Durante il lavoro le difficolt`a sono state numerose e gli imprevisti, che hanno rallentato i tempi di esecuzione, non sono mancati. Per quanto

Conclusioni

Il lavoro svolto in questa tesi `e stato focalizzato sulla realizzazione di dispositivi nanoelettronici su eterostruttura GaAs/AlGaAs. A tale scopo sono stati sviluppati numerosi processi tecnologici. In particolare, sono state disegnate e realizzate le maschere ottiche per la definizione della mesa, dei contatti ohmici e dei pad di contatto. ` E stato perfezionato l’attacco chimi- co a base di H

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per realizzare la mesa, caratterizzando la sua velocit`a in funzione della temperatura. ` E stata sviluppata la procedura di lift off, che ha richiesto numerose prove, sperimentando prima un metodo basato su vetro diffusore e in seguito applicando il soaking in clorobenzene, che viene ampiamente discusso. ` E stata messa a punto l’evaporazione electron per i materiali necessari ai contatti ohmici: nichel, germanio, titanio e oro. Sono stati realizzati campioni sia su GaAs intrinseco sia su eterostruttura. ` E stato avviato il processo di annealing termico rapido (RTA), sperimentando due diversi metodi, che ha dato risultati positivi nel caso del GaAs. Le misure I-V realizzate su GaAs e su eterostruttura hanno permesso di individuare le caratteristiche dei contatti ottenuti e hanno messo in evidenza le problema- tiche da risolvere.

Durante il lavoro le difficolt`a sono state numerose e gli imprevisti, che hanno rallentato i tempi di esecuzione, non sono mancati. Per quanto

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riguarda il lift off si sono avuti problemi con la glove-box, danneggiata al suo arrivo, che ha richiesto l’invio di una nuova. Inoltre, la fusione del crogiolo di molibdeno durante l’evaporazione del nichel ha reso necessaria l’ordinazione di nuovi crogioli in grafite, impedendo la realizzazione immediata di nuovi campioni in tempo utile per la stesura del presente lavoro di tesi. Infine, proprio per la possibile contaminazione di molibdeno, non si ha la certezza sulla qualit`a dei contatti evaporati.

Il progetto non pu`o ritenersi ovviamente concluso. In futuro, an- cora molto lavoro resta da svolgere. Innanzitutto occorrer`a perfezionare l’evaporazione del nichel, per evitare ulteriori danni ai crogioli. Si dovr`a poi mettere a punto una tecnica efficace di annealing, che attualmente risulta sod- disfacente soltanto per il GaAs. Infine dovr`a essere completamente sviluppata la parte di litografia electron beam, la caratterizzazione elettrica completa dei dispositivi finali con diverse lunghezze di canale e la misura del rumore shot sugli stessi.

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