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Conclusioni
In questo lavoro di tesi è stato condotto uno studio approfondito sull’attacco foto- elettrochimico del silicio (Si) di tipo n in soluzioni acquose a base di acido fluoridrico (HF).
Allo scopo di realizzare trench ad elevata profondità, è stato messo a punto un set-up sperimentale che permette di controllare la corrente di etching mediante
l’utilizzo di un controllore di tipo PID.
Sono stati analizzati gli effetti che sul processo ha la temperatura. In particolare la termo-generazione di lacune tra le pareti delle trench ne compromette l’integrità. La collocazione di un filtro del tipo heat reflecting hot mirror, tra il substarto di Si e la sorgente luminosa, previene tale inconveniente, impedendo l’assorbimento di radiazioni infrarosse da parte del substrato stesso.
Sono stati studiati inoltre gli effetti della presenza di additivi in soluzione, quali etanolo e TRITONIX-100, necessari a garantire l’uniformità dei macropori sia in direzione parallela che perpendicolare alla superficie di attacco, soprattutto per profondità dei macropori superiori ai 100 µm. In particolare, il tensioattivo TRITONIX-100 ha permesso la fabbricazione di array di trench con profondità di 200 µm, caratterizzati da buona uniformità sia in direzione orizzontale che verticale, rendendo in tal modo auspicabile la fabbricazione di trench lungo tutto lo spessore
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del wafer di Si. A tal proposito un ulteriore sviluppo potrebbe riguardare la realizzazione di interconnessioni elettriche passanti attraverso il wafer.
Nel corso di questa tesi è stato infine sperimentalmente dimostrato che l’etching anodico del Si in HF è l’unico attacco wet anisotropo del silicio che consente di realizzare strutture circolari ordinate a pareti perfettamente verticali e con elevato rapporto superficie-volume su substrati <100> (quelli più comuni e meno costosi nell’industria microelettronica). A questo proposito è stato fabbricato un array di spirali circolari, struttura mai fino ad ora riportata in letteratura nell’ambito degli attacchi wet anisotropi.