer)==0) //siamo arrivati alla riga di interesse nel file .dxf { strcpy(nomelayer," "); do

130

{ str=fgets(buf, N, fpr); sscanf(str,"%s",buf);

(18)

}

while((strcmp(buf,numero_vertici)!=0) && (str!="EOF"));

135

if(str=="EOF") break;

if(strcmp(buf,"93")==0) //si prende il numero dei vertici del poligono fscanf(fpr,"%u",&n_vertici);

140

printf("\n\nNUMERO VERTICI POLIGONO %u ",n_vertici); fprintf(fpw,"\nBOUNDARY %u",n_vertici); for(n=1;n<=n_vertici;n++) { do

145

{ str=fgets(buf, N, fpr); sscanf(str,"%s",buf); }

while((strcmp(buf,iniziox)!=0) && (str!="EOF")); //inizio lungo X della linea del poligono

150

if(str=="EOF") break; fscanf(fpr,"%g",&strx); printf("\nSTARTX %g ",strx);

155

int_strx=(int)floor(strx/LSBX); if(int_strx>=INTERO_MAX) {

printf("\n PATTERN TROPPO GROSSO, O lsbx TROPPO PICCOLO\n\n"); exit(0);

160

} do { str=fgets(buf, N, fpr);

165

sscanf(str,"%s",buf); }

while((strcmp(buf,inizioy)!=0) && (str!="EOF")); //inizio lungo Y della linea del poligono if(str=="EOF")

170

break; fscanf(fpr,"%g",&stry); printf("STARTY %g \n",stry); int_stry=(int)floor(stry/LSBY); if(int_stry>=INTERO_MAX)

175

{

printf("\n PATTERN TROPPO GROSSO, O lsby TROPPO PICCOLO\n\n"); exit(0); }

180

fprintf(fpw," %ld %ld",int_strx+xp,int_stry+yp);

} // END FOR VERTICI

fprintf(fpw,"\n\n");

185

} // END IF LAYER } // END IF "HATCH" else if(strcmp(buf,"LINE")==0) {

190

do { str=fgets(buf, N, fpr); sscanf(str,"%s",buf); }

195

while((strcmp(buf,"8")!=0) && (str!="EOF")); //seconda selezione nel file .dxf tramite l'identificatore "8" (nome del layer)

if(str=="EOF") break;

if(strcmp(buf,"8")==0)

(19)

fscanf(fpr,"%s",nomelayer);

if(strcmp(nomelayer,layer)==0) //siamo arrivati alla riga di interesse nel file .dxf { strcpy(nomelayer," "); do

205

{ str=fgets(buf, N, fpr); sscanf(str,"%s",buf); }

while((strcmp(buf,iniziox)!=0) && (str!="EOF")); //inizio lungo X della linea

210

if(str=="EOF") break; fscanf(fpr,"%g",&strx); printf("\nSTARTX %g ",strx);

215

int_strx=(int)floor(strx/LSBX); if(int_strx>=INTERO_MAX) {

printf("\n PATTERN TROPPO GROSSO, O lsbx TROPPO PICCOLO\n\n"); exit(0);

220

} do { str=fgets(buf, N, fpr);

225

sscanf(str,"%s",buf); }

while((strcmp(buf,inizioy)!=0) && (str!="EOF")); //inizio lungo Y della linea if(str=="EOF")

230

break; fscanf(fpr,"%g",&stry); printf("STARTY %g ",stry); int_stry=(int)floor(stry/LSBY); if(int_stry>=INTERO_MAX)

235

{

printf("\n PATTERN TROPPO GROSSO, O lsby TROPPO PICCOLO\n\n"); exit(0); }

240

do { str=fgets(buf, N, fpr); sscanf(str,"%s",buf); }

245

while(strcmp(buf,finex) !=0 && str!="EOF"); //termine lungo X della linea if(str=="EOF") break; fscanf(fpr,"%g",&termx);

250

printf("\nFINEX %g ",termx); int_termx=(int)floor(termx/LSBX); if(int_termx>=INTERO_MAX) {

printf("\n PATTERN TROPPO GROSSO, O lsbx TROPPO PICCOLO\n\n");

255

exit(0); } do {

260

str=fgets(buf, N, fpr); sscanf(str,"%s",buf); }

while(strcmp(buf,finey) !=0 && str!="EOF"); //termine lungo Y della linea if(str=="EOF")

265

break; fscanf(fpr,"%g",&termy);

(20)

printf(" FINEY %g \n",termy); int_termy=(int)floor(termy/LSBY); if(int_termy>=INTERO_MAX)

270

{

printf("\n PATTERN TROPPO GROSSO, O lsby TROPPO PICCOLO\n\n"); exit(0);

}

275

if((strx==termx)&&(stry==termy))

printf("\n**ERRORE DI DISEGNO: PUNTO SINGOLO ANZICHE' LINEA**\n\n");

else if(strx==termx)

disegna_track_verticale(yp+int_stry, yp+int_termy, xp+int_strx, fpw);

280

else if(stry==termy)

disegna_track_orizzontale(xp+int_strx, xp+int_termx, yp+int_stry, fpw);

else if((strx!=termx)&&(stry!=termy))

285

disegna_track(xp+int_strx, yp+int_stry, xp+int_termx, yp+int_termy, fpw);

} // END IF LAYER

} // END IF "LINE"

290

} // END WHILE EOF

printf("\n**IL FILE track-finali.wrt E' STATO CREATO**\n\n");

295

fprintf(fpw,"\n\nEND"); fclose(fpr); fclose(fpw);

300

}

(21)

SIGLE E ACRONIMI

Di seguito sono elencati in ordine alfabetico i vari acronimi riscontrati nel testo:

AFM

Atomic force microscope (microscopio a forza atomica)

ALD

Atomic layer deposition

BHF

Buffered hydrofluoric acid

BLG

Bi-layer graphene

BN

Boron nitride (nitruro di boro)

BZ

Brillouin zone

CIE

Commission international de l’eclairage (commissione internazionale

sull’illuminazione)

CMOS

Complementary metal-oxide semiconductor

CNP

Charge neutrality point

CNTs

Carbon nanotubes

CVD

Chemical vapor deposition (deposizione chimica da fase vapore)

DMF

Dimethylformamide

DOS

Density of states

DXF

Drawing Exchange Format

EBL

Electron beam lithography (litografia a fascio elettronico)

EDP

Etilendiammina pirocatecolo

FLG

Few layer graphene

GNRs

Graphene nanoribbons

GO

Graphite oxide (ossido di grafite)

HOPG

Highly oriented pyrolytic graphite

IPA

Isopropyl alcohol (isopropanolo)

ITO

Indium tin oxide

KG

Kish graphite

KOH

Potassium hydroxide (idrossido di potassio)

LPE

Liquid phase exfoliation

MIBK

Methyl isobutyl ketone

NEMS

Nano electromechanical systems

NMP

N-Methyl-2-pyrrolidone

OLED

Organic light-emitting diode

PDMS

Polydimethylsiloxane

PG

Pattern generator

PMMA

Polymethyl methacrylate

QHE

Quantum Hall effect (effetto Hall quantistico)

RIE

Reactive ion etching

SEM

Scanning electron microscope (microscopio a scansione elettronica)

SLG

Single layer graphene

STM

Scanning tunneling microscope (microscopio a scansione tunnel)

TEM

Transmission electron microscope (microscopio a trasmissione elettronica)

TCD

Total color difference

(22)

BIBLIOGRAFIA

[1] Novoselov, K.S. et al.,

Electric field effect in atomically thin carbon films”. Science 306,

666 (2004).

[2] Castro Neto, A., Guinea, F., Peres, N., Novoselov, K.S., Geim, A.K., “The electronic properties

of graphene”. Reviews of Modern Physics 81, 109–162 (2009).

[3] Avouris, P., “Graphene: electronic and photonic properties and devices”. Nano Lett. 10,

4285–4294 (2010).

[4] Wallace, P., “The band theory of graphite”. Physical Review 71, 622–634 (1947).

[5] Geim, A.K., Novoselov, K.S., “The rise of graphene”. Nature 6, 183–191 (2007).

[6] Bolotin, K. et al., “Ultrahigh electron mobility in suspended graphene”. Solid State Commun.

146, 351–355 (2008).

[7] Frank, I.W., Tanenbaum, D.M., van der Zande, A.M., McEuen, P.L., “Mechanical properties of

suspended graphene sheets”. J. Vac. Sci. Technol. B 25 (6) 2558(4) (2007).

[8] Zhao, H., Min, K., Aluru, N.R., “Size and chirality dependent elastic properties of graphene

nanoribbons under uniaxial tension”. Nano Lett. 9 (8), 3012–3015 (2009).

[9] Han, T., He, P., Zheng, B., “Dependence of the tensile behavior of single graphene sheet on

temperature and strain rate”. 17th International Conference on Composites or Nano

Engineering, ICCE-17 Honolulu, Hawaii (USA) July 26-August 1, 2009.

[10] Balandin, A.A., Ghosh, S., Bao, W., Calizo, I., Teweldebrhan, D., Miao, F., Lau, C.N., “Superior

thermal conductivity of single-layer graphene”. Nano Lett. 8 (3), 902–907 (2008).

[11] Cai, W., Moore, A.L., Zhu, Y., Li, Y., Chen, S., Shi, L., Ruoff, R.S., “Thermal transport in

suspended and supported monolayer graphene grown by chemical vapour deposition”. Nano

Lett. 10, 1645–1651 (2010).

[12] Seol, J.H., Jo, I., Moore, A.L., Lindsay, L., Aitken, Z.H., Pettes, M.T., Li, X., Yao, Z., Huang, R.,

Broido, D., Mingo, N., Ruoff, R.S., Shi, L., “Two-dimensional phonon transport in supported

graphene”. Science, 328 , 213-216 (2010)

[13] Zhu, Y., Murali, S., Cai, W., Li, X., Suk, J.W., Potts, J.R., Ruoff, R.S., “Graphene and graphene

oxide: synthesis, properties, and applications”. Adv. Mater. 22, 3906–3924 (2010).

[14] Li, Z.Q., Henriksen, E.A., Jiang, Z., Hao, Z., Martin, M.C., Kim, P., Stormer, H.L., Basov, D.N.,

“Dirac charge dynamics in graphene by infrared spectroscopy”. Nature Physics 4, 532–535

(2008).

(23)

[15] Blake, P., Hill, E.W., Castro Neto, A.H., Novoselov, K.S., Jiang, D., Yang, R., Booth, T.J., Geim,

A.K., “Making graphene visible”. Appl. Phys. Lett. 91, 063124 (2007).

[16] Roddaro, S., Pingue, P., Piazza, V., Pellegrini, V., Beltram, F., “The optical visibility of

graphene: interference colors of ultrathin graphite on SiO

2

”. Nano Lett. 7, 2707-2710 (2007).

[17] Jung, I., Pelton, M., Piner, R., Dikin, D.A., Stankovich, S., Watcharotone, S., Hausner, M.,

Ruoff, R.S., “Simple approach for high-contrast optical imaging and characterization of

graphene-based sheets”. Nano Lett., 7 , 3569-3575 (2007).

[18] Abergel, D.S.L., Russell, A., Fal’ko, V.I., “Visibility of graphene flakes on a dielectric

substrate”. Appl. Phys. Lett., 91 , 063125 (2007).

[19] Gao, L., Ren, W., Li, F., Cheng, H.M., “Total color difference for rapid and accurate

identification of graphene”. ACS Nano 2, 1625-1633 (2008).

[20] Warner, J.H., Schäffel, F., Rümmeli, M.H., Bachmatiuk, A., “Graphene-Fundamentals and

emergent applications”. Elsevier Inc. (2013).

[21] Novoselov, K.S., Nobel lecture: “Graphene: materials in the flatland”. Reviews of Modern

Physics 83, 837-849 (2011).

[22] Lu, X., Yu, M., Huang, H., Ruoff, R.S., “Tailoring graphite with the goal of achieving single

sheets”. Nanotechnology 10, 269–272 (1999).

[23] Lu, X., Huang, H., Nemchuk, N., Ruoff, R.S., “Patterning of highly oriented pyrolytic graphite

by oxygen plasma etching”. Appl. Phys. Lett. 75, 193–195 (1999).

[24] Zhang, Y., Small, J.P., Amori, M.E.S., Kim, P., “Electric field modulation of galvanomagnetic

properties of mesoscopic graphite”. Phys. Rev. Lett. 94 (176803), 1–4 (2005).

[25] Dimiev, A., Kosynkin, D.V., Sinitskii, A., Slesarev, A., Sun, Z., Tour, J.M., “Layer-by-layer

removal of graphene for device patterning”. Science 331, 1168–1172 (2011).

[26] Bae, S., Kim, H., Lee, Y., Xu, X.F., Park, J.S., Zheng, Y., Balakrishnan, J., Lei, T., Kim, H.R., Song,

Y.I., Kim, Y.J., Kim, K.S., Ozyilmaz, B., Ahn, J.H., Hong, B.H., Iijima, S., "Roll-to-roll production of

30-inch graphene films for transparent electrodes". Nature Nanotech. vol. 5, pp 574-578

(2010).

[27] Bhaviripudi, S., Jia, X., Dresselhaus, M.S., Kong, J., “Role of kinetic factors in chemical vapor

deposition synthesis of uniform large area graphene using copper catalyst”. Nano Lett. 10,

4128-4133 (2010).

[28] Helveg, S., Lopez-Cartes, C., Sehested, J., Hansen, P.L., Clausen, B.S., Rostrup-Nielsen, J.R.,

Abild-Pedersen, F., Norskov, J.K., “Atomic-scale imaging of carbon nanofibre growth”. Nature

427, 426–429 (2004).

[29] Mattevi, C., Kim, H., Chhowalla, M., “A review of chemical vapour deposition of graphene on

copper”. J. Mater. Chem. 21, 3324–3334 (2011).

(24)

[30] Oshima, C., Nagashima, A., “Ultra-thin epitaxial films of graphite and hexagonal boron

nitride on solid surfaces”. J. Phys. Condens. Matter. 9, 1–20 (1997).

[31] Celebi, K., Cole, M.T., Choi, J.W., Wyczisk, F., Legagneux, P., Rupesinghe, N., Robertson, J.,

Teo, K.B.K., Park, H.G., “Evolutionary kinetics of graphene formation on copper”. Nano Lett. 13,

967-974 (2013).

[32] Sutter, E., Albrecht, P., Sutter, P., “Graphene growth on polycrystalline Ru thin films”. Appl.

Phys. Lett. 95 (133109), 1–3 (2009).

[33] Rummeli, M.H., Gruneis, A., Loffler, M., Jost, O., Schonfelder, R., Kramberger, C., Grimm, D.,

Gemming, T., Barreiro, A., Borowiak-Palen, E., Kalbàc, M., Ayala, P., Hubers, H.W., Buchner, B.,

Pichler, T., “Novel catalysts for low temperature synthesis of single wall carbon nanotubes”.

Phys. Status Solid B 243, 3101–3105 (2006).

[34] Kocabas, C., Oznuluer, T., Pince, E., Polat, E.O., Balci, O., Salihoglu, O., “Synthesis of

graphene on gold”. Appl. Phys. Lett. 98 (183101), 1–3 (2011).

[35] Sun, J., Lindvall, N., Cole. M.T., Wang, T., Booth, T.J., Boggild, P., Teo K.B.K., Liu J., Yurgens,

A., "Controllable chemical vapor deposition of large area uniform nanocrystalline graphene

directly on silicon dioxide". J. Appl. Phys. vol. 111, p. 044103 (2012).

[36] Sun, J., Cole, M.T., Lindvall, N., Teo, K.B.K., Yurgens, A., "Noncatalytic chemical vapor

deposition of graphene on high-temperature substrates for transparent electrodes". Appl. Phys.

Lett. vol. 100, p. 022102 (2012).

[37] Fanton, M.A., Robinson, J.A., Puls, C., Liu, Y., Hollander, M.J., Weiland, B.E., LaBella, M.,

Trumbull, K., Kasarda, R., Howsare, C., Stitt, J., Snyder, D.W., "Characterization of graphene

films and transistors grown on sapphire by metal-free chemical vapor deposition". ACS Nano 5,

8062-8069 (2011).

[38] Sun, J., Cole, M.T., Lindvall, N., Teo, K.B.K., Yurgens, A., "Large-area uniform graphene-like

thin films grown by chemical vapor deposition directly on silicon nitride". Appl. Phys. Lett. vol.

98, p. 252107 (2011).

[39] Rümmeli, M.H, Bachmatiuk, A., Scott, A., Börrnert, F., Warner, J.H., Hoffman, V., Lin, J.H.,

Cuniberti, G., Büchner, B., "Direct low-temperature nanographene CVD synthesis over a

dielectric insulator". ACS Nano 4, 4206-4210 (2010).

[40] Ding, X., Ding, G., Xie, X., Huang, F., Jiang, M., "Direct growth of few layer graphene on

hexagonal boron nitride by chemical vapor deposition". Carbon vol. 49, 2522-2525 (2011).

[41] de Heer, W.A., Berger, C., Wu, X., First, P.N., Conrad, E.H., Li, X., Li, T., Sprinkle, M., Hass, J.,

Sadowski, M.L., Potemski, M., Martinez, G., “Epitaxial graphene”. Solid State Commun. 143, 92–

100 (2007).

[42] Berger, C., Song, Z., Li, T., Li, X., Ogbazghi, A.Y., Feng, R., Dai, Z., Marchenkov, A.N., Conrad,

E.H., First, P.N., de Heer, W.A., “Ultrathin epitaxial graphite: 2D electron gas properties and a

Riferimenti

Documenti correlati

I vari segnali che sono generati dall’interazione della colonna di elettroni incidenti con la superficie del campione stesso, va a contatto con la superficie del campione

40(m-1)+b+500 nel caso delle femmine. Trascuriamo i casi di persone aventi lo stesso numero di patente, etc. Determiniamo la data di nascita e il sesso dei titolari di pa-

COLORA IL PIEDE DESTRO DEI BAMBINI DI BLU, IL PIEDE SINISTRO DI ROSSO (RICORDATI CHE LE LORO DESTRA E SINISTRA SONO!. INVERTITE RISPETTO

Una volta tagliata, la sezione viene adagiata sul vetrino con dell'acqua e quest'ultimo va su una piastra riscaldata, grazie alla quale la paraffina si

Una punta saldata all'estremo libero della lamina costituisce la sonda di posizione 9 : essa, portata in contatto con la superficie da esplorare, segue il profilo della

colla solita perdita dovuta al fatto che la radiazione di fluorescenza viene emessa in tutto lo spazio, come avviene per la diffusione, e l’obbiettivo ne riceve sempre meno della

Tale regolazione della lunghezza del tubo, cioè della posizione assiale dell’oculare, fa variare la distanza fra immagine intermedia nominale ed oculare, cioè porta ad uno

Ma ora torniamo alla rotazione dell’oculare attorno ad un asse trasversale, passante per il centro ottico dell’oculare stesso (fig. Questo può avvenire, per es., per un errore di