• Non ci sono risultati.

Data: 30/06/2009 Nome_________________________________________________________ Esito: Tempo a disposizione: 1 ora TEMA V V V V t ( C = 0.5 pF) t ( C = 0.5 pF) R L E D : 03_09

N/A
N/A
Info
Scarica
Protected

Academic year: 2021

Condividi "Data: 30/06/2009 Nome_________________________________________________________ Esito: Tempo a disposizione: 1 ora TEMA V V V V t ( C = 0.5 pF) t ( C = 0.5 pF) R L E D : 03_09"

Copied!
1
0
0

Caricamento.... (Visualizza il testo completo ora)

Scarica adesso ( 1 pagine )

Testo completo

(1)

LABORATORIO ELETTRONICA DIGITALE: 03_09 Data: 30/06/2009

Nome_________________________________________________________ Esito:

Tempo a disposizione: 1 ora TEMA

Si consideri la porta NAND realizzata in tecnologia bipolare “ED”, il cui schema elettrico è riportato nella figura più in basso. Si richiede di completare la scheda con i risultati ottenuti dalle opportune simulazioni effettuate.

a. Analisi statica a vuoto: si faccia variare l’ingresso A, mantenendo l’ingresso B sul livello neutro della porta. Si valuti la potenza dissipata staticamente PDS e le correnti IIL, IIH considerando 0.4 V e 5 V come livelli rispettivamente basso e alto in ingresso.

VIL

VIH

VOL

VOH

PDS

IIL @ (VA = 0.4 V) IIH @ (VA = 5 V)

b. Analisi statica a carico: si valuti il FAN—OUT della porta, garantendo un margine di rumore residuo pari a 0.5 V.

Si considerino in ingresso alla porta pilota i livelli elettrici 0.4 V e 5 V e si modelli l’ingresso delle porte pilotate con un generatore di corrente di valore IIL eIIH sul livello basso e su quello alto, rispettivamente.

FAN-OUT

c. Analisi dinamica: valutare i tempi di transizione dell’uscita dal livello alto a quello basso e viceversa, tHL e tLH,. Si colleghi una capacità CL = 0.5 pF in uscita e si faccia variare il segnale d’ingresso A tra 0.4 V e 5 V con tempi di salita e discesa uguali e pari a 1 ns, mantenendo l’altro ingresso sul livello neutro della porta.

tHL (CL = 0.5 pF) tLH (CL = 0.5 pF)

d. Dimensionare le resistenze R1 e R2, mantenendo la loro somma costante e pari a 5 kΩ, in modo tale che il FAN- OUT, valutato come al punto b, risulti uguale a 20.

R1

Riferimenti

Scarica adesso ( PDF - 1 pagine - 122.77 KB )

Documenti correlati

V ] Calcolare la dimensione di {(t, 0, 2t, 0, −t): t ∈ R

 Esistono matrici simmetriche che non

1. Let V = L((1, 1, −1, 0), (1, 1, 0, 1)). Find a vector v ∈ V and a vector w orthogonal to V such that (1, 0, 0, 0) = v + w.

In fact we can find an orthonormal basis of eigenvectors, corresponding respectively to the eigenvalues 2, −2, 3, −3... All answers must be given using the usual

(b) se v · w = 0 per ogni w ∈ V allora v = 0

Tizio vuole dipingere le stanze, in modo che stanze adiacenti abbiano colori diversi, usando il minimo numero possibile di colori. Fare un disegno dell’appartamento in cui si

1. f non ` e continua in (0, 0) (basta considerare la restrizione sull’asse y) e quindi non ` e differenzi- abile; per ogni direzione ⃗ v = (v 1, v 2) (con v 1̸= 0), ∂f ∂⃗ v (0, 0) = 7 v v322

[r]

1. f non ` e continua in (0, 0) (e quindi non pu` o essere differenziabile). Se ⃗ v = (v 1 , v 2 ) e v 2 ̸= 0 esistono le derivate direzionali ∂f ∂⃗ v (0, 0) = 7v v231

[r]

Se ⃗v = (v1, v2), ∂f∂⃗v(0, 0

Tramite il test del determinante hessiano si verifica che (0, ±1) sono di massimo relativo.. Converge uniformemente in ogni intervallo limitato

Data: Nome_________________________________________________________ Esito: Tempo a disposizione: 1 ora QUESITO 1 , (C = 15 fF) . V V V V V @ |I | = 0,5 mA t (C = 15 fF) t (C = 15 fF) W L E D : 03_08

Si considerino trascurabili, almeno in prima approssimazione, le capacità associate alle diffusioni di source e drain dei transistori MOS.. Si richiede di disegnare la forma

Data: Nome_________________________________________________________ Esito: Tempo a disposizione: 1 ora QUESITO 1 V V V V I I t t L E D : 04_08

Simulare poi il circuito realizzato utilizzando per gli ingressi le forme d’onda specificate di seguito e il modello typical per i ritardi delle porte logiche.. Si richiede