3f 3f f 2f f f

Universita' degli Studi “Sapienza" - Facolta' di Ingegneria

Fisica II – 5/2/2011 – Ingegneria Elettrotecnica e Ingegneria Chimica

1) Una densita’ di carica lineare λ=k|x|

con k=25µC/m² e’ posizionata su una bacchetta sottile di dimensioni L = 20 cm. Calcolare il valore del potenziale a distanza d = 5 cm sulla mediana della bacchetta assumendo V(^∞)=0.

2) Nel circuito in figura calcolare la massima potenza dissipata sulla resistenza R₀ in funzione del valore di R₀, e per quale valore di R₀ viene ottenuta(f=5V, R₁=2kΩ)

3) Il circuito costituito dalla mezza spira circolare di raggio R e’ percorso da una corrente I. Ricavare l’espressione delle componente z del campo induzione magnetica, a un’altezza h sull’asse della semi spira (asse z).

4) Ricavare il lavoro (compreso il segno!) svolto dal generatore se viene estratta la lastra di dielettrico che riempie meta’ dell’intercapedine del condensatore piano di superficie S.

5) Un quarto di spira non conduttrice posizionata in vuoto nel piano yz viene investita da un’onda elettromagnetica piana, che si propaga lungo l’asse x positivo. Noto il massimo valore del vettore di Poyinting I₀=20W/m² e dato che B e’ allineato lungo y, calcolare la massima differenza di potenziale fra I punti A e B. (R = 20 cm)

3f R

3f f R

1

R

0

R

R

1

R

f 2f

f

ε