Figura 7.7
Come i n d i cato in F i g u ra 7.7, q uesto processo ci dà una piastri na con molti picco l i pied ista l l i di tipo P, og n u no i n cappucciato d i a l l u m i n io.
La piastri na viene q u i ndi segata per separare uno dal l'altro i picco l i elementi di diodo. O g n i elemento viene poi montato i n una custod ia per ottenere u n dispositivo fin ito. I n F i g u ra 7.8 si può vedere questo montaggio, costitu ito da un manicotto di
MAN ICOTTO DI VETRO ELEMENTO SEMICONDUTTOR E Figura 7.8 BAFFO DI GATTO
vetro con i term i nali di catodo e anodo fissati ag l i estremi. l l lato N dell'elemento se
m i cond uttore è attaccato alla spina catod i ca. G i ù dal term i nale anodico è riportato
un m i n uscolo " baffo d l gatto" o fi lo o nastro meta l l ico ricu rvo, che fa contatto con la
E' abbastanza fac i l e vedere come potreste prendere la stessa p i astri na prima che essa venga segata via, capovolgerla e ottenere per lega dei punti s u l l 'altra fac cia. Con ciò si p rod u rrebbero deg l i elementi PN P del genere di q u e l l i che usiamo nei transistori . Buona parte dell'arte d i fare i transistori a lega sta nel controllare la pro fond ità della lega da entrambi i lati, in modo tale da ottenere la strettiss i m a reg ione di base d i c u i abbiamo parlato. Se la tem peratu ra del fo rno è d i poch i g rad i troppo bassa o i l tempo di permanenza nel forno è di poch i secondi troppo breve, otten i a mo u n a reg ione d i base così spessa che essa catt u ra troppi elettro n i . Per contro, se la tem perat u ra è troppo elevata o il tempo nel forno è troppo l u ngo, la l ega passa da parte a parte l'i ntera reg ione d i base, facendo co ntatto con la lega del l 'altra parte. l n
q u esto caso, potremo aver fatto u n buon fus i b i l e ma non u n transistore. l seri pro
blemi da risolvere per contro l l are dei fattori come questi a l l e alte temperatu re rich ie ste dalla lavorazione s i l icio, sono le pri ncipali rag i o n i per c u i i l processo a lega non è mai stato largamente usato per fare dei transistori al s i l icio - ma esso ha funzionato bri l l antemente per il german io e per certi tipi di diodi, essendo al s i l icio.
Per i nciso, i n u n transistore, la pal l i n a che noi usiamo per formare la regione del col l ettore è p i ù g rande del la pal l i n a dell'emettitore, pri n c i pal mente perchè g l i elettron i l i beri p rove n i enti dal l 'emettitore tendono a i rrad iarsi i n tutte le d i rezioni nel la base - per c u i i l col l ettore, essendo p i ù g rande, l i raccog l i e meg l i o.
CHE COS'E' I L PROCESSO D I G I U NZIONE PER D I FFUS I O N E?
I l p rocesso di g i u nzione per d iffusione è largamente usato per fare transistori e, p rati camente, tutti i c i rc u iti i nteg rati vengono costru iti i n q u esto modo.
Il p rocesso di g i u nzione a d iffusione com i n c i a anch'esso con una piastri na di s i l icio monocristal l i no. N e l n ostro esempio ( F i g u ra 7.9) , usiamo del s i l icio d i ti po N
FI N ESTRA N ELLO STRATO DI OSSIDO D I SILICIO STRATO D I OSSIDO
SUBSTRATO D I SILICIO N Figura 7.9
per il su bstrato ("su bstrato" s i g n ifica sempl icemente " strato sottostante" ) . La su perficie su periore d i q u esto su bstrato viene fatta ossidare, per cui essa è completa mente ricoperta da u n o strato a ten uta ermetica di sostanza protettiva (ossido di s i i i cio) . Q u esto strato di ossido, a sua volta, viene rivestito con u n m ateri ale c h i amato " photoresist". I l photoresist è sen s i b i l e a l l a l uce un po' come u n a pel l i cola fotog rafi-
ca. Q uando a q uesto photoresist s i sovrappone u n a certa specie d i negativa foto g rafica ch iamata "photomask" e si i nvia su di essa la l uce, la l uce passa attraverso del le zone prescelte del l a maschera e provoca dei cambiamenti c h i m ici in q u este parti del photoresist. Adesso, la piastrina può ven i r sottoposta a l avaggio e le parti prescelte d i photoresist vengono as portate scoprendo lo stato d i ossido nel l e zone prescelte. E poichè il photoresist resiste a l l'attacco dei reagenti c h i m i c i , l a piastri na può ora ven i r lavata con dei reagenti c h i m i c i , per apri re delle finestrature nello stra to di ossido, come i n d i cato in fig u ra.
O g n i piastri na ha centi naia o m i g l iaia di tal i fi nestratu re. Se stiamo facendo dei t i p i ci transistori per picco l i seg nali, ogni finestra m i s u ra da u n a parte a l l 'a ltra c i r ca venti m i l l es i m i d i pol l i ce (500 micron ) . Se stiamo facendo dei c i rcu iti i nteg rati , come ved remo i n u n prossimo capitolo, queste fi n estre possono essere ancora più strette di u n mezzo m i l l es i m o d i pol l ice ( 1 3 m i c ro n ) .
L a p iastri na così preparata, c o n l o strato d i ossido di s i l icio corroso c h i m i ca mente funzionante come u n o stampino, viene q u i nd i messa i n u n forno e riscal data ad u n a tem peratu ra pross i m a al pu nto di fusione del s i l icio. Del boro gassoso viene pom pato nel forno ed esso colpisce i l si l i cio dove l e finestre l o hanno lasciato espo sto. I l boro si diffonde nel crista l l o di sil icio nell'area di og n i finestra. Q u esta d iffu sione avviene con il processo di assorbi mento analogo a q u e l l o per c u i una spugna si i m beve d'acq ua. Gli ato m i d i boro prendono i l posto d i u n a piccola percentuale d i atom i di s i l icio nella struttura cristal l i na; lentamente, per varie ore, essi si fan
no strada verso il basso entro il crista l l o di s i l icio. l l boro, natu ralmente, è un " d ro gante" di t i po P. Così , dovunque esso arriva, il silicio diventa del tipo -P. Q u ando i l boro si è diffuso f i n o a l l a g i usta profond ità, dando l uogo a d u n o strato d i s i l icio del ti po P, l a piastri na viene tolta dal forno e la diffusione si arresta.
Adesso, un n u ovo strato di ossido di s i l i cio viene generato s u l l ' i ntera s u perfi cie del l a piastri na, fi nestre comprese. Ancora una volta, delle nuove finestre più pic cole vengono aperte i n questo strato. O g n u na d i queste finestre si trova n e l l 'area di og n u na del l e vecc h i e finestre. R i m ettiamo la p i astri na nel forno e, q uesta volta, espon iamola a del fosforo gassoso. G l i ato m i di fosfo ro si d iffondono nelle aree del le finestre e soppraffa n n o g l i effetti del boro in una piccola reg ione entro l a reg ione P, convertendo i l s i l icio i n q uesta p i ccola area i n materiale d i tipo N . Nella Fig u ra
•
N UOVA FINESTRA PIU' PICCOLA
SUBSTRATO DI SILICIO N STRATO D I OSSIDO DI SILICIO
Figura 7.1 0
7. 1 0 si vede questa n u ova reg ione N . E' fac i l e ora vedere la struttu ra del transistore: u no strato di materiale di ti po P fra due strati di materiale di ti po N .
Per facil itarne i l contatto con questi strati per mezzo d i fi l i term i n a l i , rivestiamo (galvanicamente) la su perfi cie di og n i reg ione con u n sottile strato meta l l ico. Q ue sto processo viene chiamato "metal l izzazione". I l processo i m p i ega delle tecn iche di fotomascheratu ra del tipo d i quelle che abbiamo appena visto. Come si può vede re in Figura 7. 1 1 , un sottile strato di al l u m inio viene depositato sulla reg ione
METALLIZZAZIONE D I BASE METALLIZZAZIONE D I
EM ETTITORE
Figura 7.1 1
del l'emettitore e u no st rato s i m i le viene depositato sulla reg ione di base. S u l fondo della piastrina viene depos itato u no strato d'oro. Ciò assicura, non solo u n buon contatto elettri co con i l col lettore ma anche un "saldante" di alta q ual ità, per attaccare i nti mamente il chip al metallo della custod ia.
S i ha, così , u n forte legame fisico, nonchè u na larga area, attravero la q u ale il calore si può d i ssi pare verso la custod ia e nell'ambi ente este rno.
Nella fabbricazione effettiva, natura l mente, varie centi naia di questi elementi transistori vengono formati su lla stessa piastri na e poi segati via uno dall'altro, dopo che il processo è stato completato. U n o dei pri ncipa l i vantaggi del processo di diffu sione è di non rich iedere più tempo o mano d'opera, per lavorare u n ' i ntera piastrina piena di transistori , di q uanto ce ne vorrebbe per ottenere u n u n ico transistore. COSA SONO l P ROCESSI DI D I FFUSI ONE PLANAR E E M ESA?
I l transistore a diffusione che abbiamo ora descritto è un esempio di d ispositi vo a diffusione planare. Esso viene chi amato "planare" perchè, come suggerisce la Figura 7.1 2, tutte le reg ioni (N, P e N ) ed entrambe le g i u nzioni appaiono alla su perfi cie su peri ore della piastri na i n u n piano.
Ma c'è un'altra sottocategoria del processo di diffusione chi amato "mesa" . La descriveremo fra breve.
Finchè, però, abbiamo davanti la F i g u ra 7 . 1 2 , acce n n i amo ad u n a variante del processo planare chiamata " planare epitassiale" . I n questo processo, come indica to nella figura, u na reg ione N leggermente "d rogata" può ven i r fatta crescere epitas sialmente s u l l a su perficie su periore di un su bstrato fortemente "d rogato" di cristal lo tipo N (chi amato N +) . Questo processo dà una reg ione di co :r etto re leggermente "drogata", il che è molto desiderabile dal pu nto di vista del la capacità di resistere a
tensioni elevate. Esso produce, i n o ltre, u n cam m i n o a bassa resistenza fortemente "drogato" per l a corrente che va al contatto del col l ettore.
Figura 7.12
Veniamo ora al processo mesa. Dalla F i g u ra 7 . 1 3 si può vedere perchè i l pro cesso ha preso q u esto nome - la l avorazione dà ad og n i el emento la forma di u n a m i n u scola montag na a c i m a piatta, o " mesa", come tale tipo d i mo ntag na viene chia mato nel sud-ovest deg l i Stati U n it i . V i ricorderete che, nel processo planare, le reg i o n i d i base del tipo P ven ivano d iffuse separatamente attraverso del l e finestre aperte nell'ossido d i si l i cio; nel processo m esa, invece, u n 'unica reg ione P viene d if fusa o depositata epitass i a l m ente s u l l ' intera su perfi cie della piastri na. Q u i n d i , le re g i o n i d i emettitore d i tipo N vengono diffuse si ngol armente nel la piastri na; come nel processo plan are. S uccessivamente, per preve n i re eventuali dan n i al l e g i u nzioni
N N
COLLETTO R E _.)
Figura 7.1 3
col l etto re- base quando i c h i p vengono segati via u no dall 'altro, si corrode i l metal l o c o n dell'acido, ricavando dei p i ccol i avva l lamenti fra u n d ispositivo e l'altro. Poi, i dispositivi vengono separati segando l u n g o le l i nee trattegg iate che partono dal fondo deg l i avva l l amenti verso i l basso.
Un vantaggio del processo m esa rispetto a q u e l l o planare è che esso produce meno difetti n e l l a piastri na. Per contro, il processo plan are è i ntri nsecamente p i ù economico. N o n possiamo q u i esa m i nare tutti i pregi e i difetti d e i vari process i . Ba sti d i re che u n progettista d i semicond uttori deve ven i re a u n g ran n u m ero di com p l i cati com p romessi fra tutti i fattori che determ inano le prestaz i o n i , l'affidabi l ità e i l
costo, quando decide le fasi d i lavorazione da adottare. I n molti cas i , q u este decisio n i sono così complesse che i progettisti devono ricorrere a l l 'ai uto d i g ran d i cal colatori c h e l i assistono nello sceg l i ere le m ig l i ori poss i b i l i com b i n az i o n i dei processi.
Abbiamo fin q u i parlato delle tre categ orie fo ndamenta l i d i metod i per la p re parazione dei materi a l i : ad acc resci m ento, a lega e a d iffus ione. Abbiamo anche d i scusso diverse i m portanti varianti d i questi process i . A q u esto pu nto, i sem i co n d ut tori sono stati creati, ma essi sono n u d i , i n d ifesi e senza co m u n i caz i o n i con i l mondo esterno. l p ross i m i passi sono i processi d i assiemaggio che l i trasfo rmera n n o in dispositivi pratici e uti l izzab i l i . Come esempio, pren d iamo gli assiemaggi dei transistori a d iffusione .
. COME VENGONO ASS I EMATI l TRANSISTO R I A D I FFU S I O N E?
La F i g u ra 7 . 1 4 mostra come i l c h i p a d iffu sione sia mo ntato entro u n a custod i a me
ta l l ica. I l c h i p viene fi ssato alla piattafo rma dorata dello " heard" (zocco l o di testata) con un processo di riscaldam·ento, che permette al c h i p stesso di fo rmare u na lega con l a doratura. T i p i camente, la pi attafo rma vera e propria se rve d a term i n ale d i col l ettore e viene co l l eçJata ad uno dei term i nal i esternL l term i n a l i di emettitore e d i base sono isolati dalla pi attafo rma da vetro, u n a parte del q u a l e è i n d i cata nel d i seg n o con anel l i grig i .
Dei sott i l i fi l i d'oro - ci rca del q i ametro d i u n cape l l o - sono saldati a l l e aree m e ta l izzate, che fan n o co ntatto con le reg i o n i d i emettitore e d i base. G l i altri estre m i d i
/-- - - - --..-z-CAPPUCCIO / ' / \ ' l l } l, t i BASE · 1 ', /...+- EM ETTITO R E COLLETTOR E (ATTACCATO ALLA CUSTO DIA)
Figura 7.1 4 l l l
questi fi l i sono attaccati ai term i n a l i estern i , che van n o al mondo esterno. Dopo fatte queste tre co n n ession i , a l l a header viene saldato u n cappuccio di p rotezione. I l transistore è ora comp!eto e p ronto per essere provato.
U n altro modo d i montare i transistori cons iste n e l l ' i n caps u l arl i i n u n blocco d i
plast ica. T i p icamente tre term i n a l i appiattiti ag l i estre m i , come i n d i cato m F i g u ra
7 . 1 5 , vengono tem poraneamente serrati i n u n apposito attrezzo.
Il chip viene fissato med i ante lega al term i n ale centrale e dei fili d'oro vengono attac cati ag l i altri term i n a l i . Questo viene q u i nd i posto in u n o stampo, in c u i si i n i etta del
materiale plastico a l l o stato l i q u i do. Potete vedere q u anto siano rob u sti questi tran sistori ,og n i parte dei q u a l i è i m prigion ata in un blocco di p l astica.
Abbiamo cosi descritto i processi fondamenta l i d i preparazione del materiale e i processi d i assiemaggio, usati praticamente per tutti i semiconduttori. Nella sem p l i ce form a ri ass u ntiva descritta, questi processi ci sembreranno probabil men te molto più sem pl ici d i q uanto i m magi nate. Ma non provate a fabbricare dei sem i co n d uttori nel fo rno di casa vostra!
Figura 7.1 5
A q u esto pu nto, abbiamo fi n ito d i fabbricare i sem i cond uttori, ma essi non so no ancora pronti per la vend ita. Anche se può sem brare strano, dobbiamo ancora p rovarli u n o per u n o per vedere esattamente cosa abbiamo fatto.
PERCHE' O G N I D I S POSITIVO DEVE VEN IR PROVATO PER VER I F I CARN E LE PR ESTAZ I O N I ELETT R I C H E?
N e l l a m ag g i o r parte del le moderne i n d ustri e, si provano deg l i esemplari, presi a caso, di prodotti fin iti e s i a m m ette che i prodotti non prova ti fu nzio n i n o nel l o stes so modo. Ma nel l ' i n d ustria dei sem i cond uttori, og n i dispositivo dev'essere provato o "caratterizzato" , pri m a di poter determ i nare il n u mero del suo ti po. Malgrado uno dei p i ù sofisticati " k now-how" del mondo e un'esperienza accu m u l ata i n più d i d u e decen n i , ness u n p roduttore d i semicond uttori può costru i re u n lotto d i d ispositivi che ris u l t i n o tutti p recisamente si m i l i nel loro comportamento elettri co.
Così dobbiamo co l l audare o g n i sem i cond uttore col legando i suoi term i na l i ai c i rcuiti d i prova. A seconda dei risultati d i q u este prove - i dispos itivi d i un u n i co lot to sono sottoposti per intero a l l a stessa lavorazione - possono ven i r d ivisi in quattro o c i n q u e diverse categorie e venduti con d iversi n u m e ri tipici. Natu ral mente, i d ispo sitivi che non rispo ndono a l l e specifiche vengono i nteramente scartat i .
O g n i dispositivo deve soddisfare certi d ifferenti l imiti d i m i s u ra come specifi cato nel suo data sheet. Il col l audo e la caratterizzazione danno la sicu rezza che il d ispositivo sia compreso entro i l i m iti specificati di tensione di retta, corrente inversa e m olte altre caratteristiche che vi sono ora fam i l iari, almeno per q uanto riguarda i d i od i .
Benché q u este prove possano ven i r eseg u ite normalmente, facendo uso d i ap parecch iatu re da banco p i uttosto sem p l i c i , i p rodotti i m piegano dei sistem i di prova
altamente automatizzati, com e le macch i ne CAT svi l u ppate della T I ( CAT sta per "computer automated testing") . Queste macchine smaltiscono m i g l iaia di dispositivi a l l 'ora provando e m i s u rando automati camente molte caratteristiche, analizzando i risu ltati delle p rove per determ i n are i l corretto tipo d i dispositivo e depositando i di spositivi nel l e corrispondenti tramogge. M olti d ispositivi vengono, i noltre, sottopo sti a prove di vita operativa, nel le q u a l i i transistori vengono effettivamente fatti fu n zionare g iorno e notte per setti m ane, spesso in fo rni ad alta temperatu ra, per esser certi che essi si comportino in modo affi dabile, in condizion i-ambi ente estreme.
Entreremo i n qual che altro dettag l io d i fabbricazione nei pross i m i capitol i - nel discutere i c i rcu iti i nteg rati, per esempio, ved remo come s i i m pieg h i i l processo pla nare per prod u rre dei co m p l i cati ci rcuiti completi su u n u n ico c h i p o u n ' u n ica pia stri n a d i s i l icio. Nel capitolo seg uente, com i n ceremo a d iscutere le caratteristiche dei transistori .
QU ESITI R E LATIVI AL CAPITOLO 7
1 . I n u n fo ndamentale c i rcu ito a transistori, i l p i ù s i g n ificativo fattore che deter
m i na se i l transistore s i com porta come u n comm utatore o u n ampl ificatore è:
D a. I l tipo d i transistore
D b. I l c i rcu ito di contro l l o che fornisce il seg nale in entrata al transistore D c. I l ci rcu ito di l avoro
D d. I l montaggi o ( conte n i tore) del transistore D e. N u l l a di tutto ciò
2 . In un transistore NPN si ha u n'azione d i com m utazione e d i regolazione:
D a. R i c h iamando deg l i elettro n i dalla base del transistore, permettendo così a una q uantità p roporzional mente maggiore d i elettro n i d i sco rrere dal l'emettitore al col lettore
D b. Au mentando il n u m ero di elettro n i nella reg ione di base D c. Sostituendo un altoparlante al cical i n o nel ci rcu ito D d. N u l l a di tutto ciò
3 . G l i elettro n i l i beri possono sco rrere i n u n transistore N P N dall'emettitore a l
col l ettore, con u n a buona p robabil ità d i sfugg i re a l l a cattura da parte di lacune nel la base d i tipo P perché:
D a. La base di tipo P è molto stretta e leggermente "d rogata", cosicché le lacune
sono rade e sparpag l i ate
D b. G l i elettro n i v i n colati in eccesso che posso no respi ngere g l i elettroni l i beri vengono ri c h i amati dalla reg ione d i base dal c i rcu ito di contro l l o
D c. La p ressione del la tensione nel c i rcu ito d i lavoro f a passare g l i elettroni l i beri D d. T u tto come sopra
4 . I l materiale fondamentale per la fabbricazione del l a m aggior parte d e i semi-
conduttori attuali è:
D a. I l s i l icio monocristal l i n o D b. La g i u nzione a d acc resci m ento D c. I l boro gassoso
D d. L ' i d rato di al l u m i n io tipo N e tipo P D e. Come i n b e d
5 . Le g i u nzioni a d accrescimento, a lega e d a d iffusione sono le tre tec n i che ge-
nera l i per:
D a. L'assiemag g i o meccanico dei sem i cond uttori D b . I l col laudo elettrico dei semicond uttori
D c. La produzione di reg i o n i di tipo P e di t i po N nelle posizion i vol ute nel l'elemen-
to sem i cond uttore d i q ualsiasi d i spositivo sem iconduttore D d. U n'ap pl i caz ione ristretta ai transistori
D e. Come in a e b
6 . L'accresci mento epitassiale di u n crista l l o (accresci mento da u n vapore
p i u ttosto che d a un l i q u ido) viene p ri n c i pal mente usato per: D a. Attuare i l p rocesso a lega
D b. P rod u rre u n a reg ione di col l ettore l eggermente d rogata s u l l a su perficie su pe riore d i u na p i astri n a origi naria p i ù fortemente d rogata per m i g l iorare le p re stazioni dei dispositivi a g i u nzione per diffusione
D c. D i ffo ndere i d roaant1 nella piastri na attraverso alle m i n usco le finestre aperte nel l'ossido
D d. Come i n a e c
D e. N u l l a d i tutto ciò
7 . Un g rosso vantagg i o del processo d i d i fffusione è che:
D a. E' poss i b i l e la lavorazione manuale singola d i og n i disti nto elemento sem i con
duttore, conseguendo così u n'alta q ual ità
D b. E' un p rocesso breve a una sola operazione
D c. N o n richiede p i ù mano d'opera o tempo per prod u rre u n ' i n tera piastrina piena di centi naia d i elementi semiconduttori d i q u anto non ne occorra per prod u rre solo u n transistore su u na piastri na
D d. Non rich iede del le tecniche i ntricate e p recise
D e. Come in b e d
8 . l processi m olto comu nemente usati c h i amati " planare" e " m esa"so no delle
sottocategorie d i quale metodo d i produzione delle reg i o n i d i tipo P e N i n un materiale semicond uttore?
D a. G i u nzione ad accresci mento
D b. G i u nzione a l ega
D c. G i u nzione a diffusione
D d. Come in a e b
D e. N u l l a d i tutto ciò
9. La popolarità dei prodotti semicond uttori i n capsu lati i n plastica sta crescendo
rapidamente. Da quando è stato detto i n q u esto capitolo sui transistori in pla stica, perché si potrà avere q uesto fatto?
D a. I l conten ito re i n plastica contiene u n c h i p di q u a l ità p i ù alta
D b. E' el i m i n ata l a necessità d i attaccare i fi l i
D c. I l cosiddetto conten itore i n plastica contiene u n p icco l o conten itore d i
metallo e, pertanto, presenta la m i g l ior tenuta contro le conta m i nazioni.
D d. U n d ispositivo i n plasti ca è molto p i ù econom ico d i u n corrispettivo d ispositi
vo a custodi a metal l i ca
D e. Come i n a e b
1 0. Dopo la p reparazione del materiale e l'assiemag g i o mecca n i co, l'operazione
finale del collaudo elettrico è necessaria nel l a fabbricazione dei sem icond ut tori perchè:
D a. P u rtroppo tutti i d ispositivi preparati e assiemati nello stesso modo non risu l
tano esattam ente s i m i l i nel loro com portamento elettrico
D b. Va da sé che è desiderabi l e che tutti i d ispositivi d i u n dato t i po siano p i ù u n i
formi poss i b i l e nel loro com portamento elettrico
D c. D i sol ito, alcuni d ifferenti tipi possono veni r selezionati da sem i cond uttori di
uno stesso lotto.
D d. l d i spositivi che non funzionano del tutto devono essere i nteramente scartati
G LOSSAR I O R ELATIVO AL CAPITOLO 8
PNP I dentico come principio ed applicazione al transistore N P N , solo che le posizion i e le funzioni del materiale t i po P e del materiale tipo N sono i nvertite, insieme con le f u n z i o n i <Je l l e lacune e deg l i elettron i l i beri. In conseguenza, la corrente è anch'essa i nvertita, per c u i un PNP è utile quando occo rre un transistore da mandare in conduzione q uando !;i preleva dalla base u n a corrente convenzionale.
M assima D issipazione di Potenza Caratte ristica e specifica d i u n semicond uttore, relati-