CONCLUSIONI
Lo studio di una memoria SONOS con struttura FinFET con il modello drift-diffusion per mezzo di simulazioni tridimensionali ha permesso di avere una stima più corretta della densità di corrente tunnel in funzione della coordinata longitudinale nel canale (nella direzione source-drain), e quindi del caricamento dello strato di nitruro. Le simulazioni hanno evidenziato che alzando la tensione sull’elettrodo di drain, a parità di tensione al gate, la corrente di drain nella trancaratteristica satura a valori eccessivi di corrente, portando ad un malfunzionamento del dispositivo. Questo comportamento si manifesta per tensioni di drain maggiori di 1.2 V. Per la struttura polarizzata con il drain a 1V ed il gate 8 V, sono state estratte le grandezze necessarie al calcolo della densità di corrente di gate. L’andamento della densità di corrente ha evidenziato una maggiore iniezione di corrente al drain rispetto ai risultati ottenuti applicando il modello Energy Balance. Il modello si basa su un solo parametro di fitting, che nella pratica puo’ essere ricavato dal confronto con una soluzione numerica dell’equazione del trasporto di Boltzmann, ottenuta tramite simulazioni Monte Carlo. In tal modo, infatti, si puo’ ottenere la distribuzione completa in energia degli elettroni in ciascun punto del canale, e, da lì, ricavare la temperatura media degli elettroni in funzione della posizione. Tali simulazioni Monte Carlo sono attualmente in corso. Il passo successivo sarà poi quello di procedere con la programmazione della memoria in funzione del tempo, tenendo conto dinamicamente della variazione del profilo di potenziale dovuta alla carica immagazzinata nel nitruro.
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