ANNO SCOLASTICO: 2019/2020 PROGRAMMA

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MINI STERO DELL’ISTRUZIONE DE LL’U NI VERSITA’ E DE LLA RI CERCA UFFI CIO SCOLASTI CO REG IONALE DEL L AZIO

I.I. S. “Via Silv est ri, 301 - Ro ma”

ANNO SCOLASTICO: 2019/2020 PROGRAMMA

DISCIPLINA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

CLASSE : 3° sez. A

CORSO: PERITO CAPOTECNICO IN

ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

DOCENTE: Prof.ssa Adele Spagnoli

Prof.re Nicola Colavolpe

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MINI STERO DELL’ISTRUZIONE DE LL’U NI VERSITA’ E DE LLA RI CERCA UFFI CIO SCOLASTI CO REG IONALE DEL L AZIO

I.I. S. “Via Silv est ri, 301 - Ro ma”

ELETTROTECNICA

1- Circuito elettrico: classificazione dei materiali e rappresentazione a bande di energia (livello di Fermi)

2- Grandezze elettriche fondamentali:

 intensità di corrente, simbolo del generatore di corrente e definizione di densità di corrente

 tensione elettrica, simbolo del generatore di tensione

 potenza elettrica

3- Prima e seconda Legge di Ohm: enunciato e relazione analitica, rappresentazione grafica sul piano cartesiano, analogia con l’equazione di una retta e definizione di resistività

4- Reti elettriche: classificazione dei componenti passivi, parametri e unità di misura 5- Resistori: valori normalizzati, codice dei colori, resistori in serie e in parallelo;

partitore di tensione;

6- Teoremi per l’analisi delle reti elettriche: principi di Kirchhoff, 7- Generatori reali di tensione e di corrente

8- Principio della sovrapposizione degli effetti e teorema di Thevenin

CIRCUITI DIGITALI

Segnali elettrici: analogici e digitali ( periodo e frequenza) Dispositivi digitali: tavola di verità e cronogrammi

Circuiti integrati digitali in scala LSI e MSI Diodo: polarizzazione diretta e inversa

BJT: curve caratteristiche, comportamento ON-OFF Porte logiche fondamentali

ALGEBRA BOOLEANA e SISTEMI di NUMERAZIONE Funzioni AND, OR, NOT

Rappresentazione mediante schemi logici di funzioni booleane Funzioni NAND, NOR, EXOR e EXNOR

Teorema di De Morgan

Dalla funzione allo schema logico Dalla funzione alla tavola di verità Mappe di Karnaugh: minimizzazione

EMERGENZA COVID-19

Sintesi di funzioni logiche AND-OR e OR-AND Sintesi con sole porte NAND e NOR

Sistema di numerazione binario e conversione Operazione di addizione

Circuiti aritmetici: sommatore logico, half e full adder Strumenti di misura: amperometro e volmetro a confronto

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3

LABORATORIO

1. Resistenza e resistori 2. Codice colori dei resistori 3. Tolleranza e precisione

4. Multimetro digitale: misure di tensione, corrente e resistenza 5. Circuito resistivo serie

6. Circuito resistivo parallelo

7. Corretto inserimento dello strumento nei circuiti 8. Misure effettuate con il programma Multisim

9. Verifica sperimentale del principio della sovrapposizione degli effetti 10. Verifica sperimentale del 2° principio di Kirchoff

11. Porte logiche: generalità 12. Circuiti integrati serie 74xx

13. Simulazione di semplici reti combinatorie :tabella di verità 14. Reti combinatorie realizzate con porte logiche universali

Roma 29 Giugno 2020

Prof.ssa Adele Spagnoli __________________

Prof. Nicola Colavolpe__________________

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ANNO SCOLASTICO: 2019/2020 PROGRAMMA

DISCIPLINA: ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

CLASSE : 4° sez. A

CORSO:

PERITO CAPOTECNICO IN ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

DOCENTE: Prof.ssa Adele Spagnoli

Prof.re Luca Neri

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5 MODULI DELLA DISCIPLINA

MODULO 1: FUNZIONI PERIODICHE Unità didattiche:

U. D. 1.1: funzioni periodiche:

1. Valore efficace 2. Funzione sinusoidale 3. Fase di una sinusoide

4. Numeri complessi e rappresentazione sul piano di Gauss 5. Parametri dei segnali

U. D. 1.2: componenti attivi e passivi

U. D. 1.3: unità di misura e notazioni scientifiche U. D. 1.4 E 5: Legge di Ohm

U. D. 1.5: circuiti in corrente alternata:

1. Circuito resistivo in regime sinusoidale

2. Circuito puramente capacitivo: reattanza capacitiva 3. Circuito serie: impedenza ohmico-capacitiva 4. Circuito RL: impedenza ohmico-induttiva 5. Circuito RLC serie

6. Risposta nel dominio del tempo: cenni trasformata di Laplace 7. Analisi nel dominio della frequenza: cenni serie di Fourier 8. Filtri: passa-alto e passa-basso

MODULO 2: I DIODI Unità didattiche:

U. D. 2.1: diodo al silicio

U. D. 2.2: struttura del diodo: giunzione PN U. D. 2.3: modelli equivalenti approssimati EMERGENZA COVID-19

U. D. 2.4: polarizzazione della giunzione U. D. 2.5: diodo come elemento circuitale U. D. 2.6: caratteristica del diodo: retta di carico U. D. 2.7: raddrizzatori a una semionda: ponte di Graetz

MODULO 3: GLI AMPLIFICATORI A TRANSISTOR Unità didattiche:

U. D. 4.1: transistor bipolare BJT U. D. 4.2: funzionamento del BJT

U. D. 4.3: curve caratteristiche del BJT: ingresso, uscita U. D. 4.4: parametri caratteristici del BJT

U.D. 4.5: polarizzazione del BJT nella connessione ad Emettitore Comune con 2 batterie U.D. 4.6: polarizzazione con partitore di base e resistore sull’emettitore

U.D. 4.7: BJT in funzionamento ON-OFF

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LABORATORIO

Misure di frequenza e periodo di un segnale mediante la scala dei tempi dell’osclloscopio Misure di sfasamento in un circuito RLC

Misura di induttanza con il metodo della risonanza

Filtri RC ( passa-basso ) e CR ( passa-alto ): simulazione e relative misure con software Multisim Realizzazione dei filtri e verifica in laboratorio

EMERGENZA COVID-19 Eseguiti solo in SIMULAZIONE

Rilievo della curva caratteristica del Diodo Limitatori a Diodi

Ponte di Graetz

Curva caratteristica del BJT

BJT in funzionamento ON-OFF con led Generatore d’onda quadra con BJT ROMA 29 Giugno 2020

Prof.re Luca Neri__________________

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ANNO SCOLASTICO: 2019/2020 PROGRAMMA

DISCIPLINA: TECNOLOGIA DEI SISTEMI

ELETTRONICI-ELETTROTECNICI

CLASSE : 4° sez. B

CORSO: PERITO CAPOTECNICO IN

ELETTROTECNICA ED ELETTRONICA

DOCENTE: Prof.ssa Adele Spagnoli Prof.re Massimo Fintini

T.P.S.E.E.

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Prerequisiti: legge di Ohm, parametri passivi e notazioni scientifiche I materiali nelle applicazioni elettriche

- I materiali e la corrente elettrica

- Aspetto energetico dei materiali: conduttori, isolanti e semiconduttori - Rappresentazione a bande di energia

- Tecnica di drogaggio

Dispositivi elettronici a semiconduttore

- Diodo a giunzione e rappresentazione a bande di energia: portatori maggioritari e minoritari

- Comportamento della giunzione PN - Polarizzazione della giunzione PN - Diodo rettificatore

- Diodo Zener

- Applicazione del ponte di diodi -

Prerequisiti: principi di Kirchoff, partitore di tensione e principio della sovrapposizione degli effetti

- Transistor a giunzione bipolare: configurazione e funzionamento dei transistor bipolari

- Transistor con caratteristiche di ingresso e di uscita - Transistor con rappresentazione grafica e applicazione

- Transistor ad effetto di campo ( FET ): geometria del JFET, variazione del canale, tensione di pinch-off

La luce e i dispositivi fotoelettrici

- Radiazione luminosa e spettro delle onde elettromagnetiche - Proprietà della luce: riflessione e rifrazione

EMERGENZA COVID-19

Circuiti stampati

- Disegno di fabbricazione - Processi di fabbricazione: PCB

Pannelli fotovoltaici

- La cella fotovoltaica: giunzione PN - Giunzione colpita da radiazione - Comportamento elettrico della cella - Parametri di un pannello fotovoltaico

LABORATORIO

1. Caratteristiche elettriche dei componenti discreti: data-sheet

2. Simulazione e verifica pratica del rilievo della caratteristica diretta e inversa del diodo 1N4007

3. Simulazione del ponte di Graetz

4. Simulazione e rilievo della caratteristica di uscita del transistor 5. Elementi di organizzazione aziendale:

-Struttura organizzativa

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-Forme aziendali

-Organizzazione industriale -Costo di produzione

Roma 29 Giugno 2020

Prof.re Massimo Fintini__________________