SEMICONDUTTORI
BANDE DI ENERGIA
Si dice banda di energia un insieme di livelli energetici posseduti dagli elettroni. Si dice banda di valenza l'insieme degli elettroni che hanno un livello energetico basso, tale da restare nei pressi dell'atomo di appartenenza. Si dice banda di conduzione l'insieme di elettroni che hanno un livello energetico abbastanza alto, tale da lasciare l'atomo di appartenenza, dando luogo ad una conduzione di tipo elettrico. Tra la banda di valenza e la banda di conduzione vi può essere una banda proibita, cioè un insieme di livelli energetici non consentiti, in quanto un generico elettrone o si trova nella banda di valenza o si trova nella banda di conduzione. Se osserviamo i seguenti diagrammi:
possiamo concludere che negli isolanti la banda proibita è molto grande, di conseguenza sono pochi gli elettroni che raggiungono una energia sufficiente a passare nella banda di conduzione, di conseguenza l'isolante non conduce. Nei materiali conduttori, le due bande di valenza e di conduzione si sovrappongono, manca, quindi la banda proibita;
quindi un notevole numero di elettroni possiede energia sufficiente ad essere considerato nella banda di conduzione ed il conduttore è in grado di condurre la corrente elettrica.
Nei materiali semiconduttori la banda proibita è piccola, sara’ sufficiente un innalzamento della temperatura per portare un certo numero di elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione.
DROGAGGIO DEI SEMICONDUTTORI
Si dicono semiconduttori quei materiali che hanno un comportamento intermedio tra conduttori e isolanti; sono semiconduttori il germanio, il silicio, il carbonio, l'arseniuro di gallio.
La struttura di un semiconduttore, tipo il silicio, e’ del seguente tipo:
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Possiamo notare che ogni atomo mette in comune quattro elettroni; essendo questi elettroni attratti dagli atomi vicini i nuclei dei vari atomi si tengono legati tra loro da un tipo di legame detto covalente. Normalmente quasi tutti gli elettroni si trovano nella banda di valenza, restano cioè legati all'atomo di appartenenza, tranne pochissimi che riescono ad essere in banda di conduzione (a causa della temperatura esterna) e quando si sganciano dal legame covalente fanno nascere una lacuna. Il semiconduttore si comporta quindi da cattivo conduttore con resistenza che diminuisce all’ aumentare della temperatura in quanto a maggiore temperatura corrisponde un maggiore numero di coppie lacuna-elettrone liberate.
Si dice drogaggio di un semiconduttore l’ operazione di inseriremento all'interno del semiconduttore di atomi aventi valenza cinque, cioè pentavalenti, oppure atomi aventi valenza tre, cioè trivalenti. Tra le sostanze pentavalenti ricordiamo il fosforo, l'antimonio, l'arsenico; tra le sostanze trivalenti ricordiamo il bario, l'alluminio, il gallio, l'indio.
Se inseriamo sostanze pentavalenti, come nel seguente schema:
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vediamo che dei cinque elettroni dell'atomo pentavalente quattro vengono utilizzati per il legame covalente, mentre il quinto elettrone resta libero. Si dice drogaggio di tipo N quando il semiconduttore è drogato con sostanze pentavalenti, possiede quindi elettroni liberi, e diventa un conduttore, cioè se lo alimentiamo con un generatore esterno, vi è movimento degli elettroni liberi e il semiconduttore di tipo N conduce.
Se invece inseriamo sostanze trivalenti, ad esempio alluminio, come nel seguente schema:
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vediamo che i tre elettroni dell'atomo trivalente vengono utilizzati per il legame covalente, mentre manca un elettrone nella banda di valenza. Si dice lacuna un posto libero per l'elettrone nella banda di valenza; tale posto può essere occupato da un altro elettrone il quale a sua volta crea una lacuna, di conseguenza la lacuna può essere considerata come una carica positiva mobile, che dà luogo ad una corrente elettrica. Si dice drogaggio di tipo P quando il semiconduttore è drogato con sostanze trivalenti, possiede quindi lacune libere, diventa quindi un conduttore, cioè se lo alimentiamo con un generatore esterno, vi è movimento di lacune e quindi il semiconduttore di tipo P conduce.
A causa dell'aumento di temperatura un certo numero di elettroni può acquistare energia sufficiente a passare dalla banda di valenza alla banda di conduzione; per ogni elettrone che passa nella banda di conduzione resta una lacuna nella banda di valenza. Si dicono cariche minoritarie le coppie elettrone-lacuna che si creano in seguito all'aumento di temperatura. Si dicono cariche maggioritarie gli elettroni nel semiconduttore drogato di tipo N e le lacune nel semiconduttore drogato di tipo P.
GIUNZIONE P-N
Si dice giunzione P-N l'unione di una barretta di semiconduttore di tipo P con una di tipo
N. All'atto della formazione della giunzione si verifica uno spostamento di cariche, in
particolare gli elettroni e le lacune situati nella parte centrale della giunzione si
neutralizzano, essendo cariche di segno opposto. Per ogni lacuna che dalla zona P passa
alla zona N, resta nella zona P una carica fissa negativa. Per ogni elettrone che dalla zona
N passa alla zona P resta una carica fissa positiva. Di conseguenza, non appena un certo
numero di elettroni e di lacune si sono neutralizzate, le cariche fisse determinano una differenza di potenziale che respinge le altre cariche facendole restare nella zona di appartenenza, tale tensione è detta barriera di potenziale e la indichiamo con Vγ γγγ. La barriera di potenziale per il silicio vale Vγ γγγ = 0,6 V; per il germanio Vγ γγγ = 0,2 V .
La situazione finale la possiamo vedere dalla seguente figura:
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La zona intermedia possiede solo cariche fisse e non vi sono cariche mobili, né elettroni, né lacune, per cui è detta zona di svuotamento.
POLARIZZAZIONE DELLA GIUNZIONE
Polarizzare una giunzione vuol dire applicare una certa tensione ai suoi estremi.
Una giunzione si dice polarizzata direttamente quando il polo positivo del generatore, che deve essere in corrente continua, è applicato alla zona di tipo P, come nel seguente schema:
In una giunzione polarizzata direttamente vi è conduzione di corrente quando la tensione esterna supera una tensione di soglia che coincide con la barriera di potenziale V
γγγγ.
Una giunzione si dice polarizzata inversamente quando il polo positivo del generatore di tensione è applicato alla zona N. Come nel seguente schema:
Vγ
